بلورهای فوتونیک ساختارهای متناوب از مواد دی¬الکتریکی¬اندکه مهم¬ترین مشخصه¬ی آن¬ها داشتن گاف نواری فوتونیک است. فرمول¬بندی و روابط فیزیکی مربوط به بلورهای فوتونیک، امواج بلوخ، تقارن¬ها، نقص در بلورهای فوتونیک و ... معرفی می¬گردد. بلورهای فوتونیک مغناطیسی، نوعی از بلورهای فوتونیک¬اند که در آن¬ها اجزای مغناطیسی در کنار مواد دی¬الکتریکی قرار داده می¬شود و با به¬کاربردن میدان مغناطیسی خارجی، خاصیت م...

در این پایان نامه انتشار پالس نوری ضعیف کاوشگر در محیط بلور فوتونی یک بعدی مورد بحث قرار گرفته است و تغییرات سرعت انتشار نور در محیط از طریق پاشندگی، میزان جذب باریکه حین انتشار در محیط و اثر پارامتر های مختلف در انتشار پالس نوری داخل بلور فوتونی تحلیل و بررسی شده است. نشان داده شده است که اعمال تغییراتی در ساختار یک بلور فوتونی یک بعدی مانند وارد کردن لایه نقص، وارد کردن لایه نقص با اتم های دو...

موضوع رساله بررسی اثر نقص های هندسی کوچک محلی، بر روی یک صفحه همگن و لایه چینی شده، جهت تعیین رفتار آیروالاستیک، کمانش و ارتعاشی صفحه و تعیین محدوده ی ناپایداری فلاتر و کمانش است. با توجه به امکان ایجاد نقص های کوچک غیرمتقارن و ناهماهنگ با مودهای اصلی و کمانشی صفحه، (که دارای شبیه سازی و حل پیچیده ای نسبت به نقص های متناسب با مودهای سازه هستند)، بررسی اثر این نوع نقص ها از دیدگاه آیروالاستیک و ...

در لایه های نازک اکسید ژرمانیوم، پس از تهیه لایه نازک در اثر بازپخت، نانوساختارهای ژرمانیوم تولید شدند. نوارهای فوتولومینسانس در ناحیه های مرئی و فروسرخ به ترتیب در نمونه های بازپخت شده در 350 درجه سانتیگراد و 400 درجه سانتیگراد مشاهده شدند. این گستره های متفاوت فوتولومینسانس به ترتیب به وجود نقص های ساختاری در ماتریس اکسید و اثر حبس کوانتومی در نانوساختارهای ژرمانیوم نسبت داده می شوند. زمان وا...

در این پایان نامه به بررسی خواص الکترونی و مغناطیسی نانو لوله های نیترید بور، پرداخته ایم. که در ذیل به طور مختصر به نتایج بدست آمده می پردازیم. - نانو لوله های تک دیواره در نانو لوله ها (0, 6) ، (0, 12) ، (0, 14) ، (0, 18) مشاهده شد که با افزایش قطر نانو لوله ها، گاف انرژی نیز بزرگتر شد و در نانو لوله هایی با قطر بیشتر این تغییر گاف کمتر مشاهده شد. که علت آن کم شدن خمش نانو لوله است. - نان...

در این پژوهش، پس از معرفی و بیان خصوصیات سیلیکون متخلخل و بلورهای فوتونی، عوامل موثر بر گاف نواری بلور فوتونی سیلیکون نانومتخلخل یک بعدی بررسی شده است. علاوه بر آن نشان داده شده است که با ایجاد یک نقص در ساختار بلور فوتونی، در گاف نواری آن، یک یا چند مُد نقص ایجاد می شود که در عمل از اهمیت بالایی برخوردار است. در ادامه عوامل موثر بر موقعیت، تعداد و ضریب کیفیت مُدهای نقص مورد بررسی قرار گرفته است....

امروزه نانوساختار‌های گرافن استعداد چشمگیری برای استفاده در کاربردهایاپتوالکترونیک غیرخطی مانند فیلترهای باندگذر باریک از خود نشان داده‌اند. در این مقاله، میزان جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه‌های دی‌الکتریک Ta2O5 و SiO2 و لایه گرافن به عنوان نقص ساختار که دارای خاصیت غیرخطی نوری است، از جنبه نظری بررسی شده است. به دلیل پذیرفتاری غیرخطی مرتبۀ سوم قوی گرافن، اثر اپتیکی کر یکی از اثرات غ...

نهشته های زغالسنگی قشلاق در گستره رسوبات سازند شمشک با ترکیب ماسه سنگ، کنگلومرا، سیلتستون، آهک و آرژیلیت قرار گرفته اند. به منظور بررسی های کانی شناسی و ویژگی های ساختاری لایه های زغالسنگی قشلاق، از یازده لایه زغالسنگ از چهار معدن در حال استخراج نمونه برداری گردید. با استفاده از پتروگرافی، آنالیزهای XRD، FT-IR و Raman، رخداد کانی ها به همراه ساختار زغالسنگ های این ناحیه مورد بررسی قرار گرفتند. ...

در این پایان نامه توزیع تنش میان لایه ای در اتصال چسبی تک لبه لوله ای در حضور یک نقص (حفره و جدایش) در چسب، در یک تحلیل تحت بارگذاری پیچشی و در تحلیل دیگر تحت بارگذاری کششی مورد بررسی قرار گرفته است. فرض شده است که تنش برشی در راستای ضخامت چسب متغیر است و لوله ها می توانند از لحاظ مشخصات فیزیکی و هندسی غیر مشابه باشند. یک معادله جابجایی درجه دوم برای چسب در راستای ضخامت در نظر گرفته شده است. تح...