در این تحقیق لایه های نازک pb با ضخامت های مختلف به روش الکتروانباشت تک حمام و با استفاده از سه الکترود بر روی زیرلایه های مس و طلا تهیه شدند. برای به دست آوردن ولتاژ مناسب انباشت از مطالعه ولتامتر چرخه ای استفاده شد. ضخامت لایه های انباشت شده با استفاده از دستگاه dektak3 اندازه گیری شد. نانوساختار این لایه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و الگوی پراش اشعه ایکس مورد مطالعه قرار گرفت. ...

حسگرهای گازی به قطعاتی اطلاق می شوند که می‏توانند غلظت یک گاز بخصوص را به یک سیگنال الکتریکی تبدیل کنند. اکسید روی یکی از مهمترین نیمرساناهایی است که همواره خاصیت حسگری گازی خوبی از خود نشان داده است. در این تحقیق تجربی لایه های نازک نانو ساختار اکسید روی به روش اسپری پایرولیزیز سنتز و خواص فیزیکی گوناگون آنها شامل خواص مورفولوژی، ساختاری، اپتیکی، الکتریکی و همچنین کاربرد آنها در حسگری گاز های ...

علاقه به تحقیق و پژوهش در زمینه پلاسماهای غباری که رشته جدیدی در فیزیک پلاسما می‌باشد با توسعه صنعت میکروالکترونیک رشد چشمگیری داشته است. ذرات غبار که تا کنون به عنوان آلودگی در نظر گرفته می‌شدند، امروزه در فنآوری های لایه گذاری برای صنایع میکروالکترونیک، اپتیک، الکترواپتیک استفاده می‌شوند. در اینجا ما روی پوشش با ذرات غبار از طریق ایجاد لایه نازک ZnO:Al کار می‌کنیم. ذرات غبار Zn وAl  می‌باشند....

در این تحقیق لایه نازکی از نانوذرات تیتانیم دی‏ اکسید با متوسط قطر ذرات nm8 بر روی شیشه تهیه و خواص بلوری و نوری آن قبل و بعد از کلسینه کردن بررسی گردید. الگوی XRD با زاویه پایین نشان داد که لایه نازک تیتانیم دی ‏اکسید قبل از کلسینه کردن دارای ساختار مزو حفره ای است و بر خلاف معمول، کلسینه کردن سبب افزایش طبیعت مزو حفره ای آن شده است. الگوی XRD با زاویه پایین لایه نازک تیتانیم دی‏ اکسید قبل و ب...

نانومیله­ های اکسیدروی به روش رسوب حمام شیمیایی (CBD) روی بستر سیلیکون بذردار به صورت عمودی و یکنواخت رشد داده شدند. از لایه نازک اکسیدروی که به روش کندوپاش بر روی بستر سیلیکونی لایه ­نشانی شد به عنوان لایه بذر استفاده شد. اثرات دما و زمان رشد بر خواص ساختاری و مورفولوژیکی نانومیله­ های اکسید روی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و پراش اشعه ایکس بررسی شد. مطالعات انجام شده نشان داد که است...

یک دیود نورگسیل از یک لایه فیلم نازک ماده آلی یا غیر آلی تشکیل شده است که بین دو الکترود قرار می گیرد. با اعمال ولتاژ به الکترودها، الکترون ها و حفره ها به لایه آلی وارد می شوند و در آنجا تشکیل اکسایتون می دهند و سرانجام نور تولید شده از دیود خارج می شود. دیودهای نورافشان به دو دسته آلی و غیر آلی تقسیم می شوند. دیودهای نورافشان آلی در دو دهه گذشته مورد توجه بسیاری از جامعه محقیقن قرار گرفته است...

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...

در طول سال¬های گذشته، لایه¬های نازک نانوکریستالی نیمه¬رسانا و نقاط کوانتومی، توجه زیادی را به خاطر خواص منحصربفرد ساختاری، نوری و الکترونی به خود جلب کرده¬اند. دارا بودن طیف¬های جذبی پهن و طیف¬های نشری باریک، مقاومت در برابر تخریب نوری، پایداری طولانی مدت فلوئورسانی و طیف¬های نشری وابسته به اندازه، نقاط کوانتومی را به عنوان ابزاری توانمند در وسایل فوتوولتایی، تصویربرداری زیستی و نوردهی مطرح کرد...

هدف از تحقیق حاضر بررسی تأثیر افزایش مدت زمان رسوب دهی و در نتیجه افزایش ضخامت بر خواص لایه های نازک تیتانیم ایجاد شده روی زیرلایه فولاد زنگ نزن 316l با استفاده از روش رسوب دهی فیزیکی بخار (pvd) است. به این منظور، عملیات رسوب دهی در مدت زمان های مختلف 5، 10، 15 و 20  دقیقه انجام شد تا لایه هایی با ضخامت های مختلف ایجاد شود. سپس ضخامت لایه های نازک تیتانیم با استفاده از دستگاه پروفیل سنج اندازه ...

هدف اصلی این تحقیق، بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی لایه نازک fept نسبت به دمای بازپخت است. لایه های نازک fept به روش کندوپاش روی زیرلایه شیشه ای با نرخ                          6 و با توان w 110 رسوب داده شدند. خلأ اولیه محفظه کندوپاش برابر torr 7-10 5 و فشار گاز آرگون mtorr 3 در نظر گرفته شد. پس از تهیه نمونه ها، در محدوده 650-450 به مدت 30 دقیقه بازپخت شدند. شناسایی فازی لایه نازک با استفاده ا...