یکی از مهم ترین اهداف پیش رو در صنعت، بحث بهینه سازی مصرف انرژی است. در بحث جت های برخوردی، هدف رسیدن به بیشترین انتقال حرارت با صرف کم ترین هزینه همواره موردتوجه بوده است. ازآنجاکه پارامترهای بسیاری بر انتقال حرارت جت های برخوردی اثرگذارند، همواره تلاش بر این بوده است که به نحوی با تغییر این پارامترها ضریب انتقال افزایش یابد. یکی از پارامترهای موثر بر ضریب انتقال حرارت، هندسه نازل می باشد. هند...

با استفاده از شبیه سازی معادلات شبه خطی، تولید امواج لانگمیر و انتشار باریکه الکترونی داغ در حضور میرایی برخوردی امواج لانگمیر بررسی می‌شوند. نشان داده می‌شود که در حضور میرایی برخوردی شدت بر انگیزش امواج لانگمیر کاهش می‌یابد. نتیجه شبیه‌سازی های عددی نشان دهد  که سرعت متوسط انتشار باریکه در طول زمان انتشار  باریکه ثابت است و‌لی مقدار آن از حالت بدون میرایی برخوردی بیشتر است.  طیف دینامیکی اموا...

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

این رساله به طبقه بندی معادله دیفرانسیل معمولی خطی در یک همسایگی از نقطه منظم در حد یک تبدیل برخوردی اختصاص داده شده است. دراین پایان نامه ناورداهایی از تبدیلات معادلات دیفرانسیل معمولی خطی با ضرایب ثابت و جبرهای ‎-(n+2)‎بعدی از تقارن های نقطه ای را پیدا می کنیم، این ناورداها مساله هم ارزی برای این معادلات را حل می کند. در نهایت به طبقه بندی معادلات دیفرانسیل معمولی با جبرهای ‎-(n+1)‎بعدی از تق...

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

در این مقاله، مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی ترانزیستور ماسفت دوگیتی با گیت دوماده‌ای بدون آلایش ارائه شده است که قابل اعمال به ساختارهای متقارن و نامتقارن می‌باشد. پتانسیل دوبعدی با مجموع مؤلفه پتانسیل یک‌بعدی کانال بلند در امتداد طول کانال و مؤلفه تغییرات دوبعدی کانال کوتاه بیان شده است. مؤلفه یک‌بعدی به طول Debye ذاتی وابسته است و به‌صورت تحلیلی از حل معادله یک‌بعدی پواسون استخراج م...

هدف پژوهش حاضر تعیین رابطه­ ی ماهیت ورزش و فعالیت های فراغتی بانوان ورزشکار و مقایسه ­ی آن با غیر ورزشکاران بود. نوع ورزش در این پژوهش شامل ورزش­ های انفرادی برخوردی، انفرادی غیر برخوردی، گروهی برخوردی و گروهی غیر برخوردی بوده و نوع ماهیت فعالیت فراغتی شامل فراغت جدی، تخصصی، خطرپذیر و فعالیت های زیبایی شناسانه می­ باشد. جامعه آماری پژوهش را نیز زنان غیر ورزشکار و ورزشکاران قهرمان هیئت ­های ورزش...

در این مقاله ساختار جدید δ-doped ldd hmesfet را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون hmesfet است؛ یعنی از سورس alxga1-x as در مجاورت کانال gaasاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولی al ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (δeg) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. ام...