نتایج جستجو برای: نانوبلور نیمرسانا
تعداد نتایج: 278 فیلتر نتایج به سال:
کاربرد نانو ذرات (نانوبلورهای نیم رسانا) باعث افزایش بازدهی سلول های خورشیدی فوتوولتائی می شوند. عموماً با جذب یک فوتون در دستگاه نیم رسانای فوتوولتائی یک جفت الکترون حفره ایجاد می شود که تفاضل انرژی فوتون نسبت به گاف نوار نیم رسانا در اثر برهم کنش الکترون و حفره با شبکه بلور به صورت گرما هدر می رود، به تازگی برای نانو بلورهای نیم-رسانای محلول نشان داده شده است که این انرژی اضافی می تواند چندین ...
الف این پروژه شامل دو قسمت است. در قسمت اول رفتار الکتروشیمیایی الکترود کربن-شیشه ای اصلاح شده با اصلاح گر(4-(e)-(2-متیل-4-نیتروفنیل ایمینو)متیل) و نانو لـولـه هـای کربـنی چند دیواره (mwnt) برای اندازه گیری لوودوپا بررسی شد. پارامترهایی چون ثابت سرعت انتقال بار ظاهری (ks)، ضریب انتقال الکترون (?) بین الکترود و اصلاح گر تثبیت شـده در سطح آن در محلول 1/0 مولار بافر فسفات (0/7ph=) به وسیله ولتامو...
حفظ خواص ناشی از نانو بلور شدن مستلزم پایداری اندازه دانه ها است. طبق تحقیقات پیشین، نیکل نانوساختار به لحاظ ترمودینامیکی ناپایدار بوده و طی حرارت دهی رشد دانه ها با سرعت زیادی رخ می دهد. رشد دانه ها به تغییرات ناخواسته خواص منجر شده و در نتیجه پتانسیل نیکل نانوساختار برای کاربردهای صنعتی را محدود می سازد؛ برای غلبه بر این مشکل تلاش شده با افزودن عناصر آلیاژی مانند تنگستن و کبالت، نانوبلور ها پ...
در این مقاله ترابرد الکترونها در ریزنوار یک ابرشبکه نیمرسانا تحت اثر میدان الکتریکی و میدان مغناطیسی که در راستاهای متفاوت بر ابرشبکه اعمال می شوند, مورد بررسی قرار گرفته است. نمودارهای سری زمانی و نمای لیاپانوف با استفاده از روش رانگ- کوتای مرتبه چهارم محاسبه شده است. محاسبات عددی نشان می دهد که برای مقادیر معینی از پارامترها که وابسته به خصوصیات ابر شبکه و میدانهای اعمال شده بر آن است, الکترو...
درمطالعه نیمرساناها، درحل تحلیلی معادلات از فرضهای زیادی برای ساده سازی استفاده شده است به همین دلیل جوابهای بدست آمده ازحل تحلیلی نمی تواند به نحو مطلوبی قطعات نیمرسانا را توصیف کند. بنابراین برای بررسی خواص قطعات نیمرسانا ، بویژه قطعاتی که امروزه با فناوری جدید ساخته می شوند ، از مدلهای عددی و شبیه سازی استفاده می شود.
In this paper the motion of electron in a miniband of a semiconductor superlattice (SSL) under the influence of external electric and magnetic fields is investigated. The electric field is applied in a direction perpendicular to the layers of the semiconductor superlattice, and the magnetic field is applied in different direction Numerical calculations show conditions led to the possibility of ...
در این پژوهش هیدروژل نانوسلولز با انجام عملیات شیمیایی (آبکافت اسیدی) و مکانیکی (امواج فراصوت) بر روی پالپ پنبه تهیه شد. عاملهای متفاوت شامل نوع و غلظت اسید، زمان آبکافت و قدرت امواج فراصوت بررسی شد. همچنین تهیه آئروژل نانوسلولز به روش تعویض حلال و سپس خشککن انجمادی انجام و تأثیر عاملهای متفاوت شامل غلظت هیدروژل، نوع حلال و نسبت هیدروژل به حلال بررسی شد. ویژگیهای نانوسلولز با دستگاههای FT-...
گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفادهی گستردهای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...
در این رساله به بررسی خواص نوری ناو ذران رسانا و نیمرسانا می پردازیم. مدلهایی کلاسیکی و کوانتومی برای مدل سازی بخشهای حقیقی و موهومی پذیرفتاری الکتریکی نانو ذرات منفرد (رسانا و نیمرسانا) و نیز محلولها، فیلمها و کمپوزیتهای حاصل از آنها معرفی شده و روشهای محاسبه پذیرفتاری ارائه می شود. مدلها و محاسبات برای تعدادی نانو ذره بروش تجربی آزموده می شود.
در این پژوهش انرژی جذبی هیدروژن در نانولوله ی رسانای (6،6) و نانولوله نیمرسانای (10،0) به صورت خالص و در حضور آلاینده های si و sio2 به وسیله بسته محاسباتی سایستا مورد مطالعه قرار گرفت. بیشترین میزان انرژی قیدی هیدروژن در نانولوله فلزی و نیمرسانا به ترتیب 0/51ev/h2 - و 0/38ev/h2 - محاسبه شد، که نسبتاً مقدار پایینی است زیرا باید در محدوده (ev/h2 (1 - 3 باشد تا در جذب هیدروژن کارآمد شود. در نانولول...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید