وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

یکی از ویژگی های اساسی مواد هادی مقاومت الکتریکی آن هاست که با داشتن تعداد الکترونهای آزاد لایه ظرفیت می توان مقاومت الکتریکی آن ماده را پیدا نمود. با اندازه گیری مقاومت الکتریکی مواد می توان ویژگیها و مشخصات ماده را تعیین نمود. در این پایان نامه بنا داریم به اندازه گیری مقاومت الکتریکی با استفاده چهار پراب همراستا با فاصله ثابت از هم که در تماس با سطح یک ویفر سیلیکونی هستند اقدام کنیم. در عم...

در سالهای اخیر انجام فرایند های صنعتی سازگار با محیط زیست توجه زیادی را به خود معطوف نموده است. بخش مهمی بخاطر ضایعات و پساب های سمی تولید شده توسط واکنش های شیمیایی صنعتی می باشد. مقدار زیادی از ضایعات در فرایندهای شیمیایی مربوط به جداسازی محصولات و کاتالیزور از مخلوط واکنش می باشد. همچنین عملیات استخراج کاتالیزور با شیوه های ناکارامد، اغلب منجر به تخریب آن می شود]1[. به دلایل ذکر شده تحقیقات ...

کاربردهای فرکانس رادیویی توان بالا خیلی مهم هستند، زیرا تقاضا برای بازاربی سیم درحال رشــد می بـــاشد. ترانزیستورهای اثر میدان(نیمه هادی- اکسید- فلز)mosfet به دلیل سرعت سوئیچینگ بالا، در سیستم های توان بالا به کار رفته اند. توجه ی اولیه ی این پایان نامه کار روی توسعه، ساخت و توصیف مشخصات ترانزیستورهای توان بالا vertical-drain lateral diffused (vdmos) خواهد بود. چندین نوع از قطعات توان بــالا ه...

در این مقاله به بررسی نقش خواص ذاتی مواد نیمرسانای مرکب، از جمله اختلاف انرژی بین دره های l و در ماده، جرم مؤثر حامل و همچنین فرایندهای پراکندگی برمشخصه های انتقال الکترون در کانال مِسفِت می پردازیم. به علاوه، تأثیر ساختار مِسفِت بر مشخصه های انتقال الکترون را در افزاره مطالعه می کنیم. برای بررسی این موضوع ساختار مِسفِت ingaas تعبیه شده برروی بستر نیم عایق inp و ساختار مِسفِت inp را با روش مونت کارلو ...

چکیده این رساله ضمن ارزیابی مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان با کانال از جنس نانولوله کربنی، دو ساختار نوین برای بهبود این افزاره ها و یک ساختار نوین برای افزاره های اثر میدان نانونوار گرافینی پیشنهاد کرده است. اولین ساختار نوین تحت عنوان ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با توزیع ناخالصی خطی در ناحیه کانال(ldc-cntfet) می باشد که نسبت به ساختارهای پایه و تک هاله دارای نوسانات زیرآستانه کمتر و ...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

به دلیل نیاز تراشه ها به اتصالات نوری ترانزیستور لیزر با قابلیت ارسال سیگنال نوری والکتریکی به طور همزمان در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفتهاست به این دلیل در این پروژه سعی شده است ابتدا روند پیدایش ترانزیستور لیزر بیان شد ساختار تکنولوژی ساخت و پارامترهای کاری از اعم از نوری والکتریکی برای یک ترازیستور لیزر یا طول های کاواک 150 و 400 مورد بررسی قرار می گیرد. سپس چگونگی توید نور در بیس ...

موضوع مورد مطالعه یک سنسور گلوکز است که با استفاده از یک isfet با فناوریotft ساخته می شود. این سنسور در حقیقت یک ترانزیستور می باشد که با جانشانی یونهای گلوکز روی گیت آن (به طریقی خاص) ولتاژ لازم برای روشن شدن ترانزیستور فراهم می شود و بسته به میزان یونهای گلوکز و ولتاژ ایجاد شده روی گیت، اندازه گیری مقدار گلوکز از طریق جریان درین ممکن خواهد بود، زیرا دقت اندازه گیری با جریان به مراتب بیشتر از ...

با گسترش تکنولوژی الکترونیک، ادوات الکترونیکی ارزان قیمت و پرتابل عرضه شده اند. یک رگولاتور ولتاژ طوری طراحی می شود که علی رغم تغییرات ولتاژ ورودی و تغییرات در جریان بار همواره ولتاژ خروجی ثابتی ایجاد کند. رگولاتور ldo یک رگولاتور ولتاژ خطی است که افت ولتاژ کمی ایجاد می کند. این نوع رگولاتور ها مشخصاتی نظیر نویز کم و ساختار مداری ساده دارند که آن ها را برای استفاده در ادوات پرتابل مناسب می سازن...