در این مقاله، مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی ترانزیستور ماسفت دوگیتی با گیت دوماده‌ای بدون آلایش ارائه شده است که قابل اعمال به ساختارهای متقارن و نامتقارن می‌باشد. پتانسیل دوبعدی با مجموع مؤلفه پتانسیل یک‌بعدی کانال بلند در امتداد طول کانال و مؤلفه تغییرات دوبعدی کانال کوتاه بیان شده است. مؤلفه یک‌بعدی به طول Debye ذاتی وابسته است و به‌صورت تحلیلی از حل معادله یک‌بعدی پواسون استخراج م...

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

چکیده ندارد.

کاهش اندازه ماسفت ها منجر به افزایش توان مصرفی استاتیک می شود. به منظور بهبود بازده انرژی مدارات الکترونیکی، سوئیچهایی با شیب کم برای جایگزینی یا بکارگیری ماسفت های مرسوم که امروزه به وفور مورد استفاده قرار می گیرند، مورد توجه می باشد. فت هایتونلی، که دارای پیوند p-i-n هستند و جریان روشن آنها از تونل زنی باند به باند ناشی می شود، ترانزیستورهای جدید و مورد توجه برای کاربردهای کم توان، به خاطر جر...

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...

در این پایان نامه، به بررسی و تحلیل عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی می پردازیم. همچنین اثرات افزودن نقص به کانال ترانزیستور و تغییر فاصله اتم ها در لبه نانو نوار را مورد بررسی قرار می دهیم. برای شبیه سازی این ساختار از نرم افزار nano tcad vides، siesta و matlab استفاده شده است. در این راه شیوه بدست آوردن هامیلتونی نانو نوار آرمچیر با رویکرد تنگ بست توضیح داده می شود. برای بالاتر ب...

طرح vcsoa ها نقاط اشتراک زیادی با طرح soa های fabry – perot در یک صفحه ، vcsel ها و فیلترهای fp دارد. سالهای زیادی است که این دستگاه¬ها مورد مطالعه قرار می¬گیرند]11-13[. تا حال مدل¬های تئوری که ساخته شده¬اند، اساس محکمی را برای ساخت تئوری vcsoa فراهم می¬کنند. طرح-هایی که در این فصل برای vcsoa ها پیشنهاد می¬گردد، تا حدود زیادی به طراحی ارائه شده در ussb برای vcsel های قبلی است. اولین مقاله تئوری...

لایه ی میانی بین گیت دی الکتریک اکسیدی و سیلیکون بسیار مهم است زیرا عملکرد ترانزیستورها و قابلیت اعتبار افزاره ها به وسیله ی گیت و گیت دی الکتریک اکسیدی ترانزیستور تعیین و کنترل می شود. علاوه بر این وقتی که اکسید برای سازگاری با سرعت های بالاتر در مدارهای مجتمع نازک و نازک تر می شود نقش لایه ی میانی مهم تر می شود. در این پایان نامه سعی کردیم ساختار فصل مشترک si(111)/sio2 را به وسیله ی تکنیک xps...

در این رساله طراحی و تحلیل بخش آنالوگ گیرنده غیرهمدوس uwb مبتنی بر آشکارسازی انرژی در سطح سیستمی و مداری ارائه می شود. اثرات غیر ایده آل بلوکهای گیرنده به منظور دست یابی به مشخصات فنی طراحی، در شبیه سازی سیستمی با سیمولینک matlab مورد توجه قرار گرفته است. در ota مقادیر iip3 و توان مصرفی مورد نیاز برابر dbm15 و mw2 است. همچنین در مربع کننده iip3، توان مصرفی و بهره در ber 3-10 به ترتیب برابر dbm1...

چکیده ندارد.