این مقاله الگوریتمی برای مکانیابی بهینه و کنترل ادوات انتقال ac انعطاف پذیر (facts) برای بهبود بارپذیری در سیستم انتقال با استفاده از الگوریتم pso و رقابت استعماری (ica) برای مدل حوضچه و ترکیبی در بازار برق مقررات زدایی شده پیشنهاد می کند. این رویکرد از معادلات پخش بار ac با قیودی بر روی تولید توان، شارش توان در خط انتقال، اندازه ی ولتاژ باس ها و تنظیمات ادوات facts استفاده می نماید. قرارداد دو...

 یکی از دلائل بروز نوسان‌های فرکانس پایین1 در سیستم‌های قدرت، کمبود گشتاور میرا کننده به منظور غلبه بر اغتشاشات موجود در سیستم‌های قدرت است. در گذشته پایدارساز سیستم قدرت2  برای میرا نمودن نوسان‌های فرکانس پایین استفاده می شد. ادوات FACTs3 از قبیل جبران ساز سری کنترل شونده با تریستور4 (TCSC) توانایی کنترل توان، کاهش تشدید زیرسنکرون و افزایش پایداری گذرا را دارا هستند. TCSC را می‌توان برای میرا ...

در این پایان نامه به منظور کاهش ولتاژ گذرای شبکه و بهبود تنظیم ولتاژ سیستم، یک کنترل کننده غیر خطی برای جبرانساز توان راکتیو ایستا (svc) معرفی می شود. از مدل فضای حالت درجه سه جبرانساز توان راکتیو ایستا برای طراحی کنترلر استفاده می شود. عدم قطعیت در مدل سیستم های غیر خطی از نامعینی پارامترهای سیستم یا دینامیک های مدل نشده ناشی می شود؛ در واقع عدم قطعیت در مدل کردن سیستم اثر بسیار نامطلوبی در طر...

کنترل یک سیستم قدرت ac به صورت بلادرنگ به دلیل اینکه توان جاری در آن تابعی از امپدانس خط انتقال، دامنه ولتاژ ارسالی و دریافتی و فاز بین این ولتاژها است، بسیار پیچیده می باشد. سالیان متمادی، سیستم های قدرت الکتریکی به طور نسبی ساده بودند و به صورت مستقل طراحی می شدند و توان ارسالی و دریافتی کم بود. علاوه بر این، به طور کلی قابل فهم بود که سیستم های انتقال ac برای درک شرایط دینامیکی سیستم به قدر ...

از آن جایی که tcsc جهت جبران رأکتانس سلفی در خطوط طولانی نصب می گردد و این عمل مزایایی از قبیل افزایش توان انتقالی، افزایش پایداری گذرا و میراسازی نوسان های زیر سنکرون (ssr) را به دنبال می آورد، ولی علی رغم فواید ذکرشده، رفتار دینامیکی تجهیزات و دستگاه های حفاظتی مربوطه، اختلالاتی از قبیل ایجاد تغییر در پارامترهای سیستم قدرت هم چون جریان و ولتاژ راموجب گردیده که این عمل باعث اختلال در عملکرد رل...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...