این مقاله به بررسی آنتن های شفاف به عنوان راه حلی برای حل مشکلاتی مانند زیبایی، آیرودینامیک بودن آنتن در کاربردهای مختلف و همچنین نقش آن در کاربردهای فضایی می‌پردازد. سپس دو دسته‌ی کلی آنتنهای شفاف بررسی می شوند. در دسته اول، ساختار آنتن که در آنتنهای متداول معمولا از فلزات ساخته می شود، با استفاده از تکنولوژی فیلم نازک و یا با مشبک نمودن قسمتهای فلزی آنتن محقق می‌شود. دسته‌ی دوم، آنتهای تشدیدک...

در بخش اول تحقیقات، سرامیک مایکرویو دی الکتریک با ترکیب li2znti3o8 – x wt. % tio2 با واکنش های حالت جامد آماده سازی شد. مواد اولیه با خلوص بالا (%99<) شامل li2co3 ,zno و tio2 مورد استفاده قرار گرفت. درصد های مختلف از نانو ذرات (wt. % 8 - 0) tio2 به سرامیک li2znti3o8 اضافه شد تا تاثیر نانو ذرات بر روی دانسیته، ریزساختار، قابلیت سینتر و خواص مایکرویو دی الکتریک بررسی شود. ماکزیمم دانسیته 99 درصد ...

هدف از این کار تجربی ارائه گزارش حاصل از اندازه گیری ضریب دی الکتریک بلورهای مایع e7 , c7 , 1791 می باشد . ضریب دی الکتریک هر یک از بلورهای مایع در بازه دمایی و فرکانسی متفاوت اندازه گیری شد . بررسی نتایج نشان داده است که بلورهای مایع مورد بررسی ناهمسانگردی دی الکتریکی مثبتی دارند و با افزایش دما در فاز نماتیک این نوع ناهمسانگردی کاهش می یابد . تا اینکه در دمای گذار ، این مقدار به صفر میل میکند...

نیترایدهای نیم رسانای گروه iii از جمله گالیم نیتراید، به سبب گاف نواری پهن و مستقیم در ساخت قطعات الکترو اپتیکی مورد توجه هستند. خواص الکتریکی و اپتیکی این نیم رساناها توسط عیوب بلوری تحت تاثیر قرار گرفته و تغییر می کنند. ساختار بلوری ترکیبات گروه iii-v، عیوب بلوری و نظریه تابعی چگالی در این کار پژوهشی معرفی شده است. طبق محاسبات گاف نواری گالیم نیتراید در ساختار ورتزیت ev 8/1 و گاف نواری ساخت...

پلاسمای غیر حرارتی در فشار اتمسفر به علت آنکه انرژی الکتریکی اعمال شده به آن به جای گرم کردن محیط گازی، صرف ایجاد الکترون های پر انرژی می شود، غالبا برای آنالیز شیمیایی و یا حذف عناصر نامطلوب از گازها به کار می رود. انرژی الکتریکی نهایتا منجر به تولید رادیکال های آزادی می شود که بسیار فعال تر و تاثیرگذارتر از اتم ها و مولکول های حالت پایه هستند. روش های پلاسمایی متفاوتی برای حذف آلاینده ها از گ...

در این پژوهش، فریت لیتیم  (Li0.5Fe2.5O4)به کمک روش سل- ژل تهیه و اثر عملیات حرارتی در دمای    C°­1000بر روی ساختار و ویژگی­های آن ارزیابی شد. برمبنای آزمون پراش پرتو ایکس(XRD)، ساختار کریستالی مکعبی با گروه فضایی P4332 برای فریت لیتیم قبل و پس از عملیات حرارتی شناسایی شد. با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدان (FESEM) ریزساختار پودرهای تولید بررسی شد. قبل از عملیات حراراتی، در کلوخه­ه...

محافظت از آنتن در برابر عوامل خارجی (باد، باران و برخورد اشیا و پرندگان) توسط رادوم صورت می گیرد. به منظور ساخت رادوم با توان کارکرد در دمای زیاد (بیش از 1000 درجه سانتیگراد)، مناسب پرنده های مافوق صوت (10-5 ماخ)، از سرامیک های مهندسی استفاده می شود. رادوم علاوه بر خواص مکانیکی قابل قبول، باید از ثابت دی الکتریک و تانژانت اتلاف مناسب برخوردار باشد تا بر عملکرد آنتن تاثیر منفی نگذارد. ایجاد تخلخ...

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...