نتایج جستجو برای: تابع دی الکتریکی
تعداد نتایج: 51472 فیلتر نتایج به سال:
در این رساله به بررسی و تحلیل رفتار جذبی نقطه کوانتومی¬های inas/gaas تحت خواص بلور فوتونی، آرایه¬ها و شبکه¬های متناوب فلزی که منجر به تولید امواج پلاسمون سطحی می¬شود، می¬پردازیم. نقاط کوانتومی به عنوان ناحیه فعال آشکارساز در شرایطی که بلور فوتونی بعنوان آینه براگ و یا کاواک با مودهای تشدیدی خاص مورد استفاده قرار گرفته است، بکار می¬رود. تابع دی¬الکتریک لایه نقطه کوانتومی از طریق مدل ماکسول-گارنت...
4،'4-دیآمینو دیفنیل اتر 2،'2-دیسولفونیک اسید (ODADS) به عنوان یک دی آمین سولفونه به وسیله سولفونه شدن مستقیم دی آمین 4،'4-در آمینودی فنیل اتر در حضور اسیدسولفوریک دود کننده تهیه می شود. علاوه بر آن، مونومر دی آمین حاوی زانتن در چهار مرحله به وسیله تراکم بتا-نفتول و 4-نیتروبنزالدئید در حضور کاتالیزور پارا-تولوئن سولفونیک اسید، کاهش ترکیب دی نیترو، واکنش جانشینی نوکلئوفیلی آمین و 5،3-دی نیترو ...
در این مقاله تحلیل پایداری دینامیکی صفحات دایروی ساخته شده از مواد پیزوالکتریک مدرج تابعی تحت بارگذاری شعاعی و میدان الکتریکی و براساس تئوری لاو-کرشهف و رابطه غیرخطی تغییر مکان-جابجایی ساندرز ارائه شده است. خواص فیزیکی، مکانیکی، پیزوالکتریک و دی الکتریک صفحه مطابق تابع توانی از جزء حجمی مواد تشکیل دهنده آن در راستای ضخامت صفحه مدل شده است. با استفاده از فرمول بندی واریاسیون ابتدا معادلات تعادل ...
فرایند تصفیه پساب صنعت بازیافت کاغذ به دلیل تعداد آلایندهها و ساختار شیمیایی پیچیده آنها، یکی از مشکلترین و پیچیدهترین فرایندهاست. در این تحقیق، ویژگیهای پساب فراوری شده با استفاده از نانو دی اکسید تیتانیوم کارخانه بازیافت کاغذ کنگرهای کهنه( OCC ) از جمله اکسیژنخواهی شیمیایی، کل مواد جامد محلول، کل مواد جامد معلق، مجموع مواد محلول و معلق، هدایت الکتریکی و کدورت بررسی شد. مقدار نانو دی ا...
هدف این پایان نامه، مطالعه ی خواص ساختارالکترونی مولکول سیلیکن شامل چگالی حالت ها، ساختار نواری و خواص اپتیکی شامل بخش حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک در حالت قطبیده و غیرقطبیده است. این پژوهش برمبنای نظریه ی تابع چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته انجام گرفته و برای انجام محاسبات از کد siesta استفاده شده است. ابتدا خواص الکترونی مولکول سیلیکنsilicene در غیاب میدان الکتریکی خارجی محاس...
در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...
چکیده ندارد.
اثر کازیمیر در واقع اُفت وخیزهای نقطه ی صفر میدان الکترومغناطیسی کوانتومی را به صورت نیروی جاذبه ی بین ورقه های تخت رسانا آشکار می کند. همچنین مواد دی الکتریکِ خنثای الکتریکی در دمای اُتاق، به دلیل وجود اُفت وخیزهای میدان الکترومغناطیسی در داخل شان، تحت چارچوب نظریه ی لیفشیتز با یکدیگر برهم کنش می کنند که بسته به تابع های پاسخ دی الکتریک آن ها نیروی لیفشیتز می تواند جاذبه و یا دافعه باشد. شواهد ت...
تشکیل قطره، یکی از پدیدههای مهم در جریانهای چندفازی است. همچنین، روش شبکه بولتزمن جزء روشهای جدید و کاربردی میباشد. در این پژوهش شبیهسازی شکلگیری قطره بوسیلهی روش شبکه بولتزمن و تحت تاثیر میدان الکتریکی برای یک میکروکانال متقاطع انجام شدهاست. برای اعمال میدان الکتریکی، از مدل لیکی دی-الکتریک استفاده شدهاست. از مدلهای مختلف تکفاز و دوفاز برای صحتسنجی آن بهره گرفته شده است. نتایج نشان...
در این مقاله خواص الکترونیکی و نوری پروسکایتهای آلی، در فاز مکعبی ، برای ساختارهای متیل آمونیوم و فورمامیدینیوم سرب یدید ، برومید و کلرید براساس نظریه تابعی چگال و با استفاده از نرم افزار quantum espresso و با انرزی جنبشی قطع 408 الکترون ولت و شبه پتانسیل هایی با تابع PBE و تقریب GGA مورد استفاده قرار گرفته است. در این راستا، ثابت شبکه ، ساختار الکترونیکی ، طیف جذبی ، رسانندگی اپتیکی ، ضریب شکس...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید