در این مقاله خواص الکترونی و اپتیکی ترکیبات کلکوژنید  در حالت سطح در راستای (001) مورد مطالعه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه‌پتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی (DFT) با استفاده از نرم‌افزار کوانتوم ‌اسپرسو با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. گاف نواری ترکیبات CuSbX2(X=Se,S) در حالت انبوهه به‌ترتیب 80/0 و93/0 الکترون ولت است اما در حالت ...

طی سالهای اخیر گرافن به یکی از جالب توجه ترین سوژه های دنیای فناوری تبدیل شده است. خواص عجیب و منحصر به فرد گرافن نسبت به نیم رساناهای استاندارد باعث شده است محققان به سختی بتوانند جایگزینی برای گرافن پیدا کنند. با توجه به ساختار باند گرافن و فاقد گاف بودن آن نمی توان از گرافن در کاربردهایی همچون ساخت ادوات الکترونیکی و اپتیکی استفاده کرد. یکی از راههای ایجاد گاف در گرافن ساخت نقاط کوانتومی است...

برای کاربردهای نانوالکترونیک، ماده گرافن به یک گاف انرژی در طیف انرژی خود نیاز دارد (همانند نیمه رساناهای متداوال). در این رساله با استفاده از معادله دیراک دوبعدی برای ذرات جرم دار، در گرافن دارای گاف انرژی حل دقیقی برای احتمال عبور مربوط به تونل زنی فرمیون های دیراک جرم دار از یک سد پتانسیل در یک نانوترانزیستور گرافنی درنظر n-p-n دوبعدی بدست آوردیم، که این ساختار می تواند بصورت یک پیوند گر...

در این پژوهش، سنتز نقاط کوانتومی CdTe و نقاط کوانتومی هسته CdTe و پوسته CdSe، CdS، ZnS و ZnSe به روش هم‌رسوبی انجام شد. در این راستا ابتدا هسته CdTe سنتز و اثر زمان تقطیر برگشتی یک تا هفت ساعت بر خواص نورتابی، گاف نواری، ساختار و ریزساختار آن بررسی گردید. نتایج نشان ...

با استفاده از نظریة تابعی چگالی خواص الکتریکی و اپتیکی هگزاگونال بورون نیترید (h-BN) دو لایه تحت کرنش صفحه ای دو محوری بررسی می شوند. محاسبة انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. h-BN دو لایه دارای گاف نواری غیر مستقیم به اندازة 4.33 eV در راستایK-M است. با اعمال کرنش تراکمی، کمینة نوار رسانش در نقطة M نسبت به تراز فرمی به سمت بالا و لبة نوار رسانش د...

ساختار و گاف نواری الکترونی چند دستۀ مختلف از ساختارهای TiO2 به وسیلۀ نظریۀ تابعی چگالی و با تابعی‌های PBE و HSE06 محاسبه شد. مقادیرگاف نواری محاسبه شده توسط HSE06 برای فازهای روتیل و آناتاس به ترتیب 3.4 و 3.58 الکترون‌ولت بدست آمد که با مقادیر تجربی 3 و 3.2 الکترون‌ولت در توافق است. مدول حجمی نیز برای فازهای روتیل و آناتاس توسطPBE محاسبه گردید و به ترتیب مقادیر 226 و 205 گیگاپاسکال برای آنها ب...

فهم و شناخت سازوکار جفت شدگی الکترون ها در ابررساناهای جدید، از مسائل بنیادین در زمینه ابررسانایی است. سازوکار جفت شدگی الکترون ها، با پارامتر نظم و در واقع با ساختار گاف یک ابررسانا رابطه مستقیم دارد. ابررساناهای متعارف موج s، دارای ساختار گاف متقارن در اطراف سطح فرمی هستند. حضور این ساختار پارامتر نظم متقارن، موجب می شود که بسیاری از خواص فیزیکی ماده در دماهای پایین، رفتار نمایی نسبت به دما ن...

در این پایان نامه با بدست آوردن توابع گرین به کار گرفته شده در معادله ی آیلنبرگر، جریان بار و اسپین و همچنین چگالی حالت های دو سامانه ی مقیاس نانو 1- ابررسانای اسپین-سه تایی/ فلز عادی/ ابررسانای اسپین-سه تایی و 2- ابررسانای اسپین-سه تایی/ لایه ی فرومغناطیس/ ابررسانای اسپین-سه تایی به دست می آیند. بدین گونه که معادله ی آیلنبرگر برای لایه های ابررسانا و عادی و فرومغناطیس به صورت جداگانه حل می کنی...

در این مقاله با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی، تأثیر میدان الکتریکی خارجی را در خواص الکترونی و اپتیکی گرافین دولایه و بورون‌نیترید دولایه و دولایۀ گرافین/بورون­نیترید با چینش AB بررسی کرده‌ایم. بررسی ما نشان می­دهد که ساختار الکترونی تمام این ساختارها در حضور میدان الکتریکی تغییر کرده، گاف انرژی آنان از این طریق کنترل‌پذیر می‌شود. با اِعمال میدان الکتریکی بر ساختار گرافین­دولایه، رابطۀ پاشندگی ا...

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و در رهیافت تنگ بست به مطالعه رسانش الکترونی نانو سیم های مولکولی با در نظر گرفتن پرش الکترون بین همسایه های اول و دوم پرداخته ایم. ساختارهای مورد مطالعه شامل یک زنجیره خطی همگن، یک زنجیره خطی متناوب و یک چندپار پلی پارافنیلن هستند که فرض شده است بین دو هادی ساده فلزی محدود شده اند. نتایج نشان می دهند که در تقریب همسایه دوم پدیده-های تشدیدی، ضد تشدیدی و فانو در...