در این رساله مدل های مختلف نیمه کلاسیکی شبیه سازی ترابرد الکترون در قطعات نیمه رسانا مورد توجه قرار گرفت. برای مدل های شیب چگالی، ترابرد انرژی و تصحیح کوانتومی ترابرد انرژی و سوق پخش اسپینی، فرمولبندی مناسب، تجزیه فضایی و برنامه نویسی برای حل عددی معادلات ایجاد گردید.

سلول های خورشیدی حساس به رنگ ، از گروه سلول های خورشیدی لایه نازک هستند که تا کنون به مرحله ی تجاری شدن رسیده اند. اما علی رغم داشتن پتانسیل بالا هنوز دارای بازده پایین تر نسبت به سلول های خورشیدی سیلیکونی هستند. بررسی عوامل موثر بر ترابرد بار در سلول های خورشیدی از جمله عواملی هستند که برای بهینه سازی و رسیدن به بازده بالاتر بسیار مهم است. در این پایان نامه با استفاده از حل عددی معادلات پیوستگ...

کاربردهای روز افزون نانو سیم ها درصنایع اپتو الکترونیک جهت ساخت لیزرهای نیمه هادی ، حسگرهـای فوق العاده سریع ، ساخت موادی پایـدار با خواص فیـزیکی و شیمیـایی ویژه ، جهت جوابگویـی روزافزون بـه صنعت در حوزه های گوناگون ما را بر آن می دارد تا به دنبال دیدگاه و نظریه جامع نظری در این حوزه باشیم تا از طرفی بتوانیم به توصیف پدیده های اتفاق افتاده در حوزه تجربی دست یابیم و از طرف دیگر به بسط ای...

ما در این پژوهش با مدل سازی سامانه ، نقش عوامل خارجی(آلاینده ها) را بر ترابرد الکترونی سامانه به صورت نظری مورد مطالعه و بررسی قرار می دهیم. در این مدل از الکترودهای فلزی سه بعدی با سطح مقطع مربعی و از مولکول پلی استیلن در فاز ترانس به عنوان پل مولکولی بین دو الکترود فلزی استفاده می شود. با کاربرد مدل هامیلتونی بستگی قوی و روش های عددی مبتنی بر نظریه ی تابع گرین تعمیم یافته و هم چنین فرمول بن...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در این تحقیق اثر فشار بر عامل گینزبرگ – لاندائو در روشی نظری بررسی شده است و نتایج کار تجربی خازانوف و همکارانش اصلاح شده اند به نحوی که نتایج نظری حاصل با نتایج تجربی تطابق خوبی دارند. در ادامه با مقایسه داده های تجربی با رابطه های به دست آمده عامل کپه ای هگزا بوراید ایتریم ( ) محاسبه شد و فشاری که تحت آن ماده از فاز ابررسانایی نوع دوم به نوع اول گذار می کند محاسبه شد. همچنین اثر فشار بر طول ه...

در سال¬های اخیر برهم¬کنش اسپین ـ مدار در ساختارهای نیم رسانا به دلیل کاربرد بالقوه ای که در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) دارد، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیم رساناهای متداول دو نوع برهم¬کنش اسپین ـ مدار وجود دارد. یکی برهم¬کنش اسپین ـ مدار درسلهاوس که به وسیله بی¬تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی ـ سولفید) و دیگری برهم¬کنش اسپین ـ مدار ناشی از بی¬تقارنی وا...

بهره برداری از تابش تراهرتز مبتنی بر شناخت دقیق چگونگی و پیامدهای بر هم کنش آن با قطعات و ساختارهایی در مقیاس نانو است. در این راستا یکی از مسائل مورد توجه، بررسی ترابرد الکترونی تحت تابش تراهرتز از میان سیم کوانتومی به عنوان یکی از اجزاء آشکارسازهای نوری و ادوات تصویر برداری می باشد. بنابراین، مطالعه ترابرد الکترونی از میان سیم کوانتومی تحت تابش تراهرتز حائز اهمیت خواهد بود. در این تحقیق، یک س...

چکیده ندارد.