در پراکندگی القایی بریلوئن تاثیر طول عمر فونون و ضریب بریلوئن محیط روی توان لازم برای تقویت سیگنال استوکس مورد بررسی قرار گرفته است..با استفاده از پارامترهای چهار محیط ccl4،gecl4،cs2 واستن ، شکل موج استوکس برای مقادیر مختلف توان دمش شبیه سازی شده است. اندازه میدان استوکس در محیط های متفاوت با تغییر ضریب بهره و نیز با تغییر طول عمر فونون بررسی میشود.تغییرات پرتو استوکس در طول محیط نیز با توجه به...

به وسیله ی نظریه تابعی چگالی اختلالی، پاشندگی فونونی، چگالی حالت های فونونی، ظرفیت گرمایی ویژه و خواص مکانیکی نانولوله های کربنی تک دیواره باریک (دسته صندلی و زیگزاگ) با استفاده از شبه پتانسیل فوق نرم محاسبه شده است. در تحقیق حاضر برای محاسبه ی اثر ناخالصی، یک اتم کبالت در مرکز یک یاخته بسیط نانولوله ی کربنی (0و5)، در نظر گرفته می شود.

در این پایان نامه شیشه ها و شیشه سرامیک های اکسی هالیدی (دارای فونون کم انرژی) آلاییده به یون های لانتانیدی ho3+،nd3+وyb3+ ساخته شده و خواص نوری آن ها بررسی شده است . برای ایجاد نمونه ها ترکیبات متفاوتی به کار گرفته شده است. برای تولید مذاب از کوره ی الکتریکی استفاده شده است و تمامی مراحل در اتمسفر هوا انجام شده است . شیشه ها در نتیجه ی بازپخت به شیشه سرامیک تبدیل شده و برخی از خواص آن ها بررسی...

مطالعه رسانایی الکتریکی در سامانه های مزوسکوپیک یکی از اساسی ترین مسایل در فیزیک نانو ساختار است. در سال های اخیر، علاقه روزافزونی در مورد رسانش الکتریکی در نقطه‏های کوانتومی، سیم‏های کوانتومی و سیم‏های مولکولی وجود داشته است. رسانش الکترونیک یک موضوع نسبتا داغ است تا آنجا که هم از نظر کاربردهای فنی و هم از نظر فهم مفاهم فیزیکی بنیادی که در ارتباط با آن ها ظاهر می شود، جالب توجه و مورد علاقه ی ...

  We explore the important role of the strong electron-phonon interaction in high temperature superconductivity through the study of the results of some important experiments, such as inelastic neutron and X-ray scattering, angle resolved photoemission spectroscopy, and isotope effects. We also present our computational results of the eigenvalues and eigenvectors of the Ag Raman modes, and the ...

با پیشرفت روزافزون علم نانو، بررسی خواص فونونی و گرمایی سامانه هایی در ابعاد نانو از اهمیت بسیاری برخوردار است. در این پایان نامه به بررسی ضریب عبور فونونی و رسانندگی گرمایی زنجیره های جرم-فنر شامل ناخالصی ها با در نظر گرفتن اثر نیروی خطی و غیر خطیبا استفاده از روش ماتریس انتقال می پردازیم. دیده می شود که با افزایش جرم ناخالصی ها و هم چنین افزایش قدرت فنر های بین آن ها ضریب عبور فونونی و در نتی...

در این پایان نامه در ابتدا ترابرد فونونی یک نانو ساختار شبه یک بعدی جرم - فنر متصل به دو هادی فونونی ساده در حضور برهمکنش های بلند برد کولنی بین تمام یون ها مورد بررسی قرار گرفتهاست. محاسبات در تقریب هماهنگ و با استفاده از روش تابع گرین انجام شدهاست. نتایج نشان می دهد که با افزایشقدرت نیروی کولنی بین یون ها، ضریب عبور فونونی در بسامد هایفونونی پایین کاهش می یاید. همچنین در حضور نیروی اتلافی ونی...

در این پایان نامه، با استفاده از مدل نوسانگر وابسته؛ تابع دی الکتریک نیمه هادیهای گروه iii-iv مطالعه و بررسی شده است و با بهره گیری از این مدل طیف انعکاسی نظری نیمه هادی-های گروه فوق رسم و اثر پارامترهای اپتیکی مختلف در این مدل بررسی گردیده است. جهت بررسی کارایی این مدل، طیف فروسرخ دور تجربی نمونه هایی از نیمه هادی های گروه iii-iv (از قبیل gaas، gap و gasb) با طیف نظری برازش شده سپس پارامترهای ...