در تحقیق حاضر اثر دمای زیرلایه در محدوده ºC 400-36 بر خواص ساختاری و فیزیکی لایه نازک کربن ایجاد شده بر سطح شیشه به روش کندوپاش پرتو یونی بررسی شده است. خواص نوری و ساختاری لایه به ترتیب به وسیله طیف سنجی UV-visible، طیف سنجی رامان و میکروسکوپ نیروی اتمی مورد مطالعه قرار گرفته است. اندازه‏گیری طیف عبور نمونه ها کاهش میزان عبور نور در محدوده مرئی با افزایش دمای انباشت را نشان می دهد. طیف رامان ل...

مقدمه: با توجه به اهمیت سرطان دهانه رحم در خانم‌ها و تشخیص زودرس آن و همچنین موارد بالای منفی کاذب پاپ اسمیر معمولی در غربالگری این بیماری، در سالیان اخیر مطالعات فراوانی جهت یافتن تست مناسب‌تر انجام شده است. تست‌های سیتولوژی بر پایه مایع از جمله روش لایه نازک بر پایه مایع1 بیشترین پتانسیل را در کاهش موارد منفی کاذب و بهبود کیفیت نمونه داشته‌اند. هدف از مطالعه حاضر، مقایسه اسمیرهای پاپانیکولائو...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (xrd) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

در این پایان نامه ویژگی های ساختاری، الکتریکی و مغناطیسی نمونه های کپه ای و لایه نازک منگنایتهای la0.85sr0.15mno3 و la0.85ca0.15mno3مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی های مغناطیسی نمونه کپه ای lsmo توسط پذیرفتاری مغناطیسی متناوب مورد بررسی قرار گرفت.لایه نشانی منگنایتهای la0.85sr0.15mno3 و la0.85ca0.15mno3 بر روی زیرلایه (lao) laalo3 با استفاده از روش لیزر پالسی (pld) صورت گرفت. ویژگی های الکتریک...

در این مقاله پس از ساخت لایه های  نازک TiO2 و ZrO2 بر روی زیر لایه BK7 به روش تبخیر با باریکه الکترونی، طیف عبوری  UV-visible از لایه ها تهیه شده است. با استفاده از طیف عبوری، ضریب شکست لایه ها به دست آمده است. تصاویر AFM از لایه های نازک TiO2و ZrO2 تهیه شده است. اندازه‌گیری پراکندگی این لایه های نازک با روش پراکندگی تجمعی کلی یا TIS و روش AFM انجام شده است. همچنین، مقادیر زبری سطح و تخلخل و هد...

اکسید-دوتائی sio2-tio2 دارای ویژگی ها و خواص مناسبی است که باعث شده تا این ماده کاربردهای مختلفی در صنعت داشته باشد. از جمله کاربردهای این اکسید دوتائی می توان به کاربرد آن در زمینه های مختلف مانند صنایع اپتیکی، ساخت موجبرهای اپتیکی، حسگرها و سلول های خورشیدی اشاره کرد. به همین علت تحقیقات متعددی در دهه های اخیر در مورد خواص و روش های ساخت لایه نازک آن صورت گرفته است. در این پایان نامه، ابتدا...

لایه های نازک زیرکونیوم، به وسیله روش کندوپاش مغناطیسی dc بر روی زیرلایه سیلیکون انباشت شدند و سپس در دماهای ( 750-150) و زمان های متفاوت (min 180و60 ) با شار اکسیژن، بازپخت گردیدند. روش پراش پرتو - x برای مطالعه ساختار بلوری استفاده شد. نتایج، ساختاری مکعبی از فاز ارتورهمبیک اکسید زیرکونیوم برای لایه های بازپخت شده تحت 150 و ساختار مرکبی از منوکلینیک و تتراگونال برای لایه های بازپخت شده در دما...

اکسیدهای نیمه رسانا باساختار نانویی، به دلیل خواص منحصربه فرد فیزیکی شان در اثرات تحدید کوانتومی، توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. از میان نیمه رساناها دی اکسیدقلع (sno2) با گاف انرژی پهن (ev 3.6 دردمای k 300)، یک ماده کاربردی کلیدی می باشدکه به طور گسترده ای برای وسایل اپتوالکترونیک، سنسورهای گازی، الکترودهای رسانای شفاف و کاتالیست های پشتیبان به کارمی روند. در این تحقیق فیلم های نازک دی ...

مقاومت الکتریکی لایه های نازک نیمه هادی های اکسید فلزی تابعی از ترکیب گاز محیط فراگیرنده آنها است. نانولوله های اکسید تیتانیوم به گاز هیدروژن حساس هستند و در برابر این گاز، کاهش چشمگیری در مقدار مقاومت الکتریکی این نانولوله ها مشاهده می شود. در این تحقیق، نانولوله های اکسید تیتانیوم، به روش اکسیداسیون آندی در دونوع الکترولیت آبی و آلی بر روی سطح ورق تیتانیوم ایجاد شدند. نتایج بدست آمده از بررسی...

در ساخت لایه نازک cuinse2 نتایج آنالیزهای کمی rbs و eds حاکی از مرجح بودن پیکربندیa نسبت به پیکربندیb با توجه به رشد 2درصدی سلنیوم در فاز نهایی است، که این را می‎توان به تامین اتمسفر فشار بالای سلنیوم در این حالت در مجاورت سطح پیش‎ماده‎های فلزی نسبت داد. این در حالی است که درصد مذکور را بازهم می‎توان با استفاده از محفظه‎های نیمه بسته افزایش داد. تاثیر مستقیم افزایش دما تا c ?560، در تقویت شدت ...