دراین پروژه معادلات سه گانه نیمه رسانا یعنی معادله پواسون، معادله پیوستگی جریان الکترونها و حفره ها) به صورت جفت شده با روش تفاوت متناهی و به کمک آمار فرمی دیراک با درنظرگرفتن تبهگنی حل شده است. این روش امکان حل معادلات را برای مقادیر بالای بایاس فراهم می سازد. از میان مدلهای مختلفی که برای پارامترهای فیزیکی ارائه شده ، مدلی که با تجربه توافق بیشتری دارد برای این شبیه سازی انتخاب شده است.این شب...

نانو اسپینترونیک که همان کاربرد فناوری نانو در تولید قطعات اسپین – الکترونیکی می باشد یکی از زمینه های بسیار پر کاربرد و جذاب از علوم و فناوری نانو است. در نانو اسپینترونیک از درجه آزادی اسپین الکترون به منظور انجام محاسبات استفاده می شود. به عنوان کاربردی از نانو اسپینترونیک در صنعت، می توان از مقاومت های مغناطیسی بزرگ (gmr) نام برد که از آنها در دیسک های سخت استفاده می شود. تولید جریان های ...

یک نیم¬فلزات در یک کانال اسپینی (اغلب اکثریت) فلز و در کانال اسپینی دیگر (اغلب اقلیت) نیم¬رسانا هستند و به¬دلیل قطبش اسپینی 100% در سطح فرمی در قطعات تزریق اسپین و اسپینترونیک بسیار مفید هستند. از جمله¬ی نیم¬فلزات آلیاژهای هویسلر هستند که به دو دسته تقسیم می¬شوند: آلیاژهای نیم¬هویسلر و آلیاژهای هویسلر کامل. آلیاژهای هویسلر کامل دارای ساختار l2_1 و ترکیب استوکیومتری x_2 yz هستند که x و y از عناص...

در این رساله با استفاده از نرم¬افزار espresso در ابتدا خواص انبوهه¬ی بلور crse در هر دو ساختار nias و بلندروی به تفصیل مورد مطالعه قرار گرفته است. در ادامه خواص الکترونی، مغناطیسی و ناپیوستگی نواری مرز مشترک crse/znse را با ساخت ابریاخته¬های با ضخامت¬های مختلف (16، 20 و 24 لایه¬ای) استخراج کردیم. محاسبات نشان دادند که خاصیت نیم¬فلزی در مرزمشترک cr/se حفظ شده و اندازه¬ی گاف نیم¬فلزی برابر 1.9 ال...

روش رادار نفوذی زمین (GPR) روشی غیرمخرب برای موقعیت‌یابی اشیاء مدفون یا مرز بین سطوح است. با استفاده از این روش می‌توان اهداف فلزی و غیرفلزی را در یک زمینه غیررسانا یا نسبتاً رسانا شناسایی کرد. این روش در بسیاری از فعالیت‌های مهندسی به‌خصوص ژئوتکنیک، بررسی خاک، زمین‌شناسی، شناسایی حفره‌ها، یافتن موقعیت کانال‌های مدفون و لوله‌ها، تحقیقات باستان‌شناسی، بررسی منابع آب‌های زیرزمینی کم‌عمق و آلودگی‌ه...

چکیده کاربرد نظریه k.p در بررسی حالات الکترونیکی نانو ساختارهای نیم¬رسانا اسماعیل مهدیزاده سروستانی بیشتر خواص اپتوالکترونیکی مواد نیم¬رسانا از قبیل جرم موثر الکترون و حفره، چگالی حالات نوار رسانش و ظرفیت و شکاف نواری در نظریه نواری جامدات نهفته شده است. بنابراین محاسبه ساختار نواری نیم¬رساناها در فیزیک حالت جامد از اهمیت زیادی برخوردار است و در نتیجه نقش اساسی در پیشرفت ساخت ادوات الکترونیک...

هدف اصلی در این پایان¬نامه بررسی چند نوع از پلیمرهای نیمه¬هادی به عنوان ماده دهنده الکترون در کنار c60 به عنوان ماده پذیرنده الکترون برای ساخت سلول خورشیدی با استفاده از ساختار پیوند ناهمگن توده¬ای می¬باشد. با توجه به این¬که c60 دارای سطوح انرژی homo=-6.2 وlumo=-4.5 است، در میان تمامی نیمه¬هادی¬های آلی دارای الکترون¬خواهی بالاتری می¬باشد ولذا می¬تواند یکی از بهترین پذیرنده¬ها در ساخت سلول¬خورشی...

هدف اصلی در این پایان نامه، تحلیل پاسخ نوری ابرشبکه ی متشکل از لایه های نارسانا و نیم رسانا در نزدیکی بسامد گذار نیم رسانا است. در این ناحیه از طیف، پاسخ نوری نیم رسانا به علت تشکیل زوج مقید الکترون- حفره (اکسایتون) غیر موضعی است که عرصه ی قابل توجهی در نورشناخت جامدات می باشد[8]. پاسخ نوری غیرموضعی عامل پاشندگی فضایی برانگیختگی های نیم رسانا است و از این جهت مدهای اکسایتون- پلاریتون (سطحی و حج...

چکیده ندارد.

در شبکه های مخابراتی نوری برای کنترل و پردازش اطلاعات می بایست سیگنال نوری به الکتریکی تبدیل شود تا پردازش روی آن انجام شود و سپس به حالت نوری بازگردانده می شود. برای دست یابی به حداکثر ظرفیت فیبرنوری تلاش های زیادی برای توسعه شبکه های تمام نوری انجام شده است. به همین دلیل ساختارهای منطقی تمام نوری زیادی ارائه شده است ولی همه ساختارها از نظر ساخت ، توان مصرفی و سرعت عملکرد یکسان نمی باشند . در ...