نتایج جستجو برای: حداکثر آنتروپی ge
تعداد نتایج: 46542 فیلتر نتایج به سال:
locus of control is said to affect learners' academic achievement. this effect has scarcely been examined within general english context. this study is concerned with examining the differences in general english (ge) course achievement among university students of humanities, sciences, and engineering. it also explores the effect of locus of control (loc) in ge course achievement among these th...
در این تحقیق قابلیت تئوری آنتروپی و آزمون گاما برای تعیین ورودی مدلهای شبکۀ عصبی مصنوعی و ماشین بردار پشتیبان به منظور تخمین تبخیر ایستگاههای سینوپتیک رشت، آستارا و بندر انزلی در استان گیلان بررسی شده است. با توجه به نتایج پژوهش، برای ایستگاههای سینوپتیک رشت، آستارا و انزلی، تئوری آنتروپی وجود همۀ متغیرها را در مدلسازی مؤثر تشخیص داده است. آزمون گاما برای ایستگاه رشت دو متغیر رطوبت حداکثر و...
The notion of a belligerent GE-filter in GE-algebra is introduced, and the relationships between will be given. Conditions for to are provided. product union GE-algebras discussed its properties investigated.
مفهوم اطلاعات در سیر توسعة خود با مفهوم آنتروپی که محققان ترمودینامیک در قرن نوزدهم ابداع کرده اند پیوند یافته است و از این منظر، اطلاعات عبارت از نظم یا نگانتروپی است. از سوی دیگر، آنتروپی با مفاهیمی همچون هیاهو و اختلال که مولد بی نظمی است نیز همبسته است. در این مقاله، به هر یک از مفاهیم مورد اشاره شده است و رابطة آنها در بستری متفاوت مورد بررسی قرار گرفته است.
Herein, we report the formation of multisegment Si-Ge axial heterostructure nanowires in a wet chemical synthetic approach. These nanowires are grown by the liquid injection of the respective silicon and germanium precursors into the vapor phase of an organic solvent in which a tin-coated stainless steel substrate is placed. The Si-Ge transition is obtained by sequential injection with the more...
A detailed Raman characterization of the structural properties of as-grown and annealed self-assembled Si/Ge dot multilayers is reported in this paper. Several new modes in as-grown or annealed Si/Ge dots and a frequency splitting of 4.2 cm between the longitudinal ~LO! and transversal optical ~TO! Ge-Ge modes in as-grown Si/Ge dots are observed in Raman spectra. An average Ge content of 0.8 an...
To explore spintronics applications for Ge nanowire heterostructures formed by thermal annealing, it is critical to develop a ferromagnetic germanide with high Curie temperature and take advantage of the high-quality interface between Ge and the formed ferromagnetic germanide. In this work, we report, for the first time, the formation and characterization of Mn(5)Ge(3)/Ge/Mn(5)Ge(3) nanowire tr...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید