امروزه پیشرفت های صورت گرفته در شبکه های مخابراتی موجب افزایش سرعت انتقال داده ها شده است، به همین منظور تکنولوژی بدون مجوز uwb با قابلیت انتقال داده mbps500 و پهنای باند ghz5/7 ( ghz10/6 – ghz3/1)، بیش از پیش مورد توجه قرار گرفته است. مخلوط کننده مبدل کاهش فرکانسی یکی از مهمترین اجزای گیرنده های rf محسوب می شود، که برای تبدیل فرکانس rf به فرکانس میانی if استفاده می شود. مخلوط کننده مناسب برای ...

اکسید تنگستن یک نیمه رسانا با گاف انرژی پهن و خواص رنگ پذیری شناخته شده ای می باشد. این اکسید فلزی خواص و کاربردهای بسیاری از جمله خاصیت الکتروکرومیک، فوتوکاتالیست و حسگر گازی دارد. از این بین خواص رنگزایی آن در حضور گاز هیدروژن بسیار مورد توجه می باشد. امروزه گاز هیدروژن به عنوان سوخت پاک و تجدید پذیر جایگزین مناسبی برای سوخت های فسیلی در مصارف خانگی، صنعت و خصوصاً بخش حمل و نقل به شمار می رود....

ابداع حسگرهای تصویر حالت جامد ، انقلابی را در صنعت عکاسی به وجود آورد. این حسگرها، به سرعت توانستند جانشین فیلم های عکاسی شوند. بدین ترتیب، تصویربرداری دیجیتال، جایگزین واکنش های شیمیایی شد. هر چند دوربین های دیجیتال، یکی از کاربردهای اصلی حسگر تصویر به شمار می آیند، اما امروزه، در تمامیِ ادوات تصویربرداری دیجیتال، در زمینه های گوناگون رباتیک، نجوم، ابزار پزشکی، تلفن های همراه، اسباب بازی ها و غ...

با استفاده از یک روش تابع گرین تعمیم یافته و فرمولبندی لانداور، اثر دما بر مشخصه های جریان- ولتاژ (i-v) مولکول c60 در سیستم فلز/c60/ فلز به صورت عددی بررسی می شود. علاوه بر این، تاثیر قدرت جفت شدگی الکترون- فونون بر خواص الکترونی این مولکول نیز مورد بحث قرار می گیرد. مشخصه های i-v مولکول در دو حد دمایی t=3k و t=300k تعیین می شوند. نتایج ما نشان می دهد، مولکول c60 که در دماهای پایین خاصیت نیم رس...

اخیراً چسب های رسانای الکتریسیته به عنوان جایگزین بالقوه لحیم های دارای سرب، توجه و تمرکز زیاد پژوهشگران را به خود معطوف کرده اند. این چسب ها براساس مسیر رسانایی، به دو دسته کلی همسانگرد و ناهمسانگرد تقسیم م یشوند. کاربرد اصلی چسب های رسانای همسانگرد در زمینه قطعات الکترونیک است. مطالعاتی که در زمینه چسب های رسانای الکتریسیته انجام شده است، نشان می دهد که این چسب ها نسبت به فناوری سنتی اتصال...

کاربرد نانو ذرات (نانوبلورهای نیم رسانا) باعث افزایش بازدهی سلول های خورشیدی فوتوولتائی می شوند. عموماً با جذب یک فوتون در دستگاه نیم رسانای فوتوولتائی یک جفت الکترون حفره ایجاد می شود که تفاضل انرژی فوتون نسبت به گاف نوار نیم رسانا در اثر برهم کنش الکترون و حفره با شبکه بلور به صورت گرما هدر می رود، به تازگی برای نانو بلورهای نیم-رسانای محلول نشان داده شده است که این انرژی اضافی می تواند چندین ...

تلاش زیادی که در طراحی مدار های الکترونیکی با چگالی بالا (مجتمع سازی) صورت گرفته است با چند چالش اساسی مواجه شده اند. بارزترین آن ها، رشد فیلم های دی الکتریک فرا نازک نظیر al2o3 , aln, tio2 , si3n4 , sioxny است. رشد فیلم های فرانازک با استفاده از اکسیژن و نیتروژن می تواند دو مشکل نفوذ بور و تونل زنی از گیت دی الکتریک را کاهش دهد. در اینجا ما طیف فوتوگسیلی اشعه ی x در si2p , si2s , o1s ,n1s را ب...

در کار حاضر، نانوذرات tio2 سنتز شده در فازهای مختلف (آناتاز یا روتایل) به وسیله ی روش سل-ژل ونیز نانوذرات sno2 سنتز شده توسط روش گرمایی آبی، به تنهایی و یا به صورت ترکیبی (با درصد وزنی های مختلف tio2) بطور کامل در محلول اسیدی مونومرهای انیلین پخش گردیدند و نانوکامپوزیت پلی انیلین (امرآلدین)/ tio2 (با فازهای مختلف)، پلی انیلین (امرآلدین)/ sno2 یا پلی-انیلین (امرآلدین)/ tio2 / sno2 از طریق پلیمری...

اکسید تیتانیوم یا تیتانیا از کاربردهای بسیار وسیعی برخوردار است و از این رو توجه فوق العاده پژوهشگران و صنعتگران را به خود جلب کرده است. با فراهم شدن امکان ساخت نانو ذرات و نانو لایه های تیتانیا شاهد تغییرات جالبی در خواص فیزیکی و شیمیایی آن هستیم. از طرف دیگر، نیمرسانا های مغناطیسی رقیق نیمرساناهایی هستند که با تزریق موثر اسپین اتم های جانشانی مغناطیسی مانند فلزات واسط دارای خواص مغناطیسی میشو...

در این پژوهش، ابتدا ضریب پذیرفتاری یک سیستم سه ترازی با مدل v با استفاده از رهیافت ماتریس چگالی جهت بررسی ضریب شکست گروه و سرعت گروه نور تحت پدیده ی شفافیت القایی الکترومغناطیسی، محاسبه شده است. با استفاده از معادله شرودینگر ویژه مقادیر و ویژه توابع نقاط کوانتومی استوانه ای گالیم-آرسناید با پتانسیل سهموی محاسبه شده است. سپس با در نظر گرفتن قطبش نور در دو جهت x و z اثرات پارامترهای متفاوتی از جم...