çƒ­çº¢å¤–é¥æ„Ÿå›¾åƒç”±äºŽå ¶ç‰¹å®šçš„æˆåƒæ–¹å¼ï¼ŒåŒ å«ç›®æ ‡ç‰¹æœ‰çš„å‘å°„çŽ‡åŠæ¸©åº¦ç­‰ç‰¹å¾ã€‚ç„¶è€Œï¼Œçƒ­çº¢å¤–é¥æ„Ÿå›¾åƒè¾ƒä½Žçš„ç©ºé—´åˆ†è¾¨çŽ‡å´é™åˆ¶äº†å ¶å¹¿æ³›åº”ç”¨ã€‚éšç€é¥æ„ŸæŠ€æœ¯çš„å‘å±•ï¼ŒåŒä¸€åŒºåŸŸèŽ·å¾—çš„å¤šæºé¥æ„Ÿå›¾åƒå¯ä»¥æä¾›æ›´ä¸ºå®Œå¤‡çš„ç›®æ ‡ä¿¡æ¯ï¼Œä½¿å¾—åˆ©ç”¨å¤šæºèžåˆæŠ€æœ¯å®žçŽ°çƒ­çº¢å¤–å›¾åƒç©ºé—´åˆ†è¾¨çŽ‡å¢žå¼ºä¸Žäºšåƒç´ çº§ç‰¹å¾æå...

æœºæ¢°åˆ»åˆ’æ˜¯ä»¥ä¸­é˜¶æ¢¯å ‰æ 为主导的大闪耀角、高衍射级次å çš„ä¸»è¦åŠ å·¥æ–¹æ³•ï¼Œå ¶å¤§é—ªè€€è§’ç‰¹æ€§ä½¿ä¸­é˜¶æ¢¯å çš„åˆ»åˆ’åŠ å·¥éš¾åº¦å¤§å¹ å¢žåŠ ã€‚å½“å åˆ»åˆ’åˆ€å¯¹åˆƒè¯¯å·®è¾ƒå¤§ï¼Œæˆ–åˆ€å ·éžåŠ›å¹³è¡¡è®¾è®¡æ—¶ï¼Œåˆ»åˆ’è¿‡ç¨‹ä¸­åˆ€å ·ä¼šå—åˆ°è¾ƒå¤§æ°´å¹³æ‰­çŸ©ï¼Œæ˜“å¯¼è‡´åˆ€å ·é¢¤æŒ¯çŽ°è±¡ï¼Œä»Žè€Œå½±å“å è´¨é‡ã€‚ä¸ºæŠ‘åˆ¶åˆ€å ·é¢¤æŒ¯ï¼Œæé«˜å 刻划稳定性，针å...

å ¨è‰²å›¾åƒé”åŒ–æ˜¯é¥æ„Ÿæ•°æ®å¤„ç†é¢†åŸŸçš„ä¸€ä¸ªåŸºç¡€æ€§é—®é¢˜ï¼Œåœ¨åœ°ç‰©åˆ†ç±»ã€ç›®æ ‡è¯†åˆ«ç­‰æ–¹é¢å ·æœ‰é‡è¦çš„ç ”ç©¶æ„ä¹‰å’Œåº”ç”¨ä»·å€¼ã€‚è¿‘å¹´æ¥ï¼Œ æ·±åº¦å­¦ä¹ åœ¨è‡ªç„¶è¯­è¨€å¤„ç†ã€è®¡ç®—æœºè§†è§‰ç­‰é¢†åŸŸå–å¾—äº†å·¨å¤§è¿›å±•ï¼Œ ä¹ŸæŽ¨åŠ¨äº†åƒç´ çº§å ¨è‰²å›¾åƒé”åŒ–æŠ€æœ¯çš„å‘å±•ã€‚æœ¬æ–‡æå‡ºä»Žç»å ¸æ–¹å¼å’ŒååŒæ–¹å¼ä¸¤ä¸ªæ–¹é¢å¯¹æ·±åº¦å­¦ä¹ åœ¨å ¨è‰²å›¾åƒé”...

ä¸ºäº†æ‹“å±•å¯¹è®¡ç®—å ¨æ¯åŠ å¯†å›¾åƒçš„è§£å¯†æ–¹æ³•ï¼Œé’ˆå¯¹éžæ³•æ”»å‡»éš¾åº¦å¤§çš„å¯¹ç§°-éžå¯¹ç§°æ··åˆåŠ å¯†ç³»ç»Ÿï¼Œæå‡ºäº†ä¸€ç§åˆ©ç”¨ç¥žç»ç½‘ç»œæ¢å¤æ··æ²Œè™¹è†œç›¸ä½æŽ©æ¨¡è®¡ç®—å å¯†å›¾åƒçš„æ–¹æ¡ˆã€‚å¯¹æ˜Žæ–‡å›¾åƒè¿›è¡ŒåŠ å¯†ï¼Œç”Ÿæˆè®¡ç®—å ¨æ¯çš„å¯†æ–‡å›¾åƒï¼Œåˆ¶ä½œå¤§é‡çš„å¯†æ–‡æ˜Žæ–‡å›¾åƒå¯¹ä½œä¸ºæ•°æ®é›†ã€‚é€šè¿‡æ­å»ºç¥žç»ç½‘ç»œä¸æ–­åœ°è®­ç»ƒå’Œæµ‹è¯•ï¼Œè®­ç»ƒå®Œæ...

自20世纪90å¹´ä»£ä»¥æ¥ï¼Œä¸­å›½å†°å·åœ¨å ¨çƒå‡æ¸©å½±å“ä¸‹å¤„äºŽå ¨é¢åŠ é€Ÿé€€ç¼©çš„æ€åŠ¿ã€‚é•¿æ—¶åºçš„å†°æ¹–å˜åŒ–æ—¢èƒ½åæ˜ å†°å·æ¼”å˜è¿‡ç¨‹ï¼Œä¹Ÿå¯ä¸ºå†°æ¹–ç¾å®³ç ”ç©¶æä¾›é‡è¦ä¾æ®ã€‚æœ¬æ–‡æå‡ºä¸€ç§åŸºäºŽNDWI-NDSIç»„åˆæ³•æå–å†°æ¹–çš„æ”¹è¿›æ–¹æ³•ï¼Œæœ‰æ•ˆå¢žåŠ äº†é˜ˆå€¼åˆ†å‰²æ³•æå–å†°æ¹–çš„é€‚ç”¨èŒƒå›´ï¼Œä½¿å†°æ¹–çš„é”™åˆ†çŽ°è±¡å¾—åˆ°æžå¤§æ”¹å–„ï¼›å¹¶ä»¥1988å¹´â€...

é‡‡ç”¨è„‰å†²ç›´æµç£æŽ§æº å°„æ³•åœ¨Si（100）衬底上制备了AlN/Mo/Sc0.2Al0.8N复合结构薄膜，在该结构上通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术进行GaN薄膜的外延。使用原子力显微镜、高分辨X射线衍射、粉末Xå°„çº¿è¡å°„ã€æ‰«æç”µå­æ˜¾å¾®é•œå’Œæ‹‰æ›¼å ‰è°±ç ”ç©¶äº†Moæ’å ¥å±‚çš„åŽšåº¦å¯¹Sc0.2Al0.8N缓冲层和GaN外延层晶体质量的影响...