جریان جوزفسون ناشی از تونل زنی جفت الکترونهای کوپر از میان لایه ای است که بین دو اتصال ابررسانا قرار دارد، لایه اتصال می تواند فلز نرمال، عایق و یا فرومغناطیس باشد و اتصال جوزفسون مبنای خیلی از وسایل کاربردی مانند اسکوییدها می باشد. معروفترین کاربرد اسکوئیدها به عنوان مغناطیس سنجها با حساسیت بالاست که می توانند تغییرات میدان مغناطیسی تا مرتبه g10-10 را نشان دهند. در پایان نامه حاضر، جریان جوزفس...

گرافن به دلیل تحرک ترابرد بالا و قابلیت استفاده در دمای اتاق کاندیدای خوبی در مقایسه با دیگر نیمرساناهای متداول در تکنولوژیهای جدید فوتوولتائیک است. سلول های خورشیدی نیم رسانا بطور وسیعی برای تولید جریان نوری مورد استفاده قرار می گیرد. ولی بخاطر هزینه ی بالا و بی اثر بودن جذب نور نزدیک گاف باندی و پایین بودن راندمان تدریجا جای خود را به ساختارهای گرافنی می دهد. لذا در پژوهش حاضر یک ساختارچاه ک...

در این پایان نامه به بررسی ترابرد اسپینی در اتصالات ng/fg/ng پرداخته ایم. نتایج بدست آمده حاکی از آن است که به دلیل وجود یک درگاه فرومغناطیس euo که یک میدان تبادلی با قدرت 5mev دارد، جریان اسپینی در قطعه طراحی شده به وجود می آید. این جریان اسپینی یک رفتار نوسانی با تغییر پارامتر های فیزیکی قطعه از خود نشان می دهد. جدا شدگی اسپینی در گرافین نوید بخش استفاده از این ماده در صنعت اسپینترونیک است.

در این پایان نامه ترابرد همدوس وابسته به اسپین در نوار گرافینی دو لایه با لبه زیگزاگ به صورت عددی بررسی شده است. برای یافتن احتمال عبور وابسته به اسپین الکترون از روش تابع گرین استفاده کرده ایم. و علاوه براین برای محاسبه طیف انرزی نانو ریبون گرافین دو لایه با لبه زیگزاگ از روش بستگی قوی و در چارچوب تقریب همسایه اول انجام یافته است. ‎‎‎ ‎ ‎‎‎ ‎در بخش اول ترابرد همدوس وابسته به اسپین از نوا...

در این تحقیق سعی شده ، نظریه مدل استاندارد را در چهارچوب هندسه ناجابجایی بیان کرده و ذره هیگز را به عنوان یک میدان پیمانه ای در راستای بعد گسسته فضا، بدست آوریم . بعبارتی هندسه ناجابجایی تصویری هندسی برای وحدت بین میدانهای پیمانه ای و میدان هیگز پیشنهاد می دهد. همچنین کنش جامع آلن کن و شمس الدین که وحدت بین مدل استاندارد و گرانش انیشتین و گرانش و ایل را پیشنهاد می کند معرفی می کنیم. این کنش بر ...

گرافین یک لایه تک اتمی از اتم های کربن می باشد که ساختار شبکه ای آن به صورت لانه زنبوری است و در حالت عادی دارای طیف انرژی بدون گاف می باشد. اما می توان با شکستن تقارن بین زیر شبکه های a و b در گرافین، در طیف انرژی آن گاف ایجاد کرد و همین امر باعث متفاوت شدن چگالی احتمال حضور فرمیون های دیراک در زیر شبکه های a و b شده و موجب بوجود آمدن یک قطبش شبه اسپینی غیر صفر در گرافین می شود. اگر گافی که در...

عصر جدید برای گرافین در سال 200? با تولید صفحه های گرافین به صورت تجربی آغاز شد. خبر تولید گرافین هیجان زیادی در دنیای فیزیک به وجود آورده و پس از مشاهده خواص منحصربه فرد آن در آزمایشگاه گام بلندی برداشته شد. گرافین از نقطه نظر کاربردی و بنیادی، به عنوان ماده اولیه وسایل نانوالکتریکی و خواص الکترونی برجسته اش جالب توجه است. طیف الکترونی گرافین در انرژی های پایین و حول نقاط دیراک، جایی که نوار ر...

تک قطبی مغناطیسی، ذره ای شبیه به الکترون است، با این تفاوت که بار مغناطیسی آن بسیار بیشتر از بار الکتریکی است. در سال 1931 دیراک وجود ذراتی را پیشنهاد کرد که به طور ذاتی تولید میدان مغناطیسی می کنند از این رو نام آنها را تک قطبی مغناطیسی گذاشت. هر چند قبل از وی نیز، بحث هایی در زمینه تک قطبی مغناطیسی به طور پراکنده مطرح بود. از جمله، پوانکاره در سال 1896 حرکت یک بار الکتریکی را در میدان یک سیم ...

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...