در این پایان نامه تأثیر مواد با ضریب شکست منفی روی پهنا و تعداد نوارهای گاف در بلورهای فوتونی دو بعدی مورد بررسی قرار گرفته است. با حل معادله ی ماکسول در دو بعد و استفاده از روش بسط موج تخت نوارهای گاف و مدهای مجاز به دست می آیند. با استفاده از نرم افزار مطلب نمودارهای پاشندگی و چگالی حالت را برای هر دو مد tm و te برای شش ساختار خاص رسم شده اند. ساختارها از استوانه های هم مرکز در زمینه ای مرب...

در این مقاله ویژگی های ساختاری، الکترونی و فونونی ایندیم نیترید در فاز ساختاری ورتسایت مورد بررسی قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم- اسپرسو انجام شده است.در محاسبات برای جملۀ تبادلی همبستگی ,تقریب های lda،gga و pbe0 به کار گرفته شده است. نتایج نشان می دهد که ایندیم نیترید در فاز ساختاری هگزاگونال یک گاف نواری مس...

مطالعات نظری انجام شده با استفاده از محاسبات نواری بستگی قوی روی پیوند اتم های کربن نشان می دهد که نانو نوار های دسته صندلی، بسته به مقدار عرض شان، می توانند فلز یا نیم رسانا باشند. در حالی که نانو نوار های زیگزاگ با هر پهنایی نیم رسانا هستند. در این پایان نامه با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی و به کمک محاسبات عددی به بررسی نوار انرژی، چگالی حالت هاو رسانش الکتریکی نانو نوارهای گ...

یکی از عواملی که مانع کاربرد وسیع نانو¬نوارهای سیلیسیم کاربید در صنعت الکترونیک می¬شود. گاف انرژی نسبتا بزرگ در آن است. تلاش¬های بسیاری برای کاهش این گاف انجام گرفته که مهم¬ترین آن¬ها عامل¬دار کردن این نانو¬نوارها به وسیله گروه¬های عاملی مختلف است. عامل¬دار کردن مناسب و سنجیده نانو¬نوارها حلا¬لیت و فرآیند¬پذیری را می¬تواند بهبود بخشد و سبب ظهور خواصی می¬شود که ناشی از ترکیب خواص منحصر به فرد نا...

در این پایان نامه، در ادامه روند حرکت ادوات نوری به سمت مقیاس نانو، یک ساختار اهمی کانال کوتاه را پیشنهاد کردیم. سپس با کمک فرمول بندی تابع گرین غیر تعادلی، مدلی ارائه کردیم تا بتواند عملکرد نور گسیلی این ساختار را با در نظر گرفتن آثار کوانتومی پیش بینی نماید. مدل ارائه شده علاوه بر در نظر گرفتن آثار کوانتومی قادر است رخدادهای فیزیکی موجود در فرآیند نورگسیلی را به خوبی پیش بینی و بسیاری از ابها...

در این پایان نامه با استفاده از معادلات حاکم بر گذار بین حالت های جایگزیده موجود در گاف انرژی و حالت های گسترش یافته نوارهای رسانش و ظرفیت در نیم رسانای سیلیکان هیدروژنه آمورف، قابلیت هدایت نوری حالت پایا محاسبه شده است. حالت های جایگزیده به صورت توزیع نمایی مربوط به کشیدگی نوار رسانش و ظرفیت و نیز حالت های پیوندی معلق در نظر گرفته شده است. وابستگی قابلیت هدایت نوری به دما و شدت نور تابشی مورد ...

ترکیبات سه تایی شیشه هایxsb- (60-x)v2o5-40teo2با0?x?15 (درصد مولی) با استفاده از روش سرمایش سریع مذاب تهیه شدند. طیف جذب نوری این شیشه ها در ناحیه طول موجی 1100-190 ثبت شدند. مکان لبه جذب و بنابراین مقادیر گاف نواری بدست آمد که مرتبط با ساختار شیشه ها است. برای این شیشه ها مقادیر گاف نواری در بازه 14/2-57/1 (ev) بدست آمد. روش انطباق طیف جذبی(asf) برای بدست آوردن گاف ها بکار گرفته شد. در این روش...

در این تحقیق نانوذرات (x=0.5, 0.8) Cd1-xZnxS به کمک تابش ماکروویو تهیه شدند. خواص ساختاری نانوذرات با استفاده از پراش پرتو ایکس و (FTIR) و (EDAX) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بررسی هایXRD نشان می دهد که ساختار بلوری نانوذراتCd0.5Zn0.5S از نوع مکعبی و نانوذرات Cd0.2Zn0.8S از نوع هگزاگونال می باشد و کوچکتر شدن اندازه بلورک ها وارد شدن Zn در شبکه را گزارش میدهد. طیف سنجی EDAX مقدار واقعی نمونه ها ر...

گرافین صفحه ای متشکل از اتم های کربن با ساختار شبکه ای لانه زنبوری است. به دلیل خواص رسانندگی منحصر به فردی که دارد امروزه بسیار مورد توجه قرار گرفته است .گرافین یک شبه فلز است که در ساختار نوار آن هیچ گاف انرژی وجود ندارد. با بریدن گرافین به شکل نانو نوارهای گرافینی می توان در ساختار نوار گرافین گاف ایجاد کرد. در این تحقیق به دنبال بررسی خاصیت رسانندگی الکتریکی نانونوارهای گرافینی با لبه زیگزا...

در این مقاله عملکرد سلول‌های خورشیدی سیلیکونی ناهمگون به صورت نظری بررسی شده است. ساختار مورد بررسی به صورت TCO/ a-SiC (P)/ GaP (i)/ a-Si (n)/a-Si (n+)/metal می‌باشد. در این کار به جای ساختار مرسوم که از یک لایه سیلیکون آمورف ذاتی برای افزایش بازده استفاده می شود، از یک لایه GaP (گالیوم فسفات) به عنوان لایه ذاتی استفاده شده است. مدل‌های مختلفی از این ساختار سلول خورشیدی شبیه‌سازی شد. تاثیر پارا...