در این مقاله رفتار میکرو شتاب سنج خازنی شانه جانبی شامل اغتشاش سیستم، حساسیت و مدت زمان پاسخ دهی مدلسازی و بهینه سازی شده است. همچنین رفتار دینامیکی سیستم برای توابع ورودی شتاب شامل تابع ثابت، ضربه و پله شبیه سازی شده است. برای این منظور، ابتدا رفتار سیستم با استفاده از تابع ورودی ثابت شبیه سازی و نتایج حاصل با نتایج تجربی دیگر تحقیقات مقایسه و تأئید شده است. در ادامه، با مینیمم سازی اغتشاش کلی...

مقدمه و هدف: میکروب زدایی سطوح موضوع مهمی در حوزه های مختلف مثل پزشکی و صنعت غذایی می باشد. روش های سنتی میکروب زدایی دارای اثرات گرمایی و اثرات جانبی مضری مثل تولید پسماند های شیمیایی سمی می باشند. استفاده از پلاسمای سرد برای میکروب زدایی روشی است که اخیرا مورد توجه قرار گرفته است. پارامترهای مختلفی که در تولید پلاسمای سرد تاثیر دارند می توانند میزان اثر گذاری این روش در میکروب زدایی را تغییر ...

دراین پایان نامه، تکنیک مدولاسیون جدیدی برای انتقال بی سیم همزمان داده و توان در بردکوتاه ‏ به ‏ریزسیستم های قابل کاشت در بدن ‏ به نام مدولاسیون حکاکی دامنه ‏amplitude-engraving ‎modulation (aem)‎‏ که از روش رمزگذاری قطبیت پالس ‏pulse-polarity encoding (ppe)‎‏ استفاده ‏می کند، معرفی شده است. از این روش مدولاسیون، برای انتقال همزمان توان و داده با نرخ بالا از طریق ‏لینک خازنی به عنوان یک لینک بی...

اندازه­گیری دبی جرمی با استفاده از حسگرهای خازنی به عنوان روش ارزان و سریع توسعه یافته است. اما پیش­بینی دبی جرمی به علت وابستگی پاسخ حسگر به عوامل مختلف و پیچیدگی اثر این عوامل دشوار است؛ لذا در این مطالعه پتانسیل شبکه عصبی مصنوعی (ANN)، سیستم استنتاج فازی (ANFIS)  و تکنیک‌های رگرسیون چندگانه (MR)  برای پیش‌بینی دبی جرمی شلتوک با استفاده از سنسور خازنی مورد بررسی قرار گرفت. بسامد، رطوبت و ولتا...

به طورکلی در طراحی منابع تغذیه پالسی ولتاژ شارژ بانک‌های خازنی و زمان سوئیچ شدن آنها از جمله پارامترهایی هستند که نقش اساسی در شکل و دامنه پالس خروجی ایفا می‌کنند. در این مقاله روشی جدید جهت طراحی منبع تغذیه پالسی پیشنهاد شده است. در این روش با استفاده از الگوریتم ژنتیک تحت محیط نرم‌افزار MATLAB مجموعه‌ای از مقادیر ولتاژهای شارژ بانک‌های خازنی و زمان سوئیچ شدن آنها، برای بهینه سازی چند هدفی منب...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

در این پژوهش، جاذب های صفحه ای غیرمغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته اند. به کمک روش خط انتقال، مدار معادل و نمودار اسمیت دو جاذب پهن باند در باند های c و x به وسیله ساختارهای متناوب طراحی و تحلیل شده اند. جاذب اول در باند c در مقایسه با صفحه سلیزبری به ازای افزایش 2 میلیمتری در ضخامت، پهنای باند db20- را از 25.3 درصد به 66.7 درصد بهبود می دهد. در طراحی جاذب دوم در باند x، با معرفی یک سلول واحد جدی...

چکیده ندارد.

بوشینگ های خازنی یکی از اجزاء کلیدی ترانسفورماتورهای قدرت هستند که علی رغم جزئی بودن قیمت آنها در برابر قیمت کل ترانسفورماتور، کیفیت آنها تأثیر عمده ای بر کارکرد و قابلیت اطمینان ترانسفورماتور دارد. در بوشینگ های خازنی ولتاژ بالا، تجمع ولتاژ و شدت میدان الکتریکی بر روی چترک های مقره، بسیار بالا است? این تجمع در قسمت فلزی فلنج نیز مشاهده می گردد. مقدار قرار دادن عایق های چند گانه بین الکترودها ی...