نتایج جستجو برای: مرز نیم رسانا

تعداد نتایج: 13952  

استانین، یک نانوساختار دو بعدی از اتم های Sn، دارای ساختار لانه زنبوری می باشد. بر هم کنش اسپین-مدار ذاتی قوی استانین، موجب ایجاد شکاف انرژی تا حدود 0.07 الکترون ولت در ساختار نواری آن می شود. در این پژوهش، ویژگی های الکترونی نانونوارهای استانینی لبه زیگزاگ با مدل تنگ بست و روش تابع گرین در حضور میدان های الکتریکی و مغناطیسی را بررسی می نماییم. در حضور میدان الکتریکی عمودی، در نانونوارهای استان...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران - دانشکده فیزیک 1388

تا به حال نانوذرات فلزی به روش های متفاوتی تولید شده اند. در این پایان نامه روش جدیدی برای تولید نانوذرات آلیاژی بر روی زیر لایه شیشه با استفاده از پلاسمای هیدروژنی در دمایی بسیار پایین تر از دمای نقطه ذوب حالت کپه ای ماده یا مواد مورد آزمایش ارائه شده است.تولید نانوذرات در سه مرحله تمیز کردن زیرلایه، لایه نشانی و رشد نانوذرات آلیاژی در دستگاه "لایه نشانی بخار شیمیایی بهبود یافته با پلاسما" انج...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1388

اغلب وسـایل نیمرسـانای مهـم بر اساس انتقال حفـره به عنـوان جریان غالب حامل¬ها عمل می¬کنند. ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی کانال p، ترانزیستورهای دوقطبی چند عنصری از این جمله¬اند. به علت تبهگنی در k =0، و برهمکنش بین نزدیکترین نوارها، وارد کردن اثر ناسهمی گونی و واپیچش در محاسبات مربوط به خواص انتقال حفره ها در سیلیکان و ژرمانیوم مهم است. این تحلیل بویژه هنگامیکه تبهگنی با در¬نظ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1393

گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی یک محیط، یک اصل اساسی در پاسخ ماکروسکپیک محیط به میدانهای الکترومغناطیسی می باشد. اخیرا دسته دیگری از عناصر با ویژگی خاص اپتیکی ساخته شده اند.این مواد که به مواد مغناطیسی چپگرد(lhm ) معروف شده اند قطعا نقش مهمی را در آینده تکنولوژی بشریت بازی خواهند کرد. به عبارت دیگر مواد چپگرد موادی هستند که خواص الکترومغناطیسی آنها با خواص الکترومغناطیسی مواد موجود در طبیعت...

ژورنال: :شیمی و مهندسی شیمی ایران 0
علی رضا رازقی زاده تهران، دانشگاه پیام نور دانشکده علوم، گروه فیزیک الهام الهی اهواز، دانشگاه پیام نور استان خوزستان، دانشکده علوم، گروه فیزیک وحدت رفیعی تهران، دانشگاه پیام نور، دانشکده علوم، گروه فیزیک

در این پژوهش اثر حساس سازی لایه های نانوساختار 2 tio با استفاده از رنگ دانه های سیانیدن موجود در توت سیاه به روش سل ـ ژل بررسی شده است. برای این منظور ابتدا لایه های نانوساختار 2tio برروی زیرلایه شیشه به روش لایه نشانی غوطه وری سل ـ ژل تهیه شـــده و سپس بــا استفاده از رنگ دانه های سیانیدین موجود در توت سیاه حساس سازی شدند. ساختار بلوری و فازی این لایه ها و ریخت شناسی سطحی آن ها، با استفاده از ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1388

توسعه ی سوئیچ های کاملاً نوری که در آن ها باریکه های خروجی به وسیله ی یک باریکه ی سوئیچ کننده ی ضعیفتر کنترل می شود با اهمیت می باشد. همچنین اگر باریکه های خروجی از باریکه های ورودی قوی تر باشند یک مزیت برای سوئیچ بشمار می رود. زیرا این خصوصیات سوئیچ را دارای قابلیت چیدمان آبشاری می نمایند، یعنی خروجی یک سوئیچ می تواند برای راه اندازی سوئیچ بعدی بکار برده شود. این خصیصه لازمه ی کاربرد سوئیچ در...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود 1389

نظریه تابعی چگالی بستر نظری ارزشمندی را برای مطالعه ی خواص گستره ی وسیعی از مواد با ویژگی های متنوع فراهم آورده است و استفاده از دسته معادلات تک ذره ای کوهن - شم از مهم ترین راهکارهای موجود برای کاربردی کردن این نظریه است. در این پایان نامه، در فصل اول به طور اجمالی در مورد صنایع اسپینترونیک و کاربرد آن مطالبی ارائه گردیده است و سپس در فصل دوم خواص عمومی و فیزیکی مواد مطالعه شده در این کار بررس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1393

از معادلات لانگ- کابایاشی میتوان برای توصیف دینامیک لیزرهای نیمه¬رسانا با کاواک خارجی استفاده کرد. لیزرها اساسا سیستم¬های آشفته¬ی توصیف شده با معادلات دیفرانسیل غیر¬خطی به همراه سه متغیر بوده و انواع غنی از دینامیک¬های آشفته را نشان می¬دهند. در این پایان¬نامه برنا¬مه¬های کاربردی از لیزر نیمه¬رسانای آشوبناک، کنترل و سرکوب سروصدای لیزر بر اساس الگوریتم کنترل آشوب ارائه شده است. در اینجا روش جدیدی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1388

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد - دانشکده فیزیک 1392

با پیشرفت¬های چند دهه اخیر تکنولوژی خلا امکان ایجاد محیط¬هایی با فشار کمتر از ? 10?^(-11) torrفراهم شده است. در چنین شرایطی رشد لایه¬های نانومتری کیفیت نیمرسانا با چگالی ناخالصی زمینه کمتر از ?10?^14 atom?(cm^3 ) میسر شده است و متعاقب آن ساختارهای چند لایه¬ای نا¬متجانس نیمرسانا به کمک روش¬های پیشرفته¬ای مانند رونشانی پرتو مولکولی (mbe) رشد یافته¬اند. ساختارهای algaas/gaas/algaas به دلیل اینکه د...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید