مدل سازی جریان تونل زنی گیت ماسفت توسط شبکه عصبی

در این تحقیق، چالش های موجود در طراحی اسیلاتورهای یکپارچه، علت استفاده از روش های هوشمند، شماری از روش های هوشمند بکارگرفته تاکنون و راهکارهای هوشمند در طراحی و بهینه سازی اسیلاتورهای یکپارچه ارائه شده است. در ادامه یک ابزار طراحی به کمک رایانه (cad tool) با بکارگیری الگوریتم جستجوی هارمونی (hs) در محیط متلب (matlab) با استفاده از تحلیل تعادل هارمونیک (harmonic balance) در شبیه سازی اچ اسپایس آ...

فناوری cmos از مزیت های متعددی همچون قابلیت اطمینان بالا، سادگی ساخت و مقیاس پذیری برخوردار است و به همین علت در چند دهه ی اخیر به عنوان اصلی ترین فناوری در ساخت مدارهای مجتمع مطرح بوده است. جالب اینکه، در تمام دوره ی حیات خود، این فناوری همواره به سرعت در حال پیشرفت بوده است به گونه ای که به طور مستمر شاهد تولد تراشه هایی بوده ایم که سرعت بالاتر، توان مصرفی کمتر و کارآیی بیشتر داشته اند. کاه...

کلید­های cmos یکی از ساختارهای اصلی و تاثیرگذار مدارهای الکترونیکی به شمار می­روند و به طور گسترده در مدارهای آنالوگ کاربرد دارند. یکی از شاخصه­های غیر ایده­آل این کلیدها مقاومت حالت خاموش و جریان نشتی معکوس آنها است. به منظورکاهش جریان نشتی کلیدهای ماسفت و در نتیجه آن افزایش مقاومت حالت خاموش کلید، یک روش جدید در این مقاله ارائه شده است. این راهکار با بهره برداری از اثر بدنه و افزایش ولتاژ آست...

در این پایان نامه مشخصات جریان- ولتاژ ماسفت های کانال کوتاه دو دروازه ای با طولهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است. در ابتدا جریان زیر آستانه ی این قطعات برای طولهای کانال 100 و 50 و 20 نانومتر محاسبه شده است و نشان داده ایم که جریان زیر آستانه برای قطعه با طول کانال کوچکتر، مقدار بزرگتری دارد و هر چه طول کانال بزرگتر باشد بستگی جریان زیر آستانه به جریان دررو کمتر است. همچنین نشان داده ایم که ...

مطالعه خواص ترابرد الکترونی در ترانزیستور ماسف با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو تحت تاثیر میدانهای الکتریکی بالا.با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو که یک روش آماری می باشد تادادی از الکترونها را در فضای فاز در نظر گرفته و حرکت آنها را در شرایطی که میدان نیز اعمال کرده ایم بررسی میکنیم.به طوری که حرکت ذرات در هر لحظه با حل معادله بولتزمن انجام میشود

در افزاره های سیلیکن بر روی عایق به خاطر وجود لایه ی اکسید مدفون شده خازن های پارازیتیکی کاهش یافته اند و این موضوع باعث بالاتر بودن سرعت این ساختار نسبت به ماسفت توده شده است. با تغییر ساختار کانال این نوع افزاره ها و اعمال تنش که منجر به افزایش موبیلیتی حامل ها می گردد می توان افزاره ی سیلیکن بر روی عایق با کانال مهندسی شده را به عنوان ساختاری مناسب برای کاربرد های سرعت بالا در روند پیش رو بر...

در این پروژه، طراحی و ساخت بخش های الکترونیک سرعت سنج لیزری به روش زمان پرواز انجام می گیرد. هدف، طراحی و ساخت بخش های الکترونیک سرعت سنج لیزری برای مسافت های حدود 1000m بوده است. مدار گیرنده سیستم مبتنی بر یک ماژول آشکارسازیست که در آن از یک آشکارساز apd که دارای بیشترین میزان حساسیت در طول موج 900nm است استفاده می شود. با طراحی مناسب بخش تغذیه ولتاژ بالا مبتنی بر یکسوسازی ولتاژهای سینوسی یک ن...

پیشرفت در سنسور های گاز،با توسعه ادواتی مانند نانولوله کربنی،نانووایر،فلزات اکسیدوغیره انجام می گیرد از آنجایی که نانولوله های کربنی برای سنسورهای گاز تشخیص آلاینده هوا بسیار مهم هستند به طور گسترده مورد مطالعه قرار گرفته اند.نانولوله های کربنی به دو دسته نانولوله های تک دیواره و چند دیواره تقسیم می گردند که نانولوله های تک دیواره به دلیل دارای خواص الکتریکی جالب مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته...

درسالیان اخیر با پیشرفت نیمه هادیهای توان و تکنولوژی مجتمع سازی ادوات نیمه هادی توجه چشمگیری به افزاره های توان شده است. در بین ادوات توان ساختار سیلیسم بر روی عایق به علت ویژگی های بسیاری از جمله، کاهش خازن های پارازیتیک، ایزولاسیون تقریبا ایده آل و کاهش جریان های نشتی به زیر لایه مورد توجه قرار گرفته است به خصوص خاصیت ایزولاسیون بالای آن باعث شده است که در کاربردهای مدارات مجتمع توان امکان مج...