یک سلول uhv شکست اتمی هیدروژن جهت تولید هیدروژن اتمی به منظور تمیز سازی درجای نمونه های نیمه هادی ساخته شده است. این سلول به منظور تمیز سازی نمونه های گروه سه تا پنج جدول تناوبی عناصر نظیر gaas تنظیم و مورد آزمایش قرارگرفته است. درکارحاضر فرایند شیمیایی تمیزسازی هیدروژن نمونه های gaas توسط طیف سنجی جرمی مورد مطالعه قرارگرفت. روش xps روی نمونه ها در مراحل مختلف تمیزسازی به کارگرفته شد. دفع اکسید...

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

: امروزه از یک سو، تجهیزات الکتریکی در هر کشتی برای ارتباطات، سیستم‌های موقعیت‌یابی، راندن موتورها مورد نیازند و از سوی دیگر، امکان کنترل موتورهای الکتریکی با سرعت متغیر در یک محدوده کوچک با توان بالا، قابلیت اطمینان و قیمت تمام شده، راه حل های رقابتی، استفاده از رانش الکتریکی را ضروری ساخته است. یکی از بخش های تشکیل دهنده‏ی سیستم رانش الکتریکی کانورترها هستند که به منظور دستیابی به سطوح ولتاژ ...

دو رویکرد متداول برای شبیه سازی ادوات نیمه هادی، روش های مبتنی بر معادلات موازنه و مونت کارلو هستند. در روش مونت کارلو، تابع توزیع بولتزمن محاسبه می شود و سپس از روی آن کمیت های فیزیکی بدست می آیند. اما در روش های مبتنی بر معادلات موازنه، تابع توزیع محاسبه نمی شود، بلکه مستقیماً کمیت های فیزیکی مورد نیاز بدست می آیند. از آنجائیکه روش مونت کارلو به شدت نویز پذیر است و به زمان پردازش زیادی نیاز دا...

سنسور میدان مغناطیسی مبدلی است که میدان مغناطیسی را به یک سیگنال الکتریکی تبدیل می کند. سنسورهای نیمه هادی گالوارنومگنتیک ، با توجه به نیروی لورنتس که به حاملهای بار وارد می شود، به میدان مغناطیسی حساس می باشند. در این پایان نامه ابتدا به فیزیک اثر هال که یکی از مشهودترین آثار گالوانومگنیک می باشد، در نیمه هادیها پرداخته شده است . ابتدا یک تحلیل تقریبی ارائه شده و سپس روابط دقیقتر برای ضرایب اس...

با استفاده از یک مدل تحلیلی مبتنی بر حل معادله دوبعدی پواسون، پتانسیل سطحی نمائی در دو ماسفت کانال کوتاه n و p را محاسبه و رسم کرده ایم. پتانسل سطحی بر حسب طول برای ماسفت های کانال  mm1 مذکور تغییرات زیادی را در طول کانال از چشمه تا چاهک نشان می دهد که این رفتار را می توان به آثار کانال کوتاه نسبت داد در حالی که مقدار آن در همین ناحیه برای ماسفت کانال  mm3 ثابت است. سپس ولتاژ آستانه بر حسب تابع...

درمسیر بررسی امکان ایجاد صنعت نیمه هادی در ایران بامطالعه دقیق وضعیت علمی و آموزش کشور بر مبنای آمارهای موجود مشخص می گرددکه آنچه بایستی بعنوان پایه های اصلی و نگاهدارنده صنایع بویژه صنعت بسیار ظریف و دقیق و درعین حال پیچیده نیمه هادی در سطح مملکت وجود داشته باشد همان علم و دانش و توجه به امربسیار حیاتی آموزش در تمامی سطوح است که بطرز قابل ملاحظه ای سست و لرزان است . لذا ایجاد صنعت حساس و استرا...

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

لیزرهای میکروحلقه نیمه هادی (smrls) در مدارهای منطقی نوری بسیار مورد توجه قرار گرفته اند و مطالعات زیادی بر روی آن ها صورت گرفته است. در این زمینه با استفاده از معادلات آهنگ لیزر نیمه هادی و در نظر گرفتن اثرات اپتیکی غیر خطی مانند پس پراکندگی، اثر اشباع متقابل بهره، اثر خود اشباعی و ... رفتار لیزر را بررسی و شرایط پایداری مدهای آن را مورد مطالعه قرار داده اند. در اغلب این بررسی ها تنها تغییرات ...

تقویت کننده نوری نیمه هادی بدلیل داشتن ویژگی های مطلوب مانند طیف بهره مناسب، سهولت در یکپارچه سازی با قطعات دیگر و نیز کاربرد اثرات غیرخطی این نوع تقویت کننده در سیستم های نوری چندکاناله، در سیستم های ارتباطات فیبر نوری کنونی بسیار مورد توجه می باشد. در این پایان نامه تلاش شده است تا با شبیه سازی مدلهای مبتنی بر تقویت کننده های نوری نیمه هادی، محدودیت ها و مزیت های این نوع تقویت کننده در سیستم...