لایه های نازک نیمرسانای اکسیدی شفاف به خاطر اثرات الکتریکی و نوری آنها در ناحیه طیف مرئی همواره مورد توجه بوده اند،کاربردهای وسیع آنها در دستگاههای نوری، الکترونیکی، ترانزیستورها، دیودها وغیره باعث شده که بیشتر مورد توجه قرارگیرند.

در این مقاله، با استفاده از نظریه پاسخ خطی هارتری-‌‌‌ فاخ، پذیرفتاری مغناطیسی یک گاز الکترونی آزاد قطبیده اسپینی که تحت یک میدان مغناطیسی استاتیک قرار دارد به صورت تحلیلی بررسی می­شود. با توجه به تقریب­های مختلف برای شکل پتانسیل تبادلی، خودمان را محدود به یک مدل نواری دو اسپینی ساده­ای برای گاز فرومغناطیسی می­کنیم. در این مدل فرض می­شود که نوارهای مربوط به الکترونهای با اسپین بالا و پایین نسبت ...

با حل مستقیم معادله ترابردی بولتزمن به روش تکرار، بستگی تحرک پذیری به دما و چگالی الکترونها در نیمرسانای te cd0.2 hg0.8 محاسبه و با دو نیمرسانای cdteو hgte مقایسه شده است. در محاسبه تحرک پذیری، پراکندگی از فونون های آکوستیکی، پیزوالکتریک، اتم های ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است. نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه...

اسپینترونیک شاخه ی جدیدی از نانوالکترونیک است که بر استفاده از اسپین الکترون برای ساخت قطعات الکترونیکی جدید با کارایی بالاتر نسبت به الکترونیک سنتی تاکید دارد. نانوساختارهای مختلط فرومغناطیسی و ابررسانایی عناصر اصلی اسپینترونیک را تشکیل می دهند. مطالعه ی خصوصیات ساختارهای مختلط فرومغناطیسی و ابررسانایی به دلیل پتانسیل بالای آنها برای کاربرد در ساخت قطعات الکترونیکی جدید بسیار مورد توجه قرار گر...

ترکیبات سه تایی شیشه هایxsb- (60-x)v2o5-40teo2با0?x?15 (درصد مولی) با استفاده از روش سرمایش سریع مذاب تهیه شدند. طیف جذب نوری این شیشه ها در ناحیه طول موجی 1100-190 ثبت شدند. مکان لبه جذب و بنابراین مقادیر گاف نواری بدست آمد که مرتبط با ساختار شیشه ها است. برای این شیشه ها مقادیر گاف نواری در بازه 14/2-57/1 (ev) بدست آمد. روش انطباق طیف جذبی(asf) برای بدست آوردن گاف ها بکار گرفته شد. در این روش...

در این پایان نامه مسئله ترابرد الکترون ها در دو نیمرسانایinn وaln درحضور میدان های الکتریکی ضعیف با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر مورد بررسی قرارگرفته است . نتایج این مطالعه نشان می دهد که درمیدان های الکتریکی ضعیف ( v/cm 104 ) ، تنها الکترون های واقع در دره مرکزی? در ترابرد الکترون ها سهیم می باشند و گذارهای بین دره ای و بین نواری وجود ندارد ، درحالیکه در میدان های الکتریکی قو...

به کمک روش نشست بخار شیمیایی و کوره الکتریکی، سنتز انواع نانو ساختارهای تک بعدی نیمرسانای نیتروژندار با موفقیت انجام شد. برای این منظور، اقدام به طراحی یک سیستم رشد نانوساختارهای نیمرسانای نیتروژندار کردیم. این سیستم متشکل از کوره الکتریکی، کپسول های گاز فعال و حامل، لوله های اتصال و شیرهای سوزنی، درپوش ها، لوله آلومینا و کوارتز، فلومترها، گازشو و سیستم خنک کننده کوره می باشد. واکنش شیمیایی میا...

در این کار ابتدا لایه های نازک سلنیدروی (znse) به روش تجزیه گرمایی افشانه ای روی زیرلایه های شیشه ای رشد داده شدند. سپس اثر پارامترهای مختلف رشد نظیر دمای لایه نشانی، آهنگِ شارش محلول، نسبت وزن مولی سلنیوم دی اکساید به کلریدروی، میزان حجم محلول اسپری، دمای بازپخت و همچنین مدت زمان آن بر روی ساختار بلوری و خواص اپتیکی لایه های تهیه شده بررسی شد. بررسی طیف xrd و همچنین تصاویر sem ثبت شده برای نمو...

سامانه های مزوسکوپیکی به سامانه هایی که از نظر مقیاس بین دو حد میکروسکوپیکی و ماکروسکوپیکی قرار دارند گفته می شود. اندازه ی این سامانه ها از مرتبه ی نانو-متر می باشند. در سال های اخیر سامانه های شامل ابررساناها و پیکربندی های اسکوئیدی نانو-مقیاس مورد توجه فراوانی قرار گرفته اند. دلیل این توجه زیاد، کاربردهای اساسی این گونه پیکربندی های مزوسکوپیکی در دستگاه های فوق حساس صنعتی و نظامی می باشد. هن...

. نمونه ها در دماهای مختلف 600 تا 1200 درجه ی سانتیگراد پخت شدند. طیف پراش اشعه ی ایکس نمونه ها نشان داد که نمونه های ساخته شده در دماهای پایین تر از 900 درجه ی سانتیگراد تک فاز نبوده و موارد متعددی از قله های ناخالصی در طیف آنها مشاهده شده است. نمونه های ساخته شده در دمای 900 درجه ی سانتیگراد و بالاتر در هر دو روش ساخت، سل ژل و edta، تقریباً تک فاز بودند. همچنین به منظور بررسی اثر اکسیژن بر روی...