نانولوله‎های برن نیترایدی موضوع مطالعات بسیاری برای سالهای زیادی بوده اند. نانولوله‎های برن نیترایدی به عنوان مواد نیمه رسانا با مقدار باند گپ بزرگ (5/5 الکترون ولت) که اساسا مستقل از کایرالیتی (مشخصات ساختاری) و مرفولوژی نانولوله است، (برخلاف نانولوله های کربنی) شناخته می شوند. انها همچنین دارای خواص جالبی مثل سختی زیاد، هدایت حرارتی بالا و خواص پیزو الکتریکی و مکانیکی ممتاز هستند و از نظر شیم...

ساختار های چند لایه ای بسیار نازک پوشش مناسبی برای نیمه هادیها بوده و در عین حال نقش بسیار مهمی در صنایع نیم رسانا ها و تجهیزات میکروالکترومکانیک و نانوالکترومکانیک دارد. اطلاع از خواص تشعشعی ساختار های چند لایه ای شامل سیلیکون و مواد مرتبط مانند دی اکسید سیلیکون، نیترید سیلیکون با پارامترهای متفاوت، جهت کاربردهای سیستمهای کوچک ضروری است. لایه های نیترید سیلیکون، از جهات متفاوتی در علم مواد حا...

در این پایان نامه، بر اساس رهیافت تابع گرین و هامیلتونی تنگابست، در تقریب نزدیکترین همسایه ها، به بررسی ترابرد الکترونی در ترانزیستورهای اثر میدانی گرافینی، بر اساس تونل زنی کوانتومی، خواهیم پرداخت. این ترانزیستورها شامل دو نانونوار گرافینی است؛ که چند لایه بور-نیترید در بین آن ها جای گرفته است. نتایج نشان می دهد، که در انرژی هایی در محدوده سد تونل زنی، ترابرد حامل های بار به تعداد لایه های بور...

در این تحقیق تاثیر دمای زیر لایه در محدودهC˚450-100 برخواص ساختاری لایه‌های نیترید زیرکونیوم‌ که به‌روش کندوپاش شعاع یونی روی زیر لایه شیشه وسیلیکون تهیه شده ‌است، مورد ‌بررسی قرار گرفته ‌است. تعین ضخامت لایه‌ها با ‌استفاده از آنالیز RBS (طیف پس پراکندگی رادرفورد)   و‌تعیین فازهای کریستالی با توجه به آنالیز XRD (پراش پرتو X)‌ انجام شده‌است. نتایج XRD  نشان داد که با افزایش دما تا C˚400 بر میزان...

در این پایان نامه ترابرد الکترونی ونحوه ایجاد گاف نواری انرژی در باریکه ای از گرافین تک لایه را در حضور پتانسیل متناوب اعمالی بررسی و مطالعه میکنیم. در ساختار شبکه لانه زنبوری گرافین درجه آزادی اضافه ای بنام شبه اسپین وجود دارد که برای تشریح محل قرار گرفتن اوربیتالهای توابع موج در شش گوشه ساختار لانه زنبوری مطرح شده است. گرافین در حالت نرمال یک نیمرسانای بدون گاف محسوب میشود. حضور پتانسیل متنا...

در سالهای اخیر، نیمرساناهای با گاف نوار بزرگ نظیر نیترید گالیم، کربید سیلیسیم و اکسید روی مورد توجه قرار گرفته اند. از یک طرف به دلیل اینکه گاف نوار بزرگ این نیمرساناها، قطعات ساخته شده از این نیمرساناها را قادر می سازد تا دمای کار گسترده تری داشته باشند و در نتیجه می توان سیستم های خنک کننده را که باعث افزایش قیمت این سیستم ها می شود را حذف کرد که علاوه بر کاهش قیمت، کاهش اندازه سیستم را نیز د...

در این تحقیق، کامپوزیت آلومینیوم با ذرات فاز دوم از جنس BN(h) و در سه حالت پودر خام، پودر پوشش داده­شده با الکترولس نیکل- فسفر و پودر پوشش داده شده توسط نیکل- فسفر بر روی پودر آلومینیوم، توسط همزن­های متفاوت و با سرعت­های همزدن مختلف ساخته و بهینه­سازی شد. مطالعات انجام شده با میکروسکوپ الکترونی مجهز به EDS وX-Ray map نشان داد که انجام عملیات آماده‌سازی روی ذرات BN نقش بسیار مهمی روی نشاندن لای...

با استفاده از روش تئوری تابع دانسیته، تأثیر نقص استون- والز روی خواص ساختاری و الکترونی نانولوله ی بور نیترید تک دیواره ی زیگزاگ (6,0) تحت کشش و فشردگی محوری، در سطح محاسباتی b3lyp/6-31+g(d) بررسی شد. انرژی اتصال محاسبه شده برای نانولوله ی بور نیترید دارای نقص استون- والز، کوچکتر از نانولوله ی بور نیترید بی نقص ارزیابی شد. در نانولوله ی بور نیترید دارای نقص استون- والز، ناحیه ی نقص به عنوان یک ...

تفاوت ها و شباهت هایی میان گرافین تک لایه و دو لایه وجود دارد. در گرافین دو لایه شبه ذرات طیف انر‍‍ژی سهمی گونه دارند و از طرفی این شبه ذرات مشابه ذرات نسبیتی و فرمیون های گرافین تک لایه خاصیت شبه اسپینی دارند در حالی که در گرافین تک لایه شبه ذرات طیف انر‍ی خطی دارند. به ازای تابش عمودی گرافین تک لایه به صورت کاملا شفاف عمل می کند در حالی که در گرافین دو لایه انسداد شدید الکترون ها وجود دارد.

خواص ساختاری منحصر به فرد iii- نیتریدها این مواد را به گزینه مناسبی برای ساخت ادوات اپتوالکترونیک، به ویژهledها و سلول های خورشیدی تبدیل کرده است. ingan به دلیل دارا بودن گاف باندی مستقیم و تنظیم پذیر برای تمامی محدوده مفید طیف خورشیدی، ماده ایده آلی برای استفاده در ادوات فوتوولتائیک به شمار می رود. از طرفی به دلیل محدودیت ضخامت در لایه های شامل ایندیوم، نمی توان این لایه ها را در ابعاد کپه ای ...