چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

برای بررسی تأثیر نیتروژن و سیلیسیم در شرایط شور برخی ویژگی‌های فیزیولوژیک دانهال‎های پسته (.Pistacia vera L) رقم بادامی ریز زرند، یک آزمایش فاکتوریل در قالب طرح کاملاً تصادفی با سه تکرار در شرایط گلخانه‌ای انجام شد. تیمارها شامل نیتروژن (0، 60 و 120 میلی‌گرم نیتروژن در کیلوگرم خاک از منبع نیترات آمونیم)، سیلیسیم (0، 1 و 2 میلی‌مولار از منبع اسید سیلیسیک) و شوری (0، 1500 و 3000 میلی‌گرم کلرید سدی...

in this work, the radial distribution function (rdf) of h2 adsorption on coronene (c24) and its si substituted forms was investigated by monte carlo method. the effect of number and position of silicon substituent on the coronene (c24) was compared. the maximum value of rdf at 298 k and 0.1 mpa is 4.34 for 18 si, a structure at 0.73 å. on the basis of results, the coronene with 18 si can be sug...

در این مقاله، ترابرد ذرات مانند فرمیون های دیراک روی سطح یک عایق توپولوژیک در عبور از میدان الکتریکی خارجی و میدان مغناطیسی ناشی از حضور یک لایه فرومغناطیس بررسی شده است. در ابتدا مروری بر ویژگی های عایق توپولوژیک داشته و سپس با استفاده از معادلات دیراک هامیلتونی الکترون‌های عبوری از روی سطح را می‌نویسیم. با استفاده از تبدیلات لورنتس هامیلتونی مورد نظر را حل کرده و ویژه انرژی ها یا ویژه مقادیر ...

در این مقاله روشی جدید برای بهبود اثرات کانال کوتاه بدون پیچیدگی در فرآیند ساخت افزاره‌های سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه شده است. فکر اساسی در این مقاله تحقق اکسید U شکل با استفاده از ماده Si3N4 در داخل اکسید مدفون و ناحیه کانال است. مسیر میدان الکتریکی جانبی از سمت درین و سورس پس از برخورد به اکسید تعبیه شده منحرف شده و مقدار کمتری از خطوط میدان الکتریکی توانایی کافی برای عبور از اکسید ...

وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

قرار دادن عایق در ساختارهای ساختمانی باعث کاهش بارهای سرمایش و گرمایش می شود. علاوه بر ضخامت عایق، محل قرارگیری عایق نیز در ساختارهای ساختمانی مهم می باشد. قرارگیری عایق در داخل یا خارج یک ساختار از نظر میزان کاهش در بارهای ساختمان اثرات متفاوتی دارد . در این تحقیق 5 سانتیمتر عایق ( به صورت یک تکه کامل یا به صورت 2 تکه 5/2 سانتیمتری ) در نقاط مختلف دیوارها و سقف های بتنی (به ضخامت 20 سانتیمتر) ...

صنایع نفت و گاز به دلیل پدیده خوردگی در سیستم های مکانیکی خود، متحمل هزینه های زیادی می شوند. یافتن روش هایی برای تعیین زمان خوردگی، می تواند در سه بعد اقتصادی، ایمنی و کاهش ضایعات تأثیرگذار باشد. در این تحقیق روش آزمون جریان گردابی گذرا به عنوان یک روش آزمایش غیر مخرب خوردگی لوله های گاز غیر مدفون پیشنهاد شده و قابلیت های این روش در تعیین و تشخیص خوردگی در لوله های گاز، بدون نیاز به جدا کردن ع...

در این مقاله نحوه باز توزیع ناخالصی آرسنیک و تاثیر آن را بر روی سرعت رشد اکسید سیلیسیم که به روش اکسیداسیون گرمایی )در دمای 900c° و با استفاده از بخار آب( رشد داده شده است بررسی می کنیم. ناخالصی آرسنیک به وسیله کشت یونی با انرژی 100kev در نمونه سیلیسیم با جهت بلوری (100) کاشته شده و اثر ناخالصی آرسنیک با غلظتهای 2×1016as+/cm2و 5×1016as+/cm2بر سرعت رشد اکسید سیلیسیم به وسیله اندازه گیری ضخامت اک...

در مطالعه حاضر، ورق­های آلیاژ آلومینیم 5083 به وسیله روش ترکیبی جوشکاری- لحیم­کاری با به کار بردن پرکننده‌های سیمی­ 4043 و 4047 به ورق­های فولاد گالوانیزه متصل شدند. اندازه حرارت ورودی جوش و نوع فلز پر­کننده روی خواص ریز ساختاری و مکانیکی اتصال حاصل شده موثر­اند. نتایج بدست آمده از مشاهده­‌های ریز­ساختاری نشان داد که در حرارت ورودی مشابه، ضخامت لایه ترکیب بین فلزی ترد برای اتصال ایجاد شده با فل...