در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

رکت ذرات در مقیاس میکرو و نانو به پارامترهایی بستگی دارد که در سطح مولکولی خود را نشان می دهند. بررسی پدیده انتقال ذرات در این مقیاس با استفاده از مدل محیط پیوسته در مکانیک سیالات امکان پذیر نمی باشد. علاوه بر این، مطالعه تجربی انتقال ذرات در این مقیاس مستلزم صرف هزینه های فراوان می باشد. لذا، جریان درون میکرو و نانو کانال ها باید در سطح مولکولی تعریف و بررسی شوند. در رساله حاضر جریان نانوسیال ...

امروزه استفاده ی از سیستم های ریز سیال در صنایع مختلف مانند سیستم های خنک کن قطعات ریز الکترونیکی و علوم زیستی بسیار مورد توجه قرار گرفته است. عملکرد این سیستم ها متاثر از جریان سیال درون میکرو / نانو کانالهایشان می باشد. جریان های الکترواسمتیک و ناشی از گرادیان فشار را می توان بعنوان رایج ترین جریان های درون میکرو/ نانو کانال ها نام برد. در این پایان نامه، آنالیز و کنترل دو نوع جریان الکترواسم...

جوشش جریانی مادون سرد یکی از مسائل مهم در صنایعی همچون هسته ای و تولید نیرو است، زیرا با تحلیل آن اطلاعاتی در خصوص کسر حجمی بخار در روی دیواره و میزان شار حرارتی بحرانی به دست می آید. در کار حاضر تأثیر موجدار بودن کانال بر جوشش جریانی مادون سرد درون یک کانال قائم دو بعدی به صورت عددی بررسی شده و از روش حجم محدود و مدل دو سیالی برای مطالعه جریان استفاده شده است. نتایج بدست آمده نشان داد که با اف...

در این تحقیق، به مطالعه عددی رسانش الکتریکی یک نانو ساختار نردبانی نامتناهی ایده آل در حضور و غیاب نقص های شبکه ای به کمک روش تابع گرین در رهیافت تنگابست پرداخته شده است. نقص های شبکه ای را می توان به عنوان اتصال های یک نردبان متناهی مرکزی به دو نردبان نیمه متناهی به عنوان هادی ها در نظر گرفت. نتایج نشان می دهد که ناحیه همپوشانی دو کانال رسانش نردبان را مقدار انرژی پرش در راستای پله تعیین می کن...

وجه اصلی تمایز کار ما این است که اتصالات نانو ترانزیستورهای اثر میدانی، از نوع اتم های کربن می باشند، که در زیر به تفصیل شرح می دهیم. 1- ترانزیستورهای طراحی شده سه پایانه ای می باشندکه کنترل جریان خروجی توسط اتصال گیت به کانال صورت می گیرد. 2- جنس الکترودها گرافن و از نانو نوارهای مختلف می باشند همچنین جنس کانال نیز از دیسک یا حلقه گرافنی می باشد که موجب کاهش اثرات مقاومت سطح تماس می شود. 3-...

پدیده پخش و نشست ذرات نانو و میکرو در جریان آشفته در چند دهه گذشته مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله، پخش و نشست ذرات در جریان آشفته تراکم‏ناپذیر دوفازی گاز- ذره در داخل کانال دوبعدی دارای زبری مصنوعی (برجستگی های منظم) مستطیلی با استفاده از روش اویلری- لاگرانژی مورد بررسی قرار گرفته است. جریان فاز گاز با استفاده از مدل آشفتگی rsm با تابع بهبودیافته دیواره شبیه سازی شده است. اعتبارشبیه ساز...

با افزایش علاقه برای گسترش ابزارهای تجزیه بیوشیمیایی کوچکتر, سریع تر و کاراتر, سامانه های نانو و ترکیبات نانو در سال های گذشته توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. سامانه های نانو ابعادی, که در آن ها نسبت سطح به حجم زیاد بوده و اندازه مشخصه کانال می تواند با اندازه ذرات قابل مقایسه باشد, کمک های فراوانی به کارهای پژوهشی در مواد دانه ای و ماده چگال نرم می کنند. همچنین ویژگی های مکانیکی این نانوذرا...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...