در این سال ها مواد آلی بسیاری به منظور افزایش کارآیی ترانزیستورهای اثر میدانی آلی گزارش شده اند که بیشتر در بهبود کارآیی گیت دی الکتریک ها متمرکز شده اند. هدف اصلی بررسی های پژوهشگران در یافتن مواد آلی کامپوزیتی به ویژه هیبریدهای آلی / غیر آلی استوار بوده تا معلوم شود آیا مواد مزبور قابلیت لازم را دارند تا به عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی و آلی بکار روندیا خیر. در این مقالهگیت دی الکتریک تا با...

در این رساله ابتدا مروری بر نظریه ی انتشار امواج الکترومغناطیسی در موجبرهای الکترومغناطیسی و کاربردهای آن خواهیم داشت و پیرو آن مفاهیمی همچون تفکیک مدها و یا جفت شدگی مدها مورد تجزیه و تحلیل قرار خواهند گرفت. سپس به وجود امواج آهسته در برخی از پیکربندی ها خواهیم پرداخت و آنها را در چند موجبر با سطح مقاطع مستطیلی و دایروی بررسی خواهیم نمود. در ادامه آنالیز ریاضی حاکم بر سیستمهایی با تقارن استوان...

فرآیند ماشینکاری تخلیه الکتریکی خشک، فرآیندی دوستدار محیط زیست می باشد که در آن به جای دی الکتریک مایع که عموما از مشتقات نفتی می باشد، از گازهایی مانند هوا یا نیتروژن به عنوان دی الکتریک استفاده می­شود. در این مقاله، در ابتدا هر یک از  پاسخهای این فرایند شامل نرخ براده برداری، زبری سطح و اضافه برش شعاعی با در نظر گرفتن  شش پارامتر ورودی جریان، زمان روشنایی پالس، سیکل کاری، سرعت دوران اسپیندل، ...

چکیده نیترید آلومینیوم ضمن اینکه ازمقاومت به شوک حرارتی عالی برخوردار است، از نظر خواصی چون ثابت دی الکتریک (6/8) و استحکام دی الکتریک (kV/mm25-20) مشابه دیگر مواد سرامیکی است که در صنعت الکترونیک مورد استفاده قرار گرفته اند. نیترید آلومینیوم نانوساختار  در بین نیمه هادی های سرامیکی بالاترین گاف انرژی(eV 2/6) را دارد. نیترید آلومینیم به دلیل برخورداری از ویژگی های ذکر شده ، قابلیت فراوانی برای ...

در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد و همچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنش های کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد با وجودی که رفتار ...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

کنترل جریان در لایه مرزی، یکی از اساسی¬ترین موضوعات علم آیرودینامیک است. معمولأ کنترل جریان با هدف کنترل جدایش در لایه مرزی صورت می¬گیرد. امروزه استفاده از محرک¬های فعال الکتروهیدرودینامیکی، به دلیل دسترسی و سادگی نصب، عدم نیاز به تعمیرات خاص، زمان پاسخ بسیار کوتاه و مصرف انرژی بسیار کم، بسیار مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. در این مقاله، با استفاده از یک هندسه یکسان، اثرات وجود مانع دی¬الک...

هدف از این پروژه بررسی اثر مواد مغناطیس-دی الکتریکی در بخش محدودی از زیرلایه یک آنتن مایکرواستریپ می باشد. مواد مغناطیس-دی الکتریک موادی هستند که دارای ضریب نفوذ پذیری الکتریکی و مغناطیسی نسبی بزرگتر از یک می باشند. استفاده از این مواد در کل زیرلایه به عنوان عاملی برای کوچک سازی آنتن ها قبلا مورد توجه قرار گرفته است. کارهای انجام شده در این زمینه، نشان دهنده اثر مناسب آن ها در کوچک سازی و تا حد...

در پژوهش حاضر تأثیر افزودن آلومینای نانو اندازه به پرسلان آلومینایی مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج حاصله نشان داد که افزودن نانو آلومینا سبب افزایش استحکام خمشی و نیز افزایش استحکام دی الکتریک در پرسلان آلومینایی می گردد. به طوریکه افزایشwt%3 نانو آلومینا به بدنه پرسلان آلومینایی پایه، استحکام مکانیکی را 9% و استحکام دی الکتریکی را 15% افزایش می دهد. حضور فازهای کوراندوم و مولایت سوزنی و نیز ...

پیشرفت سریع سیستم های الکترونیکی و ارتباط از راه دور و نیز استفاده روزافزون از امواج الکترومغناطیسی، مشکلاتی را در امور نظامی و ارتباطی (خصوصاً در ناحیه میکروویو) به وجود آورده است. لذا استفاده از جاذب های امواج بمنظور حفاظت از سیستم های الکترونیکی نظیر سیستم های موبایل در برابر اغتشاشات امواج الکترومغناطیسی، استتار تجهیزات جنگی از دید رادار دشمن و حفاظت از خطرات احتمالی جذب این امواج در بدن امر...