نتایج جستجو برای: مدارات راه انداز

تعداد نتایج: 44515  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1388

با پیشرفت تکنولوژی مدارهایی به نام مدارهای سیگنال مختلط ارائه شده است که شامل بلوک‎های دیجیتال و آنالوگ در کنار هم بر روی یک زیرلایه مشترک طراحی شده است که این کار باعث کاهش هزینه، سایز کوچک و همچنین توان مصرفی کمتر می شود، وکاربردهای بسیار مهمی از جمله در مخابرات و مدارهای rf دارد. اما از کنار هم قرار گرفتن این دو بلوک مخصوصا در کاربردهایی که بلوک دیجیتال سریع و بلوک آنالوگ دارای کارایی بالا ا...

ژورنال: :محاسبات نرم 0
علی اصغر سعادت زاده کاشان، خ امیرکبیر، ک سید جمال الدین اسدآبادی، بن بست انقلاب 4، پلاک 35 حسین کریمیان علی داش کاشان، بلوار قطب راوندی، دانشگاه کاشان، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

اهمیت قابلیت اطمینان مدارها و خصوصاً اثر تششعات کیهانی و اشکالات ناشی از برخورد این ذرات به مدارات، با پیشرفت تکنولوژیِ ساخت مدارهای مجتمع و گذر از ابعاد میکرومتر به نانومتر به صورت چشمگیری افزایش یافته است. در این مقاله یک لچ استاتیک مقاوم در برابر خطای نرمِ ناشی از برخورد ذرات پرانرژی به سطح تراشه، جهت کاربرد در مدارهای با قابلیت اطمینان بالا معرفی می گردد. اساس روش پیشنهادی استفاده از فیدبک های...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده کشاورزی 1391

راه اندازهای ژنی از عوامل ضروری و اصلی در بیان عمومی و اختصاصی ژن ها محسوب می شوند. یکی از مسائل مرتبط با تراریخته سازی غلات جهت تغییر ترکیب پروتئین آندوسپرم و بیان ژن های هترولوگ در آن، دسترسی به راه انداز های قوی و اختصاصی آندوسپرم است. راه انداز زیر واحد با وزن مولکولی پائین گلوتنین گندم به دلیل بیان اختصاصی در آندوسپرم و غنی بودن ذخیره محصول آن در بذر گندم (70 -60 درصد از گلوتنین) که نمایان...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان - دانشکده برق و کامپیوتر 1394

از نقطه نظر فیزیک بهداشت، گاز رادون از جمله خطرناک ترین گازهای موجود در محیط های مسکونی و کاری است و طبق گزارش سازمان بهداشت جهانی، پس از دود سیگار، گاز رادون به عنوان دومین عامل ابتلا به سرطان ریه در جوامع محسوب می گردد. در این مطالعه با استفاده از یک اتاقک یونش اقدام به ساخت دستگاهی با هدف اندازه گیری غلظت گاز رادون محیطی کرده و به ذکر نتایج پرداخته شده است

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1393

این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی و استفاده از تکنولوژی سیلیسیوم روی عایق در آن می پردازد و در این راستا چندین ساختار نوین برای آنها ارایه می شود. با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آن ها در علوم مختلف در ساختارهای ارائه شده سعی بر این است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی را بطور همزمان افزایش دهیم.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده برق و کامپیوتر 1390

میکروسیستم های بیومدیکال قابل کاشت به عنوان یکی از جذاب ترین حوزه های کابردی برای کارشناسان و خصوصا حوزه پزشکی و مهندسی در نظر گرفته شده است.کاشت حلزونی گوش، پروتزهای بینایی، ریزسیستم های ثبت عصبی و سیستم های کاشتنی برای کنترل مثانه نمونه هایی از موارد قابل کاشت بیومدیکال هستند. سیستم های تحریک نخاع نمونه دیگری از ریزسیستم های قابل کاشت هستند که هم برای کاهش درد و هم به عنوان فانکشن های محرک د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1380

امروزه با پیشرفت تکنولوژی ساخت مدارات مجتمع دیجیتال، بشر هر روز موفق به ساخت مداراتی پیچیده تر و سریعتر از قبل می گردد. با بزرگ شدن این مدارات، احتمال بروز خطا در قسمتهای مختلف مدار بیشتر می شود. پروسه پیدا کردن خطاهای این مدارات که به تست مدارات دیجیتال مشهور شده، با وجود مداراتی بسیار بزرگ، ممکن است خیلی وقتگیر باشد. الگوریتم های مربوط به این راه حلها به مدارات در سطح گیت اعمال می شوند و با ت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1394

امروزه استفاده از مبدل¬ها با ولتاژ خروجی پایین و متوسط در تجهیزات قابل حمل، کامپیوترهای با کارایی بالا و سیستم¬های مخابراتی توان بالا در حال افزایش می¬باشد. از این¬رو، بهبود بازده تبدیل و چگالی توان این مبدل¬ها مورد توجه قرار گرفته است. تلفات هدایتی یکسوسازهای متداول در مبدل¬های ولتاژ پایین و متوسط قابل ملاحظه می¬باشد. برای کاهش تلفات هدایتی، یکسوساز همزمان (sr) که یک کلید نیمه¬هادی است، جایگزی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1389

اخیرا تقویت کننده های کلاس-d به علت دارا بودن بازده بالا بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. در این میان مدولاتورهای سیگما-دلتای زمان-گسسته بسیار بیشتر از مدولاتورهای زمان-پیوسته مورد بررسی قرار گرفته اند. منابع ولتاژ تکنولوژی های سی ماس جدید به طور پیوسته در حال کاهش می باشند و این امر سبب به وجود آمدن محدودیت های مهمی در عملکرد مدولاتورهای سیگما-دلتای زمان-گسسته شده است. مشخصه های پارازیتی سوئیچ ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید