نتایج جستجو برای: میدان نیروی پایستار

تعداد نتایج: 32562  

ژورنال: :مجله علمی - پژوهشی دانشگاه علوم پزشکی سبزوار 1970
ریحانه صباغ زاده

زمینه و هدف: فاکتور رشد شبه انسولینی به طور طبیعی در سیستم عصبی مرکزی (cns) موجود است و نقش مهمی در تکثیر و تمایز سلولی در طی رشد و بلوغ مغز دارد. این فاکتورها به همراه پروتئین های پیوند به آن ها و گیرنده هایشان در نواحی آسیب دیده ی مغز بیان می شوند که نقش سیستم igf ها را در آسیب مغزی نشان می دهد. شبیه سازی مولکولی یک روش محاسباتی مستقیم برای مطالعه ی تغییرات ساختمانی طیف وسیعی از مسایل فیزیکی...

در این مقاله، معادلة حاکم بر ارتعاش جانبی صفحة گرافنی تک­لایه تحت تأثیر میدان مغناطیسی دوبعدی درون‌صفحه‌ای، با احتساب نیرو و ممان خمشی ناشی از آن، برای شرایط تکیه‍گاهی مختلف برای نخستین‌بار توسط روش مربعات دیفرانسیلی بررسی شده است. برای تعیین معادلة حاکم بر ارتعاش صفحه از تئوری غیرمحلی با در نظر گرفتن نیروی مغناطیسی لورنتز بهره گرفته شده ‌است. پس از استخراج معادله دیفرانسیل حاکم، معادلة حاصل بی...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 2014
کرامت ملک زاده غلامحسن پایگانه فهیمه راشد سقاواز

در این مقاله، پاسخ ارتعاشات آزاد و ضربه عرضی با سرعت پایین یک ورق ساندویچی با هسته انعطاف پذیر از جنس ماده هوشمند مغناطیسی مورد مطالعه قرار گرفته است. ورق ساندویچی مستطیلی از یک هسته با قابلیت تحریک مغناطیسی و دو لایه مقیدکننده تشکیل شده است. ماده مغناطیسی در شدتهای میدان مغناطیسی مختلف، خواص متفاوتی از خود نشان می دهد. معادلات حاکم بر حرکت به کمک اصل هامیلتون استخراج شده است. حل معادلات با است...

ژورنال: :مکانیک سازه ها و شاره ها 0
مرتضی دلاکه نژاد دانشجوی دکتری، مهندسی مکانیک، دانشگاه بیرجند، بیرجند سید علی میربزرگی دانشیار، مهندسی مکانیک، دانشگاه بیرجند، بیرجند

در این مقاله اثر تغییرات مستقل طول میدان های الکتریکی و مغناطیسی با لحاظ نواحی نفوذ جانبی بر توزیع دما و سرعت جریان در یک ریزپمپ دیناموهیدرومغناطیسی شبیه سازی شده است. هندسه جریان ام اچ دی یک مجرای دو بعدی بین دو صفجه موازی است و معادلات حاکم بر دو میدان جریان سیال و الکترومغناطیس به روش عددی حجم محدود حل شده است. نتایج عددی نشان داد که با لحاظ تابعیت دمایی خواص برای جریان در یک مجرا به مقطع مس...

ژورنال: :علوم 0

به منظور بررسی میدان های الکترومغناطیسی روی صفات جوانه زنی، بذرهای خشک و مرطوب گیاه رازیانه به مدت 15، 30 و 60 دقیقه در معرض میدان های مغناطیسی با شدت های 0، 25، 50 و 75 میلی تسلا قرار گرفت. در بذرهای تیمار شدۀ رازیانه با میدان های مغناطیسی، سرعت جوانه زنی (gr)، شاخص جوانه زنی (gi)، ضریب سرعت جوانه زنی (grc)، طول دانه رست ها، وزن خشک و تر دانه رست ها تحت شرایط کشت آزمایشگاهی افزایش یافت. هم چنی...

ژورنال: جستارهای فلسفی 2014

چکیده در سده­ی گذشته، فیلسوفان در مفهومِ علیت بازنگری ژرفی کرده­اند. نخست بدان سبب که مفاهیم سنتی پاسخ­گوی درکِ نوین از علیت نبوده است و دیگر اینکه مفاهیم تازه­ای در علمِ نوین تعریف شده­اند که می­توانند آغاز و بنیاد خوبی برای ساختنِ نظریه­هایی پیشروتر باشند. در این پژوهش، در پی معرفی این گونه از نظریه­ها هستیم که نظریه­ی فرایندیِ علیت و نظریه­ی کمیت پایستار دو نمونه­ی برجسته و کامیاب از آن‌هاست. آغ...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 2014
احمد صانعی علیرضا باصحبت نوین زاده

در مقالاتی که تاکنون در زمینه مدل¬سازی سیستم¬های تراکم¬پذیر به¬روش باندگراف منتشر شده¬، جریان آیزنتروپیک فرض¬ شده¬است. اما در نازل¬های همگرا-واگرا، در محدوده¬ای از نسبت فشارها، در قسمت واگرای نازل شوک عمودی اتفاق می¬افتد که فرض آیزنتروپیک بودن جریان را نامعتبر می¬کند. در این مقاله برای درنظرگرفتن اثرات شوک عمودی، میدان ظرفیتی nike معرفی می¬شود. این میدان، علاوه بر درنظر گرفتن انرژی جنبشی سیال و...

زمینه و هدف: فاکتور رشد شبه‌انسولینی به‌طور طبیعی در سیستم عصبی مرکزی (CNS) موجود است و نقش مهمی در تکثیر و تمایز سلولی در طی رشد و بلوغ مغز دارد. این فاکتورها به‌همراه پروتئین‌های پیوند به آن‌ها و گیرنده‌هایشان در نواحی آسیب دیده‌ی مغز بیان می‌شوند که نقش سیستم IGF ها را در آسیب مغزی نشان می‌دهد. شبیه‌سازی مولکولی یک روش محاسباتی مستقیم برای مطالعه‌ی تغییرات ساختمانی طیف وسیعی از مسایل فیزیک...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 2013
سهیل طالبیان یوسف حجت مجتبی قدسی شاهد میرزامحمدی محمدرضا شیخ الاسلامی

ماده ابردگررسان مغناطیسی ترفنل-دی در ساخت بسیاری از حسگرها از قبیل نیروسنج کاربرد دارد. در این حسگرها نیروی خارجی به واسطه تغییر در شار مغناطیسی گذرنده از ترفنل-دی اندازه گیری می شود. به منظور بهبود عملکرد این حسگرها، ترفنل-دی تحت تاثیر میدان مغناطیسی بایاس و پیش تنش مکانیکی قرار می گیرد. در این مقاله، اثر این دو عامل بر حساسیت و محدوده اندازه گیری خطی حسگر مورد بررسی قرار می گیرد و مقادیر بهین...

رقیه اشرفی لطیفه پوراکبر, مجید اسدی سامانی

به منظور بررسی اثر میدان‌ مغناطیسی بر صفات جوانه‌زنی، بذرهای گیاه سیاه‌دانه در معرض میدان مغناطیسی با شدت‌های 25 و 50 میلی‌تسلا به مدت صفر، 30، 60 و 120 دقیقه قرار گرفتند. نتایج نشان داد که اِعمال میدان مغناطیسی عملکرد بذرها را در محیط‌کشت آزمایشگاه افزایش می‌دهد. درصد جوانه‌زنی، سرعت جوانه‌زنی، طول ریشه، طول کل دانه‌رُست‌ها، وزن خشک، شاخص بنیه گیاهچه I و شاخص بنیه گیاهچه II به طور معنی‌داری نسبت...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید