در این مقاله تابع امپدانس یک پی دایره ای صلب تحت بار قائم هارمونیک و روی یک محیط همسان جانبی در حوزه فرکانسی بدست آمده و مقدار آن با تابع امپدانس مربوط به محیط همسان مقایسه شده است . برای بدست آوردن تابع امپدانس،توزیع تنش زیر پی با یک سری توابع تقریب زده شده است که نشان داده میشود که از دقت بالایی برخوردار است . از نمونه های ارائه شده معلوم میشود که ناهمسانی اثر قابل توجهی بر تابع امپدانس دینام...

راه مستقیم دستیابی به خواص پتروفیزیکی در بررسی مخازن هیدروکربنی، حفر چاه است و از آن جا که این عمل هزینه زیادی را در بر دارد، همواره تلاش بر استخراج این خواص از ردهای لرزه‌ای می باشد. بدین منظور، روش های متعددی ابداع شده‌اندکه هر یک مزایا و معایب خاص خود را دارند. از میان این روش‌ها، برگردان لرزه‌ای، یکی از ابزارهای بسیار مناسب جهت توصیف لرزه‌ای مخزن قلمداد می‌شود. برگردان لرزه‌ای رد لرزه‌ای را...

شمارش کلی بار میکروبی نمونه های شیر به روش کشت سطحی و مطابقت نتایج حاصل با استانداردهای موجود از جمله کارهای آزمایشگاهی معمول در تمامی کارخانجات صنایع شیراست. از سوی دیگر سرعت دستیابی به نتایج در اسرع وقت از جمله نکات ویژه و مدنظر کارخانجات به منظور اطمینان از کیفیت محصول تولیدی و در حال توزیع می باشد. لذا با تکیه بر این موضوع، بهره گیری از تکنیک امپدانس به عنوان روشی جدید در ارزیابی بار میکروب...

 مقدمه و هدف: بستنی پاستوریزه بر اساس استاندارد می یابد عاری از هر گونه میکروب پاتوژن از جمله کلی فرم و اشریشیاکلی باشد ولی نظر به آنکه مواردی از کشت بستنی های پاستوریزه عرضه شده نیز حاکی از آلودگی کلی فرمی بوده اند، انجام طرح حاضر به منظور بررسی وضعیت بستنی های پاستوریزه مصرفی شهر اهواز از نظر آلودگی به کلی فرم و اشریشیاکلی مد نظر واقع شد. در این فرضیه به جای استفاده از روش های موسوم و وق...

در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه می‌شود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

در این مقاله یک مدل گذرا برای آند پیل¬های سوختی اکسید جامد ارائه شده است که علاوه بر عملکرد پایا و رفتار گذرای آنها، طیف امپدانس الکتروشیمیایی را نیز شبیه سازی می¬کند. مدل ارائه شده انتقال جرم را با فرآیند الکتروشیمیایی کوپل می¬کند. از معادلات بقای ناویر- استوکس و بقای اجزاء به صورت یک بعدی برای مدلسازی انتقال گاز در کانال آند استفاده شده و برای مدلسازی فرآیند الکتروشیمیایی از معادله خطی استفاد...