: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله­ های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار می­گیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان می­دهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری بهینه، گاف فوتونی کامل با پهنای قابل ملاحظه­ای وجود دارد. پهنای گاف فوتونی کاملِ به دست آمده در این تحقیق از تمامی مق...

نظریه تابعی چگالی (DFT) و نظریه اختلال بس ذره‌ای G0W0 به منظور بررسی تغییر خواص الکترونی پلیمر پلی‌تیوفین (PT) در مجاورت گرافین به کار گرفته شدند. نتیجه تحلیل تغییر چگالی بار نسبت به قبل از برهمکنش متقابل، نشان دهنده‌ی شکل-گیری دوقطبی الکتریکی قوی و جذب از نوع فیزیکی در سطح می‌باشد. تغییر پتانسیل الکتریکی محاسبه شده نشان‌دهنده‌ی تغییر تابع کار به مقدار از مقدار اولیه آن است. نتایج به دست آمده ا...

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

در این پژوهش، نانوذرات اکسید تیتانیوم آلاییده با آهن در غلظت مولی Fe/Ti از 1 تا 10% و دمای بازپخت 400 تا oC800 توسط طیف سنجی پراش اشعه x ، تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی تراگسیلی (TEM) و طیف سنجی بازتاب پخشی (DRS) مورد مطالعه قرار گرفت. اندازه نانوذرات سنتز شده با استفاده از تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی تراگسیلی از 6 تا nm 100 تخمین زده شد. مطالعات اپتیکی طیف سنجی بازتاب پخشی نشان داد که آلای...

ترکیب بس بلور  ndba2-xlaxcu3o7-δ  با 3 0 / 0 ،2 0 / 0 ، 15/ 0 ، 1 0 / 0 ، 0 5/ 0 ، 0 =x به روش استاندارد واکنش حالت جامد ساخته شدند. خواص ترابردی و ابررسانایی آن با اندازه گیری مقاومت ویژه الکتریکی به صورت تابعی از دما و تراکم آلایش مطالعه شده است. به منظور اندازه گیری تراکم حاملها در صفحات 2 cuo ، توان گرماالکتریسته در دمای اتاق به صورت تابعی از تراکم آلایش la اندازه گیری شده است. با افزایش تر...

در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک نواخت به اتم­های دو جای گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می پردازیم. محاسبات به کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی که در ...

در این مقاله رسانندگی الکترونی یک بسپار پلی پیرول ( ppy ) متصل به دو هادی فلزی در رهیافت بستگی قوی و به روش تابع گرین بررسی شده است. در ابتدا ساختار پلی پیرول را به کمک روش بازبهنجارش، به یک ساختار یک بعدی تبدیل کرده، سپس رسانندگی آنرا برحسب طول بسپار، انرژی پرش اتصال با هادی ها به دست آورده ایم. نتایج نشان می دهد که در نواحی گاف، با افزایش طول و کاهش انرژی پرش اتصال ها، رسانش الکترونی کاهش می ...

در مسیر جستجوی درک الکترونهای همبسته, ابررسانایی دمای بالا هنوز به عنوان یک چالش بزرگ و هم یک منبع درک بیشتر ما باقی مانده است. این مقاله به طور خلاصه دستاوردهای اصلی مطالعه ترابرد گرمایی در دماهای پایین را بیان می کند. در دماهای خیلی پایین شبه ذرات گره ای در گاف ابررسانایی –d موجی تبدیل به حاملین اصلی حرارت می شوند. بی نظمی در رسانندگی حرارتی آنها تاثیری نمی گذارد که این بازتابی از خواص زیر گا...

ساختار مس گونه cis به عنوان ماده جاذب برای سلول های خورشیدی لایه نازک کاربرد تجاری گسترده ای دارد. در این تحقیق روش ساخت لایه نازک ‎ cis ‎و cigs به روش الکتروشیمیایی توضیح داده شده است. ابتدا لایه های ‎ci ‎ و cig با استفاده از روش آبکاری الکتریکی لایه نشانی شده اند سپس نمونه ها در کوره تحت دمای 470‎ درجه سانتی گراد سلنیوم دار شده اند. این فرایند بر روی بستری از شیشه های ‎soda-lime ‎ که مولیبدن ...