در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...

در این کار نمونه های سیلیسیوم متخلخل از سونش الکتروشیمیایی ویفر سیلیسیوم نوع p با ساختار تک بلوری با جهت (100) به قطرcm ?/0 ± ?? و مقاومت ویژه ?.cm ?/?ـ?/?، در محلول الکترولیت برمبنای اسید هیدروفلوریک تهیه شده اند. نمونه های متخلخل تحت شرایط آندی سازی مختلف از جمله زمان آندی سازی و غلظت hf بدست آمدند. خواص الکتریکی dc قطعات ساندویچی ساخته شده از سیلیکان متخلخل(ps) که با نانو لایه های کلروایند...

چکیده ندارد.

در این مقاله  ساختار سطحی سیلیکان متخلخل ضمن حکاکی ناهمگن مورد مطالعه قرار می گیرد. داده ها و تصاویر دو بعدی و سه بعدی حاصل از میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی  FESEM و میکروسکوپ نیروی اتمی AFM مورد تحلیل آماری و محاسباتی قرار می گیرند. تصاویر FESEM بیانگر ایجاد ساختارهای هرم گونه ضمن فرایند حکاکی است. محاسبات مبتنی بر تعیین زبری و تابع همبستگی نشان می دهند که سطح موثر و ابعاد هرم ها ضمن حک...

چکیده ندارد.

با توجه به اهمیت حمل ونقل در جهان امروز و استفاده از مصالح نوین در زیرساخت های حمل و نقل جاده ای، دریایی، هوایی و ریلی، تحقیق در این زمینه مورد توجه است. روسازی ها شامل دو دسته صلب و انعطاف پذیر هستند. نمونه روسازی های انعطاف پذیر، روسازی های آسفالتی و نمونه روسازی های صلب، روسازی های بتنی است. بتن متخلخل (pervious concrete) یکی از انواع روسازی های صلب می باشد. مهمترین مزیت آن توانایی عبور آب ا...

Porous silicon (PS) samples are obtained by electrochemical anodization of Si wafers in HF+DMF solution. The hydrogen complex components are formed on the inner surface walls of porous silicon. In this work the depth profile of porous silicon is estimated by measurement of hydrogen content in the depth of the sample. Since the well-known ion beam analysis simulation programs are inappropriate f...

Reflection spectra of four porous silicon samples under etching times of 2, 6, 10, and 14 min with current density of 10 mA/cm2 were measured. Reflection spectra behaviors for all samples were the same, but their intensities were different and decreased by increasing the etching time. The similar behavior of reflection spectra could be attributed to the electrolyte solution concentration which ...

نانو ذرات  Siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه  p-Si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در ن...

در این پژوهش نانوذرات هسته-پوسته اکسید آهن-سیلیکان (fe3o4/sio2) با روش دومرحله ای ساخته شدند. ابتدا نانوذرات fe3o4 با روش هم رسوبی یون های آهن (fe+2 و fe+3) در محیط قلیایی و بدون استفاده از سورفکتانت ساخته شد  و سپس پوسته سیلیکان با روشی غیر حرارتی و بدون استفاده از اتصال دهنده ها روی نانوذرات fe3o4 نشانده شد. سهولت این روش قابل توجه است. بررسی الگوهای پراش اشعه ایکس پودرهای حاصل نشان می دهد که...