نتایج جستجو برای: ترانزیستور دوقطبی نامتجانس

تعداد نتایج: 1768  

ژورنال: فیزیک کاربردی 2012

در این تحقیق لایه AZO (اکسید روی الایش یافته با الومینیوم) بر روی زیر لایه p-Si به روش افشانه داغ لایه نشانی شد. هدف از این تحقیق بررسی خواص الکترواپتیکی پیوندگاه نامتجانس AZO/p-Si و نیزلایه AZO تحت تابش نور مرﺋی و فرابنفش قبل و پس از پخت است . پیوندگاه نامتجانس ایجاد شده می تواند به عنوان یک حسگر نوری و سلول خورشیدی عمل کند. به منظور بررسی ساختار بلوری و ریخت شناسی این لایه ، از طیف پراش اشعهX...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده مهندسی 1382

مدل برنامه نویسی نگاشت کاهش که توسط گوگل معرفی شده است یکی از موفق ترین تلاش ها در راستای اداره کردن تقاضای فزاینده برای پردازش داده های بزرگ مقیاس است. اگرچه مدل برنامه نویسی مذکور رایانش موازی در خوشه های رایانه ای را بسیار ساده، کارآمد و مقیاس پذیر نموده است اما بستر های رایانش توزیع شده در سالهای اخیر دستخوش تغییرات شگرفی شده اند. امروزه بسیاری از مراکز داده و خوشه های رایانه ای با مولفه ه...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
محمود علومی m. oloumi 1. department of physics, urmia university, urmia, islamic republic of iranگروه فیزیک، دانشگاه ارومیه س. س. ماتهای c. c. matthai department of physics and astronomy, cardiff university, p.o. box 913, cardiff, cf2 3yb, ukگروه فیزیک و نجوم، دانشگاه کاردیف، انگلستان ث. اچ. شن t. h. shen department of physics and astronomy, cardiff university, p.o. box 913, cardiff, cf2 3yb, ukگروه فیزیک و نجوم، دانشگاه کاردیف، انگلستان

مشاهده شده است که ناپیوستگی نواری در اتصال نیمه هادیها به صورت بحرانی به عوامل متعددی وابسته است. با استفاده از روش شبه پتانسیل ابتدا به ساکن در موارد ابرشبکه کرنش یافته inga as / ga as توانستیم وابستگی ناپیوستگیهای نواری (ظرفیت و رسانش) را بر حسب کرنش و ترکیب in در این سیستم تعیین نماییم. علاوه بر این, نشان داده ایم که ناپیوستگی نواری را می توان با معرفی یک لایه ge در ناحیه فصل مشترک کنترل نمود.

اختلالات اسکیزوفرنیا و دوقطبی با اختلال در عملکردهای شناختی همراهند و پروفایل شناختی این دو اختلال به هم شبیه است. با این حال، نقایص شناختی در این بیماران ممکن است مسیر های متفاوتی را دنبال کنند. هدف پژوهش حاضر، بررسی و مقایسه سرعت شناختی و زمان واکنش و تصمیم‌گیری در بیماران اسکیزوفرنیا و دوقطبی بود. برای این منظور طی یک پژوهش مقایسه‌ای، چهل بیمار مبتلا به اختلال اسکیزوفرنیا، 40 بیمار مبتلا به ...

غلامرضا مریدی

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2014
عبدالله مرتضی علی مونا شصتی

در این تحقیق لایه azo (اکسید روی الایش یافته با الومینیوم) بر روی زیر لایه p-si به روش افشانه داغ لایه نشانی شد. هدف از این تحقیق بررسی خواص الکترواپتیکی پیوندگاه نامتجانس azo/p-si و نیزلایه azo تحت تابش نور مرﺋی و فرابنفش قبل و پس از پخت است . پیوندگاه نامتجانس ایجاد شده می تواند به عنوان یک حسگر نوری و سلول خورشیدی عمل کند. به منظور بررسی ساختار بلوری و ریخت شناسی این لایه ، از طیف پراش اشعهx...

خسروی, زهره, رحمتی‌نژاد, پروین, فرح بیجاری, اعظم,

مقدمه: به دلیل شباهت بالای نشانه‌ها و مشخصات بالینی بین اختلالات طیف شخصیت مرزی و دوقطبی به‌ویژه اختلال دوقطبی -II، برخی از محققان اختلال شخصیت مرزی را با طیف دوقطبی طبقه‌بندی نموده‌اند و برای هر دو اختلال سبب‌شناسی مشترکی را در نظر گرفته‌اند. در مطالعه حاضر به‌منظور ارزیابی این فرضیه، رابطه صمیمی و تجربۀ خشم در اختلالات شخصیت مرزی و دوقطبی -II مقایسه شده است. مواد و روش‌ها: نمونه شامل 27 بیمار...

ژورنال: :نشریه دانشکده فنی 1973
غلامرضا مریدی

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

در تحقیق حاضر تلاش برای بررسی تاثیر ارزشیابی پویا بر یادگیری ترکیبهای لغوی متجانس و نامتجانس در زبان آموزان ایرانی زبان انگلیسی به عنوان زبان خارجی شده است. از بین صد و بیست زبان‌ آموز بر اساس آزمون تعیین سطح آکسفورد شصت دانش‌آموز انتخاب شده و به دو گروه سی نفره ی آزمایشی و کنترل تقسیم شدند. در طول ده جلسه اعمال آزمایش که در هر نوبت چهار ترکیب متجانس و چهار ترکیب نامتجانس به آن‌ها آموزش داده شد...

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید