در این پژوهش، آشکارساز فلز- نیم رسانا- فلز بر مبنای algan با استفاده از مدل مونت کارلو سه دره ای شبیه سازی شده است. در مدل ارائه شده باندهای انرژی غیر سهموی فرض شده اند و سازوکارهای پراکندگی ناخالصی، فونون نوری قطبی، پیزوالکتریک، پتانسیل ناهنجاری، پراکندگی بین دره ای و پراکندگی آلیاژی در نظر گرفته شده است. با استفاده از این روش پاسخ گذرای افزاره به ازای پالس تابشی و نمودار پاسخ دهی طیفی افزار...

بلورهای cd0.96 zn0.04te به روش ترابری فاز بخار رشد داده شده اند. نتایج نشان دهنده رشد درختی شکل بلورهایی به بزرگی تا  3.5mm   به این روش هستند. الگوهای پراشی پرتو x و پس پراکندگی لاوه نشان می دهند که شاخه های بلوری تک فاز هستند و راستای رشد دانه های بلوری به طور کتره ای حول امتداد جریان گاز حامل جهت گیری کرده است. اندازه گیریهای الکتریکی انجام شده به روش وندر پاو نشان می دهند که مقاومت الکتریکی...

امروزه دیود های شاتکی وابسته به ساختار های فلز- نیمرسانا (ms) و فلز– عایق- نیمرسانا (mis) کاربرد های بسیار گسترده ای در قطعات الکترونیکی و اپتو الکترونیک پیدا کرده اند. ما در این تحقیق تجربی مبادرت به ساخت سه نمونه دیود شاتکی با ساختار های al/p-si ، cu/p-si و /p-si سیلیکون متخلخلal/ نموده ایم. بستگی دمایی مشخصه های جریان- ولتاژ (i-v) آنها در شرایط بایاس مستقیم در محدوده دمایی 300- k 368 انداز...

نیمه هادی آلی poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene (meh-ppv) کاربردهای وسیعی در اپتوالکترونیک دارد، لیکن ساخت و نگهداری این ادوات در محیط عاری از اکسیژن صورت می-گیرد. پژوهش های متعدد نشان داده است که ویژگی های اپتوالکترونیکی این نیمه هادی در حضور اکسیژن به سرعت تخریب می گردد. طی این کار نشان دادیم که هدایت الکتریکی لایه ای از meh-ppv در حضور اکسیژن به تدریج کاهش یافته به مقدا...

اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...

در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی آشکارساز نوری فلز- نیمرسانا- فلز با توری های ساختار نانویی مورد بررسی قرار می گیرد. بدین منظور، توری های ساختار نانویی روی سطح آشکارساز معمولی فلز-نیمرسانا-فلز تعبیه می شود. در این صورت مکانیزم جدیدی برای افزایش جذب تابش در ناحیه فعال آشکارساز اتفاق می افتد که به پلاسمون پلاریتون های سطحی که در نتیجه اندرکنش نور ورودی و امواج ایستای سطح حاصل می شوند، نسبت داد...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه‌ی خواص آن حایز اهمیت است. در این...

یکی از مسائل مهم در زمینه اسپینترونیک تزریق جریان اسپینی از یک فلز فرومغناطیس به نیم رسانا است. در سالهای اخیر فرومغناطیس های نیمرسانا بدلیل توانایی بالا در تولید جریان قطبیده اسپینی مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفتند که آلیاژهای هویلسر از این دسته هستند. نیم فلز موادی هستند که بریا یک نوع اسپین رفتار فلزی و برای نوع دیگر رفتار نیم رسانایی دارند. لذا این مواد در سطح فرمی دارای قطبش اسپینی 1...

 In this work, we study electronic transport properties of a quasi-one dimensional pure semi-conducting Zigzag Carbon Nanotube (CNT) attached to semi-infinite clean metallic Zigzag CNT leads, taking into account the influence of topological defect in junctions. This structure may behave like a field effect transistor. The calculations are based on the tight-binding model and Green’s function me...

دیودگان از یک توده نیمه هادی با ساختار نواری ویژه ساخته می شود. اساس عملکرد دیودگان بر پایه تشکیل یک ناحیه رسانایی منفی در منطقه فعال آن می باشد. ساختار نوارهای باند انرژی نیمه هادی مورد نظر بگونه ای باید باشد که الکترونها تحت تاثیر یک میدان الکتریکی قوی، از یک حالت تحرک زیاد به یک حالت تحرک کم انتقال یابند که تحت این مکانیزم ، نیمه هادی در حالت رسانایی منفی قرار می گیرد، لذا در این حالت دیود ب...