ترازهای انرژی تک ذره واقع در نانو لوله ی نیمه رسانای استوانه ای تحت تاثیر میدان الکتریکی یک حلقه باردار و در تقریب جرم موثر محاسبه شده است.تاثیر میدان مغناطیسی بر ترازهای انرژی و همچنین ضریب جذب نیز برای این سیستم محاسبه شده است.

در ادامه رفتار مد نقص نسبت به دما مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما، ارتفاع مد نقص کاهش پیدا می کند. و موقعیت آن به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شود. اثر اتلاف در ساختار نامتقارن برجسته تر می باشد. در واقع اندازه ی پیک مد نقص در طیف تراگسیلی، نسبت به ساختار متقارن بسیار کمتر می باشد. در صورت افزایش دما میزان کاهش ارتفاع مد نقص در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte بسیار بیشتر ا...

در این پایان نامه، نانو ساختارهای سولفیدکادمیم و سلنیدکادمیم به کمک روش فراصوت تهیه شده اند و اثر اندازه کوانتومی بر روی این ساختارها، هم به صورت تجربی و هم به صورت نظری مورد بررسی قرار گرفته است. اندازه ذرات به کمک عامل پوششی 3-mpa کنترل شده اند. همچنین نانوکامپوزیت-های cds-pva به کمک جذب سطحی و واکنش یونی پی در پی (silar) نیز تهیه شده ند. نتایج میکروسکوپی الکترونی روبشی نشان می دهند که نانوسا...

در این پروژه، نانوذرات نیمه رسانای zns، cds و cus، همچنین نانوکامپوزیت های cds/zns، cds/cus و zns/cus پوشش داده شده با عامل پوششی پلی وینیل پیرولیدون( pvp )با روش تجزیه گرمایی تهیه و شناسایی می شوند. در این مطالعه سعی بر آن است که با استفاده از عامل پوششی pvp نانوذراتی در اندازه های بسیار کوچک (زیر 10 نانومتر) با پایداری بالا تهیه شود. سپس مقدار انرژی باندگپ آن ها تعیین شود. همچنین با سنتز نانو...

در‏ این رساله از مدلی عددی مبتنی بر روش تفاضل محدود برای مطالعه و تحلیل انتشار پالس‏های فوق‏باریک در تقویت‏کننده‏ها‏‏ی نوری نیمه‏رسانا استفاده کرده‏ایم‏‏.‏ این‏‏ معادلات با دقت بالایی توانایی مدل‏سازی‏‏ پالس‏های تا پهنای 120 فمتوثانیه را دارا هستند. خواص سوییچینگی ماخ‏زندر‏ نامتقارن در حوزه پیکو‏ثانیه‏‏ و فمتوثانیه، خصوصیات چرپ خروجی از هر تقویت‏کننده و نیز خروجی نهایی سوییچ مورد بررسی قرارگرفت...

نانو ساختارهای hgs و sb2s3 با روش هیدروترمال با استفاده از تیوگلیکولیک اسید (tga)، نیترات جیوه یک آبه( hg(no3)2.h2o) و کلرید آنتیموان (sbcl3) به عنوان پیش ماده ساخته شد. محصولات ساخته شده، با الگوی پراش اشعه x (xrd)، طیف تفرق انرژی اشعه ی ایکس (edx)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) و میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem)، طیف ماوراء بنفش- مرئی (uv-vis) و اسپکتروسکوپی فتولومینسانس (pl)، طیف تبدیل فوریه ...

کاربیدبور، کاربردهای فراوانی در صنایع هسته ای، نظامی و مکانیکی، مانند ساخت نازلهای واترجت و مواد ساینده دارد. در این تحقیق، آزمایشات تجربی متعددی جهت بررسی تاثیر پارامترهای موجود در ماشینکاری سرامیک نیمه رسانای کاربیدبور (b4c) با روش تخلیه الکتریکی انجام شد. تاثیر پارامترهایی نظیر ولتاژ، شدت جریان، زمان روشنی پالس و زمان خاموشی پالس روی خروجی هایی چون صافی سطح و نرخ براده برداری بررسی گردید. در...

در سال های اخیر لیزرها جای خود را در بسیاری از کاربردهای پزشکی و مهندسی باز کرده اند. در این بین لیزرهای نیمه هادی به دلیل ویژگی های خاص خود از اهمیت ویژه ای برخوردارند. پایان نامه ابتدا به تئوری لیزر می پردازد و سپس دو نوع لیزر نیمه هادی را مورد بررسی قرار می دهیم، که عبارتند از لیزر وی سل و لیزر وکسل. این لیزرها از نوع انتشار از سطح می باشند. البته تمرکز بیشتر همان طوری که از موضوع پایان نامه...

در این مقاله اندازه گیری های طیف نگاری در محدوده فرکانس khz 10 تا mhz 4 در دماهای متفاوت برای احساسگرهای نیمه رسانا و لایه نازک au/clmgpc/au گزارش شده است. تغییرات رسانائی الکتریکی(a.c) به دست آمده با فرکانس زاویه ای به صورت تابع تغییر می کند. توان n در فرکانس های بالا با تقریب خوبی برابر یک است. اندازه گیری ها در این تجربه مکانیزم رسانائی الکتریکی در دماهای پائین و فرکانس های بالا در این لایه ...

نیمه رساناهای مرکب که ازعناصر ستونهای مختلف جدول تناوبی بدست میآیند (شامل ترکیبات iii-v، ii-vi, iv-vi و iv-iv)دارای خواص مطلوبی هستند. یکی از ترکیبات گروه 3و5،gan است که پهنای باند آن 4/3 الکترون- ولت است که باعث میشوداین ماده خصوصیات خاصی برای کاربردهایی دراپتوالکترونیک وابزارهایی باتوان و فرکانس بالا داشته باشد.از طرفی نیتریدهای گروه 3، مواد بسیار مهمی برای کاربرد در اپتوالکترونیک هستند. این ...