In this paper, using non-equilibrium Green's function method, the performance of junctionless transistors that are with Si, InP, and InGaP channels material are investigated.The shape of transistor’s gate is chosen as gate all around (GAA). Parameters such as DIBL, subthreshold slope (SS), OFF-state current, ON-state current and ON/OFF current ratio in these devices are investigated. The ...

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

چکیده مبسوط سابقه و هدف: پایداری ساختمان یکی از مهمترین ویژگی های فیزیکی خاک است که بر جنبه های دیگر خاک مثل فرسایش و نفوذ آب در خاک تاثیر می گذارد. یکی از روشهای بهبود ویژگی های فیزیکی خاک، استفاده از اصلاح کننده ها می باشد. مواد نانو یکی از جدیدترین مواد اصلاحی است که می تواند نقش مهمی بر ویژگی های خاک داشته باشد و نتایج پژوهشگران نشان دهنده ی تاثیر مواد نانو بر ویژگی های مکانیکی (حد خمیرایی ...

مقدمه: در این تحقیق اکسیدا سیون الکترو کاتالیتیکی آموکسی سیلین (AMX) بر روی یک الکترود خمیر کربن اصلاح شده با نانو زئولیت سنتز شده  دوپه شده با یون نیکل (Ni/NiZ/CPE) در محلول قلیایی، مطالعه شد. این الکترود به عنوان سنسوری برای اندازه گیری آموکسی سیلین عمل می‌کند.  مواد و روش‌ها: در ابتدا درصد نانو زئولیت  نسبت به خمیر کربن و زمان شناور سازی الکترود اصلاح شده در محلول 0/1 مولار نیکل کلراید برای...

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

چکیده ندارد.

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

روش رادار (GPR) یکی از روش‌های الکترومغناطیسی برای اکتشاف لایه‌های کم‌عمق زیرزمینی است. منطقه سراب قنبر واقع در جنوب شهر کرمانشاه یکی از مناطق زاگرس رورانده است که آهک‌ها با سنین متفاوت در مجاورت تشکیلات رسوبی رادیولاریت‌ها واقع شده‌اند. با توجه به شکستگی آهک‌ها و نفوذ ناپذیری رادیولاریت‌ها، مطالعه رادیولاریت‌ها از نظر ساختاری با اهمیت است زیرا رادیولاریت‌ها مانند سدی در مقابل جریان آب ناشی از ...

در سال های اخیر کوچک سازی ترانزیستورهای cmos متداول به تکنولوژی های زیر 100 نانو متر برای دست یابی به چگالی مجتمع سازی بالاتر و سرعت بیشتر با چندین مشکل روبه رو شده است از جمله: افزایش سوئینگ زیر آستانه، جریان نشتی بالا در حالت خاموش، کاهش سد با القاء درین(dibl) و اثرات کانال کوتاه دیگر. ترازیستور اثر میدان تونلی(tfet) یکی از امید بخش ترین افزاره ها برای جایگزینی ترانزیستور اثر میدان فلز – اکسی...

با پیشرفت تکنولوژی در دهه های اخیر و افزایش اهمیت مدارهای آنالوگ در سیستم های فرستنده-گیرنده مخابراتی، توجه بسیاری از محققین به طراحی سیستم های آنالوگ جلب شده است. امروزه کاربردهای پیشرفته ای برای فرستنده-گیرنده های مخابراتی تعریف شده است که این کاربردها زمینه های تحقیقاتی جدیدی را در دنیا به وجود آورده است. از جمله این کاربردها می توان به شبکه حسگرهای بی سیم و سیستم های شناسه گر فرکانس رادیویی...