آنتن های پچ مایکرواستریپ به علت سبکی وزن، ابعاد کوچک، انعطاف پذیری بالا و سهولت مجتمع شدن با مدارات مایکروویو در سیستم های مخابرات بی سیم مانند تلفن های سلولی، رادارها و مخابرات ماهواره کاربرد های فراوان دارند. اگرچه از معایب عمده آن ها می توان به باریک بودن پهنای باند ، پایین بودن کارایی و وجود امواج سطحی اشاره کرد. به منظور غلبه بر مشکلات موجود تاکنون راه حل های زیادی مانند استفاده از ساختاره...

در این پایان نامه ساختار نواری موجبر بلور فوتونی دو بعدی با شبکه مربعی از استوانه های دی الکتریک با سطح مقطع های دایره ای، بیضی و لوزی با استفاده از روش بسط موج تخت مورد مطالعه قرار داده ایم. اولین هندسه، موجبر بلور فوتونی با استوانه های دی الکتریک از جنس گالیم آرسناید با سطح مقطع دایره ای است که در دو مورد زمینه از جنس هوا و کربن قرار گرفته است. دومین هندسه، موجبر بلور فوتونی با استوانه های دی...

در این مقاله گاف نوارهای بلور فوتونیکی یک بعدی با استفاده از دو روش ماتریس انتقال و روش ضرایب فرنل مقایسه می شود. در روش استفاده از ضرایب فرنل، با در دست داشتن ضرایب شکست هر یک از لایه ها و هم چنین زاویه تابش اولیه به سطح بلور، ضرایب فرنل عبوری و بازتاب بلور محاسبه شده و بعد شرط های لازم و کافی برای بازتاب صد درصدی از سطح بلور متشکل از دی الکتریک های دو لایه ای به دست می آیند. با در نظر گرفتن ا...

در این پایان نامه بلور فوتونی دو بعدی متشکل از دو نانو استوانه هم مرکز دی الکتریک-فلز را در شبکه مربعی با استفاده از روش بسط موج تخت اصلاح یافته شبیه سازی و مورد مطالعه قرار داده-ایم. چهار ساختار در نظر گرفته شده، اولین ساختار، بلور فوتونی دو بعدی متشکل از نانو میله های دی الکتریک با پوسته ای از جنس فلز نقره می باشد که در زمینه ای از هوا قرار گرفته است. دومین ساختار، متشکل از نانو میله هایی از ...

بلورهای فونونی با توجه به پارامترهای فیزیکی و نوع آرایش شبکه آنها دارای نوارهای ممنوعه فرکانسی هستند که به این نوارها، نوار ممنوعه فونونی گفته می شود. امواج مکانیکی با فرکانس واقع در این نوار ممنوعه نمی توانند داخل بلور فونونی انتشار پیدا کنند. می توان با ایجاد نقص در یک بلور فونونی (تغییر شعاع و حذف یک میله (1l) یا سه میله(3l) و یا تغییر شکل یک میله)، درون نوار ممنوعه فونونی مدهایی را به وجود ...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوب هستند که بطور مصنوعی ساخته می شوند و در تشابه با نیمه هادی ها دارای یک ناحیه ی ممنوعه ی فرکانسی می باشند. انتشار امواج در این ناحیه که به گاف نواری فوتونی معروف است ممنوع می باشد. همانطور که در بلورهای معمولی، تناوب پتانسیل شبکه باعث ایجاد باندهای مجاز و ممنوع انرژی برای الکترونهای سیستم می شود، در بلورهای فوتونی نیز تناوب در مواد دی الکتریک و ضریب شکس...

در این پایان نامه، بررسی نظری مشخصات بلور فوتونی انجام خواهد شد. بلور فوتونی ساختار تناوبی دی الکتریک است، که شامل گروهی از حفره های هوا در تیغه سیلیسیومی یا میله های دی الکتریک در هوا بوده و قابلیت جایگزیده کردن نور را دارند. این میکروساختارهای تناوبی محدوده فرکانسی ممنوعه را ایجاد می کنند که باند ممنوعه بلور فوتونی نامیده می شود. بیوحسگر بلورفوتونی تحقیقات زیادی را در حوزه بیوحسگری به دلیل قا...

شروع مبحث بلورهای فوتونی در سال 1987 با تحقیقات یابلونویچ به منظور کم کردن اتلاف ناشی از گسیل خودبخودی و جان به دنبال جایگزیده کردن نور بوده است. فعالیت تحقیقاتی هر دو به معرفی بلور فوتونی منجر شد. بلورهای فوتونی به علت خاصیت تناوبی اجزاء سازنده آن ها، دارای خواص بسیار جالبی در بر هم کنش با امواج الکترومغناطیسی هستند و بازتاب براگ امواج الکترومغناطیسی باعث ایجاد ساختار باند فوتونی در آن ها می ش...

در این پایان نامه، در مرحله ی اول یک موجبر بلور فوتونی تخت با سلول واحدی متشکل از سه لایه ی متفاوت دی الکتریک بدون اتلاف را در نظر می گیریم. با مدلسازی این موجبر با خطوط انتقال، بازتابش از یک ساختار متناوب نیمه نامحدود را با استفاده از مفهوم خطوط انتقال و روابط تبدیل امپدانس به دست می آوریم. آنگاه معادله ی مشخصه ی موجبر را بر اساس شرط تشدید عرضی در هسته ی آن محاسبه و تغییرات ثابت انتشار بهنجار ...

در تحقیق حاضر اثر دمای زیرلایه در محدوده ºC 400-36 بر خواص ساختاری و فیزیکی لایه نازک کربن ایجاد شده بر سطح شیشه به روش کندوپاش پرتو یونی بررسی شده است. خواص نوری و ساختاری لایه به ترتیب به وسیله طیف سنجی UV-visible، طیف سنجی رامان و میکروسکوپ نیروی اتمی مورد مطالعه قرار گرفته است. اندازه‏گیری طیف عبور نمونه ها کاهش میزان عبور نور در محدوده مرئی با افزایش دمای انباشت را نشان می دهد. طیف رامان ل...