در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

چکیده زمینه و هدف: نقص توجه تأثیر قابل ملاحظه ای بر زندگی و وضعیت مبتلایان به اسکیزوفرنی و اختلال دو قطبی دارد. هدف این پژوهش، بررسی نقص توجه بیماران مبتلا به اسکیزوفرنی و اختلال دو قطبی بود. روش بررسی: در یک مطالعه پس رویدادی 132 بیمار مبتلا به اسکیزوفرنی و اختلال دو قطبی نوع یک در بیمارستان شفا در شهر رشت به شیوه نمونه گیری غیرتصادفی در دسترس انتخاب شده وبه طور مساوی در چهار گروه اسکیزوفرنی م...

در پژوهش حاضر به «روایی تشخیصی   فرم بازسازی­شده پرسشنامه شخصیتی چندوجهی مینه‌سوتا-۲   (MMPI-2RF) در   اختلال دوقطبی» پرداخته و سؤال اصلی تحقیق بدین ترتیب مطرح شده است که آیا فُرم   بازسازی­شده پرسشنامه ویژگی‌های شخصیتی مینه­سوتا-2 (MMPI-2RF) در افراد   با اختلال دوقطبی از روایی تشخیصی برخوردار است؟ طرح تحقیق در حیطه طرح‌های روان­سنجی   بوده است. جامعه آماری پژوهش حاضر را 60 نفر از بیماران دوقطب...

در سیستم های با ولتاژ کم، نمونه گیری به دلیل تضاد بین رنج دینامیک، خطی بودن، سرعت و مصرف توان مشکل می شود. بنابراین بحث دستیابی به توان، سرعت و دقت مطلوب و نیز کاهش خطای آفست و خطای بهره برای این تقویت کننده ها در این پروژه مورد بررسی قرار گرفته است. مدارهای t/h سریع تر در ساختار حلقه باز عمل می کنند، ولی مشکل اساسی ، عدم دقت مطلوب آنهاست. مدارهای t/h با ساختار حلقه بسته می توانند خطینگی بالا ر...

در این پایان نامه ما به منظور بهبود خواص الکترونیکی و کاربردی به بررسی نانوساختارهای سیلیسنی با استفاده از مدل تنگ-بست چند باندی می پردازیم. با استفاده از فرمول بندی اسلیتر و کوستر در مدل تنگ-بست به بررسی و تحلیل باندهای پیوندی سیگما و پای در نانوساختارهای سیلیسنی از جمله نانو نوارها، پولک های سیلیسنی و یک صفحه ی سیلیسنی خواهیم پرداخت. نقش تمامی پیوندها را در خواص الکترونیکی این نانوساختارها مو...

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

در این مقاله، مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی ترانزیستور ماسفت دوگیتی با گیت دوماده‌ای بدون آلایش ارائه شده است که قابل اعمال به ساختارهای متقارن و نامتقارن می‌باشد. پتانسیل دوبعدی با مجموع مؤلفه پتانسیل یک‌بعدی کانال بلند در امتداد طول کانال و مؤلفه تغییرات دوبعدی کانال کوتاه بیان شده است. مؤلفه یک‌بعدی به طول Debye ذاتی وابسته است و به‌صورت تحلیلی از حل معادله یک‌بعدی پواسون استخراج م...