در این مقاله گاف نوارهای بلور فوتونیکی یک بعدی با استفاده از دو روش ماتریس انتقال و روش ضرایب فرنل مقایسه می شود. در روش استفاده از ضرایب فرنل، با در دست داشتن ضرایب شکست هر یک از لایه ها و هم چنین زاویه تابش اولیه به سطح بلور، ضرایب فرنل عبوری و بازتاب بلور محاسبه شده و بعد شرط های لازم و کافی برای بازتاب صد درصدی از سطح بلور متشکل از دی الکتریک های دو لایه ای به دست می آیند. با در نظر گرفتن ا...

سرامیک­های دی الکتریک به دلیل تنوع در ترکیب و داشتن ویژگی­های دی الکتریک منطبق با نیازمندی­های صنعت الکترونیک و ارتباطات بیسیم به­شدت مورد توجه واقع شده­اند. از جمله این سرامیک­ها، می­توان به کامپوزیت­های سرامیکی اشاره کرد که با ارائه ویژگی­های دی الکتریک مطلوب در محدوده فرکانس امواج مایکروویو و با داشتن یک فاز سرامیکی دی الکتریک و یک فاز شیشه به­عنوان کمک­زینتر در فناوری پخت همزمان کم­دمای سرا...

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

این کار شامل دو بخش بود: 1- در این تحقیق، جذب سطحی متیلن بلو روی آگار در مخلوط های دو تایی آب- الکل شامل اتانول، 1-پروپانول،2-پروپانول،t-بوتانول و در حضور nacl وhcl در دماهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفت. مشخص شد که با افزایش درصد وزنی الکل ها جذب سطحی متیلن بلوکاهش می یابد. جذب سطحی متیلن بلو در حضور naclو hcl نیز کاهش می یابد. همدما های جذب سطحی شامل دو ناحیه بودند. در ناحیه اول مولکول های مت...

بلورهای فوتونیکی، مواد دی الکتریکِ مصنوعی با ضرریب شکسرت تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدیردی دارنردا ایربلورها نشان داده اند کره نتیهره اراکنردگی بررا در یرک ررا تاردی الکتریکِ متناوب، اارخی به شکل گرا بانرد فوترونیکی اررتاای گا ها از حضور فوتو نها در یک دامنه انرژی معیّ جلروگیریبه عمل می آورندا وقتی تناوب شبکه با وارد کرردن یرک ن ره برهدرون بلور فوتونیکی شکسته می شود، یک م ر د ن ره جا...

‏اخیراً‎ توجه زیادی به پدیده های تراهرتز در مواد الکترونیکی بوده است. این عمدتاً به دلیل پیشرفت سریع چشمه های لیزر ‏توان بالا,‎ ‎‏طول‎ موج بلند و ‎تنظیم‎ پذیر مانند لیزرهای الکترون آزاد است. نظر به پیشرفت سریع پدیده تراهرتز جفت شدگی فوتون الکترون الزامی است. کمیت سودمند در درک ویژگی های انتقالی و نوری یک سیستم الکترونی,‎ ‎‏تابع‎ دی الکتریک است. در این پایان نامه,‎ ‎‏ما‎ یک پژوهش نظری از ویژگی های...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

بلورهای نوری محیطی با خواص نوری متناوب هستند که از لایه های مواد دی الکتریک متناوب به صورت یک، دو و یا سه بعدی تشکیل شده اند. یکی از خواص مهم این ساختارها، کنترل عبور نور به علت وجود باند ممنوعه نوری و نیز وجود نقص هایی در آن ها است. نقص در بلورهای نوری در اثر تغییراتی در ساختار دی الکتریک های بلور است که خود می تواند یک، دو و یا سه بعدی باشد. اگر در بلورهای نوری نمودار فرکانس بر حسب بردار مو...

قالب سازی برای شارش مناسب نور در مقیاس طول موج آن، چالش بزرگ بحث بلورهای فوتونی می باشد. موجبرهای بلور های فوتونی معمولا با ایجاد نقص های خطی بدست می آید، مشروط بر این که بلور فوتونی در فرکانس مورد نظر دارای گاف باند فوتونی باشد. اخیرا، با معرفی بلورهای فوتونی مدرج فرآیند موجبری بدون نیاز به ایجاد نقص داخل ساختار انجام شده است. این بلورها به وسیله ی ایجاد تغییرات تدریجی در پارامترهای بلور فوتون...

فوتونیک کریستال­ها(pc)با خواص اپتیکی ویژه، می­توانند به منظور افزایش جذب نور و بهبود بازدهی تبدیل سلول­های خورشیدی استفاده گردند. ممانعت از انتشارطول­موج­های خاصی از نور در فوتونیک کریستال­ها منجر به افزایش طول مسیر نور در الکترود فعال سلول خورشیدی می­شود که احتمال جذب فوتون را بالا می­برد. در این مقاله، از روش آندایز دومرحله­ای برای تولید سلول خورشیدی حساس شده با رنگدانه (dssc) استفاده شده است...