در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

چکیده در مقاله حاضر به بررسی طراحی و ساخت یک نوع سنسور فشار دینامیکی متکی بر ساختار پیزوالکتریک پرداخته شده است. عناصر مهم و اصلی سنسور از پیزوالکتریک اسکرین پرینت شده که به عنوان عنصر حسگر عمل می کند و همچنین 5 قطعه اساسی شامل دیافراگم، هوسینگ، الکترودها و کانکتور تشکیل شده است. از فرایندهای جوش لیزر به همراه وایرکات، ماشینکاری تخلیه الکتریکی، قالب پرس، تراشکاری، فرزکاری و …در روش ساخت استفاده...

در این تحقیق خواص الکترونی و اپتیکی بلور پیزو الکتریک (sr3)x nbga3si2o14 (ca3)1-x به ازاء0 ,1/2 ,1) (x= با استفاده از روش پتانسیل کامل موج تحت افزوده شده خطی (fp-lapw) و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که در جا به جایی ابر الکترونی نسبت به دو بلور دیگر بیشتر است. همچنین گاف نواری نسبت به به اندازهev 21/0 افزایش می یابد..این افزایش گاف روی خواص الکترواپتیکی تاثیر می ...

یکی از راههای مناسب برای تامین انرژی مورد نیاز که امروزه مورد توجه اکثر کشورها قرار گرفته است استفاده از انرژی هسته ای می باشد.در حال حاضر مشکل ترین مانع بر سر راه تولید این نوع انرژی ، تامین سوخت آن است که هم از نظر محدود بودن میزان ذخائر اورانیم و هم از لحاظ امکانات تکنولوژی ، استفاده از راکتورهای قدرت هسته ای را پیچیده ساخته است . باید اضافه نمود که در اغلب موارد قیدو بند های سیاسی نیز مساله...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه si(100) و si(111) به بررسی نان...

برداشت انرژی یا مهار انرژی، فرایند استخراج انواع انرژی محیط پیرامون، از طریق روشهای مختلف است. عدم نیاز به تعویض باتری‌های فرسوده، کاهش هزینه‌های تعمیر و نگهداری ناشی از بررسی و جایگزینی باتری‌ها برای شبکه‌های بی‌سیم و استفاده از ابزارهای پزشکی قابل نصب در داخل بدن از دلایل مهم استفاده از برداشت‌کننده‌های انرژی می‌باشند. مواد پیزوالکتریک دسته‌ای از مواد هوشمند می‌باشند که کرنش مکانیکی را به ولت...

تلاش زیادی که در طراحی مدار های الکترونیکی با چگالی بالا (مجتمع سازی) صورت گرفته است با چند چالش اساسی مواجه شده اند. بارزترین آن ها، رشد فیلم های دی الکتریک فرا نازک نظیر al2o3 , aln, tio2 , si3n4 , sioxny است. رشد فیلم های فرانازک با استفاده از اکسیژن و نیتروژن می تواند دو مشکل نفوذ بور و تونل زنی از گیت دی الکتریک را کاهش دهد. در اینجا ما طیف فوتوگسیلی اشعه ی x در si2p , si2s , o1s ,n1s را ب...