در این تحقیق دو نمونه سلول خورشیدی با استفاده از مواد آلی فولرن (60C) به عنوان پذیرنده الکترون (نوع n) و فتالوسیانین مس (CuPc) به عنوان پذیرنده حفره (نوع p) در خلاء حدود mbar6-10 ساخته شده است. الکترود شفاف نمونه اول فقط از یک لایه� ITO تشکیل شده است در حالی که در نمونه دوم یک لایه اضافی از ماده PEDOT:PSS را نیز روی ITOلایه نشانی کردیم تا تأثیر این لایه را بر منحنی ولتاژ ? جریان سلول مورد بررسی...

در این مقاله یک توپولوژی جدید برای اینورترهای چند سطحی با استفاده از ماژول‌های چند سطحی و پل اینورتری ارائه شده است. یکی از ویژگی‌های اساسی این توپولوژی کاهش چشمگیر تعداد کلید‌های نیمه‌هادی و منابع تغذیه با افزایش تعداد سطوح ولتاژ خروجی می‌باشد. برای این ساختار آلگوریتمی جهت تعیین اندازه منابع ولتاژهای DC ارائه شده است. همچنین نحوه تعیین تعداد بهینه الما‌‌ن‌های مدار از جمله تعداد کلید‌ها، مدار ...

امروزه استفاده از مبدل¬ها با ولتاژ خروجی پایین و متوسط در تجهیزات قابل حمل، کامپیوترهای با کارایی بالا و سیستم¬های مخابراتی توان بالا در حال افزایش می¬باشد. از این¬رو، بهبود بازده تبدیل و چگالی توان این مبدل¬ها مورد توجه قرار گرفته است. تلفات هدایتی یکسوسازهای متداول در مبدل¬های ولتاژ پایین و متوسط قابل ملاحظه می¬باشد. برای کاهش تلفات هدایتی، یکسوساز همزمان (sr) که یک کلید نیمه¬هادی است، جایگزی...

افزایش مصرف انرژی و بالا رفتن هزینه آن در جهان، جستجوی گزینه های جدید انرژی را ایجاب می کند. انرژی خورشیدی یکی از در دسترس ترین و پاکترین منابع است. در سالهای اخیر نیمرساناهای آلی به دلیل مزایای گوناگونی از قبیل سنتز کم هزینه و آسان و انعطاف پذیر بودن مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. در این پایانامه، ابتدا سلولهای خورشیدی معرفی، سپس سلولهای خورشیدی معدنی و آلی و سازوکار ترابرد جریان الکتریکی...

در این مقاله ساختار جدیدی از مبدل‌های DC به DC بدون ترانسفورمرِ متقارن به‌منظور افزایش بهره ولتاژ آن ارائه شده است. می‌توان با توسعه ماژولار سیستم پیشنهادی، حداکثر بهره ولتاژ مبدل و همچنین تنش کلیدهای قدرت را به‌دلخواه تنظیم نمود. ساختار ارائه‌شده مبتنی بر مدارات خازن/سلف کلیدزنی‌شونده بوده و به‌گونه‌ای طرح شده است که همه کلیدهای مبدل توسط یک مدار مدولاسیون پهنای باند (PWM) کنترل می‌شوند. جریان ...

در این مقاله مشخصات فنی و قسمت های مختلف مدار کنترل کننده ی ماژول led با توان اسمی 65 وات که در شرکت صنایع الکترونیک افراتاب ساخته شده است، تشریح شده است. این مدار شامل بخش های اصلی مدار حفاظت و فیلتر emi ورودی، مدار اصلاح ضری بتوا ن با توپولوژی boost و مدار درایور ماژول led است که به صورت یک کنترل کننده جریان ثابت در محدوده تغییرات ولتاژ ورودی و بار خروجی مورد استفاده قرار م یگیرد. ضریب توا ن ...

در این مقاله یک مبدل ترکیبی بوست- سپیک با کلیدزنی نرم برای کاربردهایی که به بهره ولتاژ بالا نیاز دارند، ارائه شده است. یکی از ویژگی های اصلی در این مبدل روشن شدن سوئیچ اصلی تحت شرایط zcs می باشد. این کار بدون بهره گیری از سوئیچ کمکی و مدارات اضافی انجام می شود. در این مبدل جهت افزایش بهره ولتاژ، خروجی مبدل سپیک با خروجی مبدل بوست سری شده که تشکیل یک مبدل ترکیبی را می دهند. علاوه بر این از یک سل...

کنترل توان راکتیو یکی از مسائل مهمی است که در شبکه های قدرت، چه در بخش انتقال و چه در بخش توزیع مورد بررسی قرار می گیرد. کمبود توان راکتیو در شبکه باعث فرو پاشی ولتاژ در شبکه می شود و زیاد بودن آن سبب افزایش تلفات و اضافه ولتاژ در گره ها می شود. بنابراین لازم است که آن را به طور بهینه کنترل کرد. متغیرهای کنترل پدیر در شبکه توزیع عبارتند از 1- توان اکتیو خروجی dg های موجود در شبکه 2- توان راکتیو...

در این مقاله، طراحی و پیاده سازی رگولاتورهای ولتاژ با افت کم  و تغییرات خروجی بسیار کوچک را با استفاده از راهکارهای نوینی به انجام رسانیده ایم. در ساختار مداری رگولاتور، برای اولین بار از دو راهکار تغذیه بدنه و استفاده از مرجع ولتاژ متغیر استفاده شده است. تغذیه اثر بدنه، با هدف افزایش هر چه بیشتر بهره حلقه رگولاسیون و استفاده از مرجع ولتاژ متغیر، با هدف تثبیت بیشتر ولتاژ خروجی و افزایش نسبت حذف...

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...