در برخی از کاربردهای سنسور خازنی دی الکتریک دارای نشتی است. این نشتی موجب ایجاد خطا در مدارهای اندازه گیری خواهد شد. به همین منظور هدف ما استفاده از مداری است که تا حدی نسبت به این نشتی مقاوم باشد. هدف اصلی ما در این پروژه تحلیل خطا و مقایسه ی آن با نتایج عملی خواهد بود. با توجه به کاربرد فراوان سنسور خازنی در سیستم های اندازه گیری مختلف، بررسی نشتی یک مسئله ی اساسی است. نشتی حاصل از دی الکتری...

ترکیب پیزوالکتریک عاری از سرب Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3 (BCZT) با استفاده از روش متداول سرامیک‌ها سنتز و اثر افزودن 1/0% مولی Bi2O3 بر فرایند زینتر و خواص دی الکتریک، فروالکتریک و پیزوالکتریک این ترکیب مطالعه شد. در راستای کاهش اتلاف بیسموت در دماهای بالای کلسیناسیون و زینتر BCZT، ، دو روش متفاوت برای افزودن بیسموت به ساختار این ترکیب بکار گرفته شد؛ در روش اول، Bi2O3 مطابق فرمولاسیون ([(Ba0.85,C...

نمونه­های پودری نانوکامپوزیت دورگه­ای al2o3/pvp به روش سل-ژل در دمای 80 درجه­ی سانتی­گراد سنتز شده­­­­­اند. درصد وزنی پلی وینیل فنول و اکسید آلومینیوم برابر صفر، 28/0، 56/0 و 84/0 بوده است. برای بررسی ویژگی­های نانوساختاری از روش فراپراشی پرتو ایکس، بیناب­سنجی تبدیل فوریه فروسرخ، میکروسکوپ الکترونی روبشی، و میکروسکوپ نیروی اتمی استفاده شد. ثابت دی الکتریک نمونه­ها با استفاده از روش gps 132 a مح...

کنترل جریان در لایه مرزی، یکی از اساسی¬ترین موضوعات علم آیرودینامیک است. معمولأ کنترل جریان با هدف کنترل جدایش در لایه مرزی صورت می¬گیرد. امروزه استفاده از محرک¬های فعال الکتروهیدرودینامیکی، به دلیل دسترسی و سادگی نصب، عدم نیاز به تعمیرات خاص، زمان پاسخ بسیار کوتاه و مصرف انرژی بسیار کم، بسیار مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. در این مقاله، با استفاده از یک هندسه یکسان، اثرات وجود مانع دی¬الک...

اهمیت شناسایی خواص دی الکتریک بویژه گذر دهی الکتریکی و نفوذ پذیری مغناطیسی ، در مواد که به کمک آن می توان مواد مختلف را از هم متمایر نمود، لازم به نظر میرسد. تا کنون روش های زیادی برای اندازه گیری گذر دهی ارایه شده است که هریک به نحوی دارای محدودیت هایی در اندازه گیری ثابت دی الکتریک هستند . در این تحقیق به دنبال ارایه روشی غیر مخرب برای اندازه گیری مقدار گذر دهی مواد مختلف در جهت یافتن تمایزی ...

امروزه ابعاد قطعات و تراشه های الکترونیکی وارد حوزه نانو مقیاس شده است. ترانزیستورهای فیلم نازک با مواد آلی (otft) با گیت دی الکتریک بسیار نازک هیبریدی مواد آلی و معدنی درکار حاضر دارای خواص الکتریکی خوب از جمله ثابت دی الکتریک بالا و چگالی جریان نشتی کم در ضخامت کمتر از 40 نانومتر هستند.پژوهشگران دریافتند که گیت های دی الکتریک پلیمر، دارای ثابت دی الکتریک پایین وچگالی جریان نشتی عبوری بالاهستن...

شبکه‌ای نمودن پلی اتیلن با دانسیته بالا و نانوکامپوزیت پلی اتیلن – خاک رس ابتدا توسط اشعه الکترونی با انرژی بالا (EB) انجام شد و سپس هر دو نوع نمونه توسط دی کیومیل پراکسید (DCP) شبکه­ای گردیدند و با آنالیزهای متعدد تاثیر نوع شبکه‌ای نمودن پلیمر و ارتباط آن با خواص الکتریکی مورد بررسی قرار گرفت. به این منظور میزان محتوای ژل نمونه‌ها توسط استخراج با حلال تعیین گردید و آزمایش میزان شبکه‌ای شدن نمو...

چکیده: شیشه سرامیک های بدست آمده از تبلور ترکیبات شیشه در سیستم سه تایی cao-sio2-mgo خواص شیمیایی و مکانیکی خوبی از خود نشان داده اند. به همین دلیل این مواد برای کاربردهای زیادی مناسب هستند. همچنین به عنوان یکی از سیستم های شیشه سرامیک با ویژگی های دی الکتریک مطلوب شناخته شده اند. در این پژوهش رفتار تبلور و سینترپذیری شیشه سرامیک سیستم cao-sio2-mgo مورد بررسی قرار گرفت. به منظور انتخاب ترکیب ...

در این پایان نامه هدف طراحی آنتن دی الکتریک مستطیلی با پهنای باند پلاریزاسیون دایروی بالا برای پوشش باندهایx و ku بود. به این منظور و بر مبنای مطالب بحث شده ابتدا با استفاده از روش dwm به محاسبه ابعاد rdra پرداخته شد. سپس با انجام بررسی های گسترده بر روی نمونه های متعدد rdra با تغذیه های مختلف نشان داده شد مدهای تحریک پذیر rdra وابسته به منبع تغذیه و موقعیت آن است. در ادامه فلوچارتی برای طرا...

این مقاله به بررسی آنتن های شفاف به عنوان راه حلی برای حل مشکلاتی مانند زیبایی، آیرودینامیک بودن آنتن در کاربردهای مختلف و همچنین نقش آن در کاربردهای فضایی می‌پردازد. سپس دو دسته‌ی کلی آنتنهای شفاف بررسی می شوند. در دسته اول، ساختار آنتن که در آنتنهای متداول معمولا از فلزات ساخته می شود، با استفاده از تکنولوژی فیلم نازک و یا با مشبک نمودن قسمتهای فلزی آنتن محقق می‌شود. دسته‌ی دوم، آنتهای تشدیدک...