در این پژوهش سنتز نانوذرات هگزا فریت باریم نوع M دوپ شده با کاتیون‌های Mg2+، Zn2+ و Ti4+ در فرآیند فعال‌سازی مکانیکی انجام شد. سه نسبت Fe/Ba به ترتیب 10، 11 و 12 با عملیات حرارتی در دمای °C 900 مورد بررسی قرار داده شد. در نسبت‌های Fe/Ba، 10 و 12 فاز آهن به عنوان فاز میانی مشاهده شد در ادامه در نسبت 11 به عنوان نسبت بهینه برای سنتز ترکیب هگزا فریت باریم تک فاز شناخته شد. ترکیب هگزا فریت باریم سن...

در میان نانوسیم‏های مغناطیسی که تاکنون ساخته شده، نانوسیم‏های کبالت به علت ناهمسانگردی مغناطو بلوری تک محور زیاد به هنگام رشد در ساختار hcp که عامل اصلی تغییر در میکروساختار این نانوسیم‏ها می باشد، مورد توجه بسیاری از محققین واقع شده است. با توجه به اینکه رفتار لایه‏ی سدی نقش کلیدی در فرآیند الکترونهشت دارد، در این پروژه برای اولین بار با تغییر دمای لایه‏ی سدی فرآیند الکترونهشت تحت تأثیر قرار ...

فریت استرانسیم با ساختار مگنتوپلامبیت (ساختارهای هگزاگونال نوع m)، از جمله اکسیدهای فری مغناطیس سخت به شمار می آید که به دلایل مختلف از جمله پسماند مغناطیسی بالا، ناهمسانگردی محوری زیاد، میدان وادارندگی بزرگ، دمای کوری بالا، پایداری شیمیایی و مقاومت خوردگی بسیار عالی و همچنین خواص جذب مایکروویو خوب، یک گزینه مناسب برای استفاده های مختلف از جمله ساخت آهنرباهای دائم، موتورهای الکتریکی dc، محیط ها...

در سال های اخیر توجه به نانوذرات مغناطیسی به دلیل پتانسیلشان برای کاربرد در حافظه های مغناطیس با حجم بالا و پزشکی افزایش یافته است. بیشتر کاربردها به پایداری مغناطیسی با زمان وابسته است. در هر حال، با کاهش اندازه نانوذرات انرژی ناهمسانگردی هر ذره که ممان مغناطیسی را در جهت خاصی نگه می دارد، با انرژی گرمایی قابل قیاس می شود. وقتی این اتفاق رخ دهد ممان مغناطیسی شروع به نوسان در جهت های تصادفی با ...

در این تحقیق در ابتدا سعی شد نانوسیم های آلیاژی آهن و مس به روش الکتروانباشت پالسی مستقیم در داخل نانوحفره های آلومینای حفره دار که به روش آندایز دو مرحله ای ساخته شده بود رشد داده شود. برای انجام نهشت به روش مستقیم، لایه سدی آلومینای حفره دار در یک آندایز غیر تعادلی براساس یک تابع نمایی تا 2 ولت نازک گردید و سپس الکترونهشت پالسی مستقیم در اسیدیته 5/2 و زمان های خاموشی 0، 10، 20 میلی ثانیه به ا...

با توجه به قابلیت کاربرد نانوسیم ها در محیط های ثبت مغناطیسی چگالی بالا و gmr و با توجه اینکه اضافه کردن یک ماده غیر مغناطیسی به ماده مغناطیسی می تواند روش خوبی در کاهش برهمکنش های مغناطواستاتیک باشد تصمیم به ساخت نانوسیم های fezn گرفتیم. ساخت نانوسیم ها در دو مرحله انجام شد. در مرحله اول قالب آلومینا توسط آندیزاسیون دو مرحله ای ساخته شد و سپس یون های fe و zn با روش الکترونهشت پالسی ac در نانو...

در این پژوهش ابتدا پودرهای مغناطیسی Ba(Mg,Ti)xFe12-2xO19 و Ba(Zn,Cu)xFe12-2xO19 با مقدار 5/0=x با استفاده از فرایند آلیاژسازی مکانیکی در یک آسیاب پر انرژی تهیه شد. در ادامه یک نمونه پودری به صورت خالص و دو نمونه پودر دوپ شده تولید شد. سپس به منظور بررسی فازی، مورفولوژیکی و خواص مغناطیسی به ترتیب از آنالیزهای پراش اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FE-SEM) و مغناطیس‌سنج نمونه...