در این مقاله یک مبدل بوست-فلای بک با بهره بالا و کلید زنی نرم پیشنهاد شده است. کاربرد اصلی این مبدل در اتصال آرایه های خورشیدی به شبکه برای تولید برق می باشد. از آنجایی که در این کاربردها اختلاف سطح ولتاژ ورودی وخروجی مبدل زیاد است، نمی‏توان از مبدل‏های بوست و باک-بوست پایه استفاده کرد، زیرا این مبدل ها در ضریب وظیفه‏های نزدیک به یک دچار افت شدیدی در بازده می‏شوند. از این رو یک مبدل بهره بالای ...

در این پایان نامه روشی برای انتقال ِ بدون سیم ِ توان الکترومغناطیسی در فواصل متوسط مورد بررسی قرار می گیرد ( منظور از فاصله ی متوسط فاصله ی انتقالی ست که از طول مشخصه ی دستگاهها بزرگتر باشد ). این روش بر پایه ی جفت شدگی ِ غیرتابشی ِ تشدیدی استوار است. بنابراین اولاً نیاز داریم که چارچوبی برای تحلیل سیستم هایی که به صورت تشدیدی جفت می شوند داشته باشیم و دوماً لازم است که مُدهای غیرتابشی ( محو شونده ) ر...

در این مقاله یک مدل ریاضی برای مبدل رزونانسی مرتبه چهار lclc با فیلتر خازنی در حالت ماندگار ارائه می شود. به دلیل غیرخطی بودن فیلتر خروجی این مبدل، روشهای معمول مدل سازی مبدل های روزنانسی نمی توانند رفتار این مبدل را مدل سازی کنند. در این مقاله یک مدل ریاضی ارائه می شود که می تواند عدم وجود سلف در فیلتر خروجی را اصلاح کند و عملکرد مبدل را برای یک گستره وسیع از تغییرات بار پیش بینی نماید. یک مبد...

در این مقاله یک مبدل ترکیبی بوست- سپیک با کلیدزنی نرم برای کاربردهایی که به بهره ولتاژ بالا نیاز دارند، ارائه شده است. یکی از ویژگی‌های اصلی در این مبدل روشن شدن سوئیچ اصلی تحت شرایط ZCS می‌باشد. این کار بدون بهره‌گیری از سوئیچ کمکی و مدارات اضافی انجام می‌شود. در این مبدل جهت افزایش بهره ولتاژ، خروجی مبدل سپیک با خروجی مبدل بوست سری شده که تشکیل یک مبدل ترکیبی را می‌دهند. علاوه بر این از یک سل...

حالت های پیوند ظرفیت تشدیدی کاندیداهای مناسبی برای حالت پایه مدل هایزنبرگ در شبکه های مختلف دوبعدی می باشند. اگر یکی از این پیوندها را بشکنیم و حالت اسپین یکتایی اش را به سه تایی تبدیل کنیم، حالت برانگیخته موسوم به تریپلون به دست می آید. در این مقاله روابط هم پوشانی بین هر دو حالت rvb و همچنین اثر si.sj روی حالت های rvb که دارای تعداد تریپلون دلخواه هستند را به دست می آوریم. این روابط کلی می با...

در این مقاله مبتنی بر روش تابع گرین در رهیافت تنگابست، ترابرد الکترونی یک نانو نوار گرافنی شامل یک نقص پیوندی و همچنین یک نانو سیم پلی استیلنی شامل یک پیوند اضافی، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که رسانش الکترونی نسبت به تغییر مکان نقص پیوندی در موارد تشدیدی و غیر تشدیدی، رفتاری متفاوتی از خود نشان می دهد. تنها در مواردی که پیوندهای دوگانه داریم، با تغییر مکان پیوند مقدار رسانش در...

با استفاده از یک روش غیراختلالی که بر پایه متوسط گیری کوانتومی و یک نوع مناسب از تبدیلات تشدیدی بنا نهاده شده است, تشدیدهای سیستم یک اتم دو ترازی در حال اندرکنش با یک میدان کلاسیکی تک مد را بررسی می کنیم. هامیلتونیهای موثر این سیستم را در دو رژیم جفت شدگی ضعیف و قوی به دست می آوریم و نشان می دهیم که نتایج به دست آمده در رژیم جفت شدگی قوی, در حالت تشدید تک فوتونی میدان - صفر, برای تمام گستره ضری...

در این مقاله یک مبدل افزاینده سوئیچینگ، فلای بک جدید ارائه گردیده است. در ابتدا مبدل به صورت سخت کلید زنی می‌شود که در این حالت به صورت کامل تحلیل شده است. سپس مدار کمکی جهت نرم کردن کلیدزنی کلید اصلی آن به مبدل اضافه شده است که مدار کمکی در این مبدل نه تنها شرایط سوئیچینگ نرم را برای کلید اصلی مبدل فراهم می‌سازد بلکه از جهش‌های ولتاژ دو سر کلید اصلی در هنگام خاموش شدن در اثر سلف نشتی ترانسفورم...

در مراحل اولیه پروژه¬های طراحی از پایه شبکه مبدل¬های گرمایی، تخمین قیمت مبدل¬های گرمایی جهت طراحی بهینه شبکه با استفاده از فناوری پینچ بسیار حائز اهمیت است. همچنین پیش¬بینی قیمت خالص یک مبدل¬گرمایی با استفاده از روابط برآورد هزینه، امری کارآمد و مفید است. در این پژوهش، روابط برآورد قیمت خالص مبدل¬های گرمایی و شبکه مبدل¬های گرمایی برای مبدل¬های گرمایی لوله و پوسته و مبدل¬های گرمایی قاب و صفحه به...

در این مقاله یک مبدل افزاینده سوئیچینگ، فلای بک جدید ارائه گردیده است. در ابتدا مبدل به صورت سخت کلید زنی می‌شود که در این حالت به صورت کامل تحلیل شده است. سپس مدار کمکی جهت نرم کردن کلیدزنی کلید اصلی آن به مبدل اضافه شده است که مدار کمکی در این مبدل نه تنها شرایط سوئیچینگ نرم را برای کلید اصلی مبدل فراهم می‌سازد بلکه از جهش‌های ولتاژ دو سر کلید اصلی در هنگام خاموش شدن در اثر سلف نشتی ترانسفورم...