این بررسی به منظور ارزیابی شاخص های انرژی و بهره وری تولید در نظام های کشت متداول مزارع سیب زمینی و چغندرقند استان اصفهان در سال زراعی 90 - 1389 در دانشکده کشاورزی دانشگاه صنعتی اصفهان انجام شد. داده ها با استفاده از آمار و اطلاعات سازمان جهاد کشاورزی استان و تهیه پرسش نامه از زارعین سیب زمینی و چغندرکار تخمین زده شد. نتایج نشان داد که کل انرژی عوامل و نهاده های به کار برده شده در نظام تولید سی...

  The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...

در این مقاله، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی یکی از جدیدترین دگر شکل های کربنی برمبنای نظریه تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k بررسی شده است. نتایج ما نشان می دهند که این ساختار از نظر الکترونی و مغناطیسی، با داشتن گاف انرژی ای در حدود 2/2 الکترون-ولت و گشتاور مغناطیسی کل 0013/0 مگنتون بوهر به ازای هر سلول یکه، تقریبا یک نیمه رسانای غیر مغناطیسی است. همچنین، از نظر خواص اپتیکی ن...

یارانه مبلغی است که دولت می پردازد تا تمام اقشار جامعه از حداقل امکانات رفاهی استفاده نمایند. به این ترتیب هدف از پرداخت یارانه انرژی کمک به اقشار کم درآمد جامعه برای تحقق عدالت اجتماعی است. اما برخلاف تعریف فوق با پرداخت یارانه به صورت غیر مستقیم (ارائه انرژی به قیمتی پایین تر از قیمت تمام شده) یارانه بر عکس عمل می کند. چرا که ضریب استفاده اقشار پر درآمد از انرژی بسیار بالاتر از اقشار کم درآمد...

در این مقاله ویژگی های ساختاری و  الکترونی ازجمله  ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکم پذیری،بهینه سازی حجم ، ساختار نوارهای انرژی، چگالی حالت ها و چگالی ابرالکترونی نیم رسانای منیزیم سلنید (mgse) درفازهگزاگونال برای ساختارb4 مورد بررسی قرار می گیرد. محاسبه ها بااستفاده ازروش امواجتخت تقویت شدۀخطیباپتانسیل کامل، درچارچوبنظریۀتابعیچگالی (dft) وبااستفادهازنرمافزار wien2kصورتگرفت.نتیجه هایبه دستآمدهیک گاف...

در این مقاله با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی، تأثیر میدان الکتریکی خارجی را در خواص الکترونی و اپتیکی گرافین دولایه و بورون‌نیترید دولایه و دولایۀ گرافین/بورون­نیترید با چینش AB بررسی کرده‌ایم. بررسی ما نشان می­دهد که ساختار الکترونی تمام این ساختارها در حضور میدان الکتریکی تغییر کرده، گاف انرژی آنان از این طریق کنترل‌پذیر می‌شود. با اِعمال میدان الکتریکی بر ساختار گرافین­دولایه، رابطۀ پاشندگی ا...

نانولوله ها دارای تنوع بسیار در قطر و کایرالیتی هستند و خصوصیات الکتریکی آنها شدیداً به هندسه شان وابسته است در نتیجه خصوصیات الکتریکی بسیار متفاوتی دارند. نانولوله ها می توانند فلز، نیمه رسانا با گاف انرژی کوچک یا نیمه رسانا با گاف انرژی متوسط باشند. به علت این تنوع تعیین گاف انرژی آنها امری پیچیده است. در این پایان نامه گاف انرژی نانولوله های کربنی را در دو بخش محاسبه کردیم. در بخش اول با استف...

پس از مطالعه معماری c60 به منظور بدست آوردن موقعیتهای کربن در یاخته واحد fcc در دمای اتاق، محاسبات خودسازگار را با استفاده از کد محاسباتی wien2k بر پایه نظریه تابعی چگالی و پتانسیل کامل با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافته با اوربیتالهای موضعی برای الکترونهای ظرفیت و شبه مغزه (apw+lo) انجام داده ایم. برای واهلش اتمهای کربن در ساختار بلوری، محاسبه طول پیوندها، انرژی همدوسی حالت جامد fcc-c60 ، ...

در این مقاله، نتایج حاصل از محاسبات تابعی چگالی را در بسته نرم‌افزاری VASP برای خوشه‌های CdnTen (10-1=n) و با استفاده از تقریب چگالی موضعی به روش امواج تصویری تقویت شده ارائه شده است. خواص ساختاری (طول و زاویه پیوند، عدد هم‌آرایی و پایداری)، الکترونی و اپتیکی (انرژی بستگی بر اتم، اختلاف مرتبه دوم در انرژی کل، گاف انرژی و چگالی بار جزئی) حالت‌های پایه خوشه‌ها مورد تجزیه تحلیل قرار گرفته اند. با ...

در این مقاله ساختار نوارهای انرژی و چگالی حالت ها در بلور ?-Al2O3 با استفاده از روش امـواج تخت تقویت شده خطـی بـا پتانسیل کامــل (FP-LAPW) درچارچوب نظریة تابعی چگالی (DFT) هوهنبرگ، کوهن و شم با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) محاسبه شده است. نتایج نشان می?دهد ?-Al2O3 یک گاف نواری مستقیم درنقطه به اندازه eV3/6 دارد که بیشترین سهم در نوار ظرفیت مربوط به اربیتال های S2 و P2 اکسیژن و در نوار رسانش مربو...