در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی­الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه­ها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیه­سازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه­سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...

در این مقاله برآنیم، که تقویت‌کننده هدایت انتقالی (OTA1) در تکنولوژی CMOS را از طریق بدنه (Bulk Driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می‌یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی‌سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. OTA یکی ازساختارهای بنیادی تقویت‌کننده‌هاست. در دهه‌ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به ...

در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...

در این مقاله یک آنتن شکافی مایکرواستریپی چاپی جدید با خاصیت پلاریزاسیون دایروی و تغذیه شده با خط CPW طراحی، تحلیل و شبیه سازی شده است. ساختار آنتن شکافی پیشنهادی از یک پچ پله ای شکل اصلاح شده و صفحه زمین مربعی که درون آن یک شکاف پله-ای واقع شده ترکیب بندی شده است. با استفاده از پچ پله ای و صفحه زمین مربعی اصلاح شده، رزونانس های اضافی دیگری تحریک شده و پهنای باند امپدانس وسیعی مخصوصا در باند بال...

در این مقاله برآنیم، که تقویت‌کننده هدایت انتقالی (OTA1) در تکنولوژی CMOS را از طریق بدنه (Bulk Driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می‌یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی‌سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. OTA یکی ازساختارهای بنیادی تقویت‌کننده‌هاست. در دهه‌ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به ...

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...

چنانچه در نمونه گیری، داده ها با احتمالی متناسب با اندازه انتخاب شوند، داده های حاصل را در طول-اریب نامند. برآورد ناپارامتری تابع چگالی با استفاده از داده های در طول-اریب، مشکلتر از سایر حالات است. یکی از برآوردگرهای معروف در این زمینه توسط جونز (1991) معرفی شده است. در این مقاله ابتدا پارامتر پهنای باند این برآوردگر با رهیافت بیزی برآورد می شود. سپس سازگاری قوی آن با به کار بردن پهنای باند برآ...

در این پایان نامه روش ذخیرهسازی جدیدی به نام کدهای بازیابی کننده ی ترکیبی مطرح میشود و در آن موازنه ای بین پهنای باند بازسازی و ظرفیت ذخیره سازی در هر گره ی ذخیره کننده ارائه می شود و مطابق با آن، دو کد جدید با کمترین ظرفیت ذخیره سازی و کمترین پهنای باند بازسازی معرفی می شود. همچنین با فرض برابر بودن کل ظرفیت ذخیره سازی کدهای بازیابی کننده و کدهای بازیابی کننده ترکیبی، پهنای باند بازسازی این دو...

افزایش پهنای باند سیگنال روشی مستقیم برای انتقال اطلاعات با نرخ بالا درفرستنده و گیرنده های رادیویی می باشد؛ سیستم باند بسیارعریض به تکنولوژی رادیویی اطلاق می شود که درسطوح انرژی و مصرف توان پایین وبرای ارتباطات در رنج کوتاه و پهنای باند وسیع با استفاده از طیف فرکانسی عریض در نظر گرفته شده است و با افزایش تقاضا برای ارتباط بی سیم در رنج کوتاه و نرخ انتقال اطلاعات بالا این تکنولوژی با هدف نرخ ان...

از آنجا که در بسیاری از کاربردهای شبکه ی حسگر بی سیم (wsn) نیازمند تضمین پارامترهای کیفی انتها به انتهای معینی می باشیم،حمایت از کیفیت خدمات دراین شبکه ها از اهمیت ویژه ای برخوردار است.qos قراردادی برای فراهم کردن سرویس های تضمین شده مانند پهنای باند، تأخیر، نوسانات تأخیر و نرخ تحویل بسته برای کاربر است. حمایت بیشتر از یک پارامترqos باعث می شود مسئله مسیریابی qos به یکnp-complete تبدیل شود. ب...