هنگامیکه یک جبهه موج تخت، تکفام و شبه همدوس بر پله ای بتابد؛ به دلیل تغییرات ناگهانی دامنه و فاز در مرز پله، نور بازتابیده پراشیده می­شود و فریزهایی تشکیل می­گردد که به کمک انتگرال فرنل- کیرشهف قابل توصیف می­باشد. اخیرا این نوع پراش کاربردهای متعددی پیدا کرده است، از جمله در اندازه گیری ضخامت لایه های نازک با دقت چندنانومتر، محاسبه ضریب شکست مایعات و جامدات با دقت بالا، تعیین پاشندگی مواد، اندا...

در این پژوهش لایه های نازک رسانا و شفاف fto را به روش اسپری بر روی زیرلایه های شیشه لایه نشانی کرده ایم. تاثیر حجم محلول (ضخامت لایه ها) و نسبت آلایش f را بر خواص الکتریکی و اپتیکی لایه ها مورد بررسی قرار گرفت. مورفولوژی نانوساختارها و نحوه رشد آنها را توسط تصاویر sem مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. طیف عبور اپتیکی توسط دستگاه طیف سنج optics ocean و مقاومت سطحی لایه ها بر حسب حجم محلول (ضخامت لای...

روش های الکترومغناطیسی، روش های ژئوفیزیکی قدرتمند و متداولی هستند که می توان آنها را در توصیف رسانایی الکتریکی مواد زمین به کار گرفت. داده های مگنتوتلوریک و رادیومگنتوتلوریک در سال 2000 در یک سایت در جزیره میدسومار، غرب استکلهم در کشور سوئد جمع آوری گردیده اند. این تحقیق تحت پوشش طرح انرژی بیرکا برای به نقشه د رآوردن ساختارهای زیرسطحی عمق به روش های ژئوفیزیکی و حفاری چاه صورت گرفته است. این تحق...

فرضیه: امروزه استفاده از داربست‌ها در مهندسی بافت برای ترمیم و بازسازی انواع ضایعات بدن از جمله ضایعات عصبی بسیار مورد توجه قرار گرفته است. همچنین، استفاده از داربست‌های نانولیفی به دلیل تشابه ساختاری با ماتریس خارج سلولی بدن، بستر مناسبی برای رشد سلول‌هاست. بر این اساس، محور پژوهش حاضر بر پایه تولید داربست‌های نانولیفی رسانا برای کشت سلول‌های عصبی و اعمال تحریک الکتریکی بر آن‌هاست. روش‌ها: از ...

فرضیه‌: ایجاد تخلخل در لایه حساس کامپوزیت پلیمری رسانا موجب بهبود متغیرهای عملکردی حسگر شناسایی گاز تهیه‌شده می‌شود.روش‌ها: در این پژوهش، از کامپوزیت متخلخل پلی(وینیل‌الکل)-نانولوله کربن به‌عنوان لایه حساس برای شناسایی متانول، اتانول و آب (به‌عنوان زیست‌شناساگرهای سرطان ریه) استفاده شد. تخلخل در ماتریس پلیمری با روش جدایی فاز القایی با بخار ایجاد شد. محلو...

هدف اصلی در این پایان نامه، تحلیل پاسخ نوری ابرشبکه ی متشکل از لایه های نارسانا و نیم رسانا در نزدیکی بسامد گذار نیم رسانا است. در این ناحیه از طیف، پاسخ نوری نیم رسانا به علت تشکیل زوج مقید الکترون- حفره (اکسایتون) غیر موضعی است که عرصه ی قابل توجهی در نورشناخت جامدات می باشد[8]. پاسخ نوری غیرموضعی عامل پاشندگی فضایی برانگیختگی های نیم رسانا است و از این جهت مدهای اکسایتون- پلاریتون (سطحی و حج...