در این تحقیق سنتز و شناسایی تری متیل ایندیوم آورده شده است . که از واکنش بین متیل لیتیوم و ایندیوم تری کلرید بدست می آید. شناسائی این ترکیب با استفاده از داده های طیفی حاصل از ir و h-nmr و همچنین شناسائی مواد جانبی بدست آمده انجام گرفت . این مطالعه نشان می دهد که واکنشگر گرینیاردch3li با incl3 در محیط اتری واکنش داده و تولید اترات تری متیل ایتدیوم me3 inoet3 می کند که قابل تقطیر و جداسازی بصورت...

در این پایان نامه گزارشی از ساخت و تست یک دیود شاتکی تولید شده با نیمه هادی ‏‎gaas‎‏ توسط دستگاه رونشستی پرتر ملکولی ‏‎(mbe)‎‏ ارائه می گردد.جهت ساخت این دیود، بعد از رشد اپیتاکسی ‏‎gaas‎‏ روی زیر لایه تک بلور با جهت (100) فلز آلومینیوم را در خلا بسیار بالا روی لایه مذکور نشانده، تا پیوند شاتکی تشکیل گردد. برای انجام تست ابتدا پروفایل ناخالصی، قابلیت تحرک ومقاومت مخصوص لایه ‏‎n‎‏ رشد داده شده ر...

نانوسیم های نیکل در قطر 20 و 100 نانومتر به روش الکتروانباشتdc با استفاده از قالب اکسید آلومینیوم آندی (aao) ساخته شدند. با استفاده از سونش قالب aao در محلول سود و محلول اسید فسفریک و اسید کرومیک نانوسیم ها از حصار قالب خارج شدند. مورفولوژی سطح قالب و نانوسیم ها با استفاده از روش های afm و sem مطالعه شدند. الکترود خمیر کربن با استفاده از نانوسیم های نیکل و fad اصلاح شد. الکترود اصلاح شده برای...

در این پایان نامه خواص ساختاری و الکترونی بلور و نانوسیم ایندیم آرسناید به روش محاسباتی بدست آمده است. محاسبات ما بر پایه-ی نظریه تابعی چگالی و به روش شبه پتانسیل با در نظر گرفتن تقریب چگالی موضعی همگن، با استفاده از نرم افزار محاسباتی pwscf انجام شده است. ساختار پایدار بلور ایندیم آرسناید زینک بلند است، گرچه تحت شرایط آزمایشگاهی خاصی در ساختار ورتسایت نیز مشاهده شده است. با در نظر گرفتن تقارن ...

نقاط کوانتومی سولفید روی (zns) با روش شیمیایی در دمای اتاق تولید شد. در این روش از مهار کننده ی مرکپتواتانول در غلظت های مختلف استفاده شد. طیف های جذب نقاط کوانتومی zns با افزایش غلظت مرکپتواتانول، جابه جایی به سمت آبی، به اندازه ی 27 نانومتر نشان می دهد. طیف سنج پراش اشعه-ی x، پیک هایی را در زاویه های 28، 48 و 57 درجه نشان می دهد که به ترتیب معادل پیک های (1 1 1)، (0 2 2) و (1 1 3) است که طبق ...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای gaas هستند ب...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه های iii-v جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می شود. این ساختار به ساختار شبکه ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم های آرسنیک یا گالیوم اشغال می شود. از این نیمرسانای استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات...

اهمیت روزافزون نانوساختارهای مغناطیسی و کاربرد های متنوع آنها، مطالعه دقیق رفتار مغناطیسی آنها را مورد توجه محققین قرار داده است. یکی از شیوه های مطالعه دقیق و جزئی رفتار مغناطیسی مواد که اخیراً مورد توجه بیشتری قرار گرفته است، روش منحنی-های بازگشتی مرتبه اول (forc) است. در این تحقیق با استفاده از روش forc رفتار مغناطیسی نانوسیم های cozn بر اثر تغییر درصدی zn و تغییر قطر نانوسیم های مورد مطالعه ...

در این پژوهش شیشه‌های رنگی با استفاده از روش لایه­نشانی شیشه با نانوسیم، نانوذرات کروی و نانوشاخه‌ای نقره ساخته شدند. برای ساخت نانوسیم‌های نقره از روش ترکیبی حلالی حرارتی-پلی اُل و برای ساخت نانوذرات نقره از دو روش پلی­اُل و احیا شیمیایی استفاده شد. ساختار نانوشاخه‌ای نقره نیز از روش غوطه­وری با اندازه­های متفاوت ساخته شد. مشخصه­یابی نانوساختارهای نقره تولید شده به­ وسیله دستگاه‌های پراش پرتو ای...

‏ نانوسیم های سیلیکونی قابلیت های فراوانی در تولید ساختارهای نانوالکترومکانیکی، سامانه های تبدیل ‏انرژی، نانو حسگر ها و سلول های خورشیدی از خود نشان داده اند. در ابزارهای ترموالکتریکی، به منظور ‏بهبود بازده تبدیل انرژی، کاهش دادن رسانایی حرارتی بدون کاستن از رسانایی الکتریکی مد نظر قرار می ‏گیرد و نانوسیم های سیلیکونی گزینه مناسبی برای دستیابی به این هدف هستند. در این تحقیق، از دینامیک ‏مولکولی...