در این مقاله، همزیستی میان ابررسانایی و فرومغناطیس را در یک ابررسانای فرومغناطیس مورد مطالعه قرار می‌دهیم. ابررسانای فرومغناطیس را در دو حالت جفتی اسپین پادموازی و اسپین موازی در نظر می‌گیریم و با استفاده از معادلات وابسته به اسپین بوگولیوبوف-دژن، تابعیت دمایی (T) پارامتر نظم ابررسانایی را به­دست می‌آوریم. همچنین وابستگی پارامتر نظم به میدان تبادلی ابررسانای فرومغناطیس (h) را نیز به­دست آورده و...

در این تحقیق با استفاده از روش بستگی قوی و هامیلتونی بسط داده شده بر پایه اوربتال¬های اتمی و فرمول¬بندی تابع گرین به بررسی برهمکنش¬های الکترون-الکترون، الکترون-فونون، الکترون-فوتون و اسپین-مدار راشبا بر روی خواص الکترونی، مغناطیسی و ترابرد در نانو ساختارهای کربنی می¬پردازیم. وجود لبه¬های زیگزاگ در نقاط کوانتومی کربنی موجب جایگزیدگی اسپین بر روی لبه¬ها و مغناطش خالص در نانوساختار می¬شود. برای بر...

منظور از این مقاله بدست آوردن معادلاتی است موجی از رتبه اول بصورت (-irm am +m)t=0 که در آنها ضرایب mm ماتریسهائی مربعی ثابت هستند. این معادلات را برای توابعی موجی (t ها) با شانزده مولفه که بر مبنای (1 و 1.2)+(0 و 1.2)+(1.2 و 0)+1.2 و 1) از گروه لورنتس تبدیل می پذیرند. شرایط را بطوری برقرار می کنیم که این معادلات ذراتی را با جرم و اسپین منحصر به فرد توصیف نموده از یک لاکرانژین مشتق شوند. موضوع ب...

در این اثر انتقال اسپین را در اتصالات سیلیسنی سیلیسن نرمال / سیلیسن فرومغناطیس / سیلیسن نرمال که یک الکترود به سیلیسن فرومغناطیس ضمیمه شده است مطالعه و بررسی می کنیم. سپس در می یابیم که یک میدان تبادلی از سیلیسن فرومغناطیس ناشی می شود و جریان اسپین در میان اتصال یک رفتار نوسانی دارد که با طول سیلیسن فرومغناطیس رابطه دارد و قابل تنظیم باولتاژ گیت است. به طور خاص یک جریان اسپین به دست می آوریم که...

در این پژوهش، ترابرد کوانتومی را در اتصال ابررسانا/فلز‎‎ نرمال بررسی نموده ایم؛ که ابررسانا از نوع‎ p-wave ‎ و فلز نرمال‎‎‏، گاز الکترونی دو بعدی است. ما اثر جفت شدگی اسپین-مدار راشبای موجود در فلز نرمال و در سطح مشترک را بر رسانش الکتریکی مطالعه نموده ایم. ‎‎در فصل یک به کلیاتی در مورد جفت شدگی اسپین-مدار و انواع آن پرداخته ایم. فصل دو را به مروری بر ابررسانایی اختصاص داده ایم. بازتاب آندریف ...

نانو اسپینترونیک که همان کاربرد فناوری نانو در تولید قطعات اسپین – الکترونیکی می باشد یکی از زمینه های بسیار پر کاربرد و جذاب از علوم و فناوری نانو است. در نانو اسپینترونیک از درجه آزادی اسپین الکترون به منظور انجام محاسبات استفاده می شود. به عنوان کاربردی از نانو اسپینترونیک در صنعت، می توان از مقاومت های مغناطیسی بزرگ (gmr) نام برد که از آنها در دیسک های سخت استفاده می شود. تولید جریان های ...

در این مقاله با درنظر گرفتن درجات آزادی اسپین و آیزواسپین ذرات به فرمول بندی سه بعدی پراکندگی تفکیک سه نوکلئونی در تقریب مرتبه اصلی نموده ایم. بدین منظور ابتدا با درنظر گرفتن تقریبی که در انرژی های میانی و بالا معتبر است، یعنی جمله ناهمگن معادله فدیف، آن را با استفاده از روش سه بعدی به صورت تابعی از بردارهای فضای تکانه ژاکوبی می نویسیم. سپس با انتخاب دستگاه مختصات مناسب این معادله را به صورت تا...

این واقعیت که حالت های اسپین الکترون (به جای بار الکتریکی) بسیار کمتر حساس به نوفه های الکترومغناطیسی هستند، باعث آن شده است که امروزه تلاش وافری برای توسعه دستگاههای اسپینترونیکی (به جای الکترونیکی) به عمل آید. در این راستا دسته ای ازموادکه شامل فلزات و حتی نیمه هادی های آلی هستند برای استفاده در فناوری اسپینترونیک پیشنهاد شده است. یک کاندیدای مناسب برای چنین کاربردهایی، تک لایه ای از اتم های ...

هدف اصلی این تحقیق، تاثیر میدان مغناطیسی روی رسانش الکتریکی نانوساختار در مدل بستگی قوی است. بدین منظور ابتدا فرض کردیم که ذره های باردار و میدان مغناطیسی مستقیماً با یک دیگر برهم کنش ندارند، نتایج نشان می دهد که اثر آهارانف- بوهم روی رسانش الکتریکی حلقه تاثیر می گذارد و رسانش الکتریکی را کمتر می کند. اگر میدان مغناطیسی به اندازه کافی قوی باشد رسانش الکتریکی به طور کامل صفر می شود. در ادامه تا...

در این مقاله، همزیستی میان ابررسانایی و فرومغناطیس را در یک ابررسانای فرومغناطیس مورد مطالعه قرار می دهیم. ابررسانای فرومغناطیس را در دو حالت جفتی اسپین پادموازی و اسپین موازی در نظر می گیریم و با استفاده از معادلات وابسته به اسپین بوگولیوبوف-دژن، تابعیت دمایی (t) پارامتر نظم ابررسانایی را به­دست می آوریم. همچنین وابستگی پارامتر نظم به میدان تبادلی ابررسانای فرومغناطیس (h) را نیز به­دست آورده و...